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高等教育領(lǐng)域數(shù)字化綜合服務(wù)平臺(tái)
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芳香羧酸直接的脫氧碳碳偶聯(lián)
南京大學(xué)
2021-04-10
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一種石墨烯/銀量子點(diǎn)/氮化鎵雙向發(fā)光二極管
本實(shí)用新型公開(kāi)了一種石墨烯/銀量子點(diǎn)/氮化鎵雙向發(fā)光二極管，該發(fā)光二極管是自下而上依次有藍(lán)寶石襯底層或硅襯底層、氮化鎵層、銀量子點(diǎn)層、石墨烯層，在氮化鎵層上還設(shè)有側(cè)面電極，在石墨烯層上設(shè)有正面電極，所述的氮化鎵層厚度為2～10μm；本實(shí)用新型的石墨烯/銀量子點(diǎn)/氮化鎵雙向發(fā)光二極管利用銀量子點(diǎn)表面等離子體增強(qiáng)發(fā)光，同時(shí)結(jié)合石墨烯材料的高透光性、高導(dǎo)電性和氮化鎵優(yōu)異的發(fā)光性能，正反偏壓下均可發(fā)光且波段多樣，亮度高，制備工藝簡(jiǎn)單，成本低。
浙江大學(xué)
2021-04-13
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一種摻雜硅量子點(diǎn)發(fā)光二極管器件及其制備方法
本發(fā)明公開(kāi)了一種摻雜硅量子點(diǎn)發(fā)光二極管，包括硅襯底，沉 積銀納米顆粒層，以及在銀納米顆粒結(jié)構(gòu)上沉積多層分布均勻且包含 摻雜硅量子點(diǎn)的 SiNx 薄膜，透明導(dǎo)電薄膜 AZO 層以及 Si3N4 鈍化層。 還公開(kāi)了該發(fā)光二極管的制備方法，利用摻雜硅量子點(diǎn)-SiNx 薄膜的電 致發(fā)光特性，構(gòu)成發(fā)光二極管的發(fā)光有源層；利用摻雜可以鈍化量子 點(diǎn)，同時(shí)摻雜硅量子點(diǎn)與硅襯底形成的 p-n 結(jié)增強(qiáng)電子空穴的輻射復(fù) 合。此外，利用銀納
華中科技大學(xué)
2021-04-14
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量子谷Berry Phase的拓?fù)渎曌討B(tài)在二維六角晶格材料
徐虎課題組發(fā)現(xiàn)具有量子谷Berry Phase的拓?fù)渎曌討B(tài)在二維六角晶格材料中普適存在。隨著研究的深入，拓?fù)洳牧系姆诸?lèi)越來(lái)越豐富和多樣化。到目前為止，拓?fù)洳牧系难芯恐饕性谫M(fèi)米子相關(guān)的系統(tǒng)。隨著研究水平的進(jìn)一步發(fā)展，拓?fù)涞牟Ｉ酉到y(tǒng)也越來(lái)越引起人們的關(guān)注，例如光子晶體、聲子晶體等人工晶體中的拓?fù)洮F(xiàn)象等。但是，固體中的THz頻率段的拓?fù)渎曌拥难芯肯鄬?duì)緩慢。理論研究表明，拓?fù)渎曌訉?duì)研究量子聲子霍爾效應(yīng)、拓?fù)渎曌訜崞骷染哂兄匾饔谩Ｒ虼耍诂F(xiàn)實(shí)材料中尋找拓?fù)渎曌討B(tài)是相關(guān)領(lǐng)域亟待解決的問(wèn)題。 在研究中，徐虎課題組研究人員采用基于密度泛函理論的晶格動(dòng)力學(xué)計(jì)算，根據(jù)二階力常數(shù)矩陣構(gòu)造類(lèi)似于電子系統(tǒng)的緊束縛哈密頓量，從而可以獲得聲子系統(tǒng)的Berry 相和拓?fù)溥吘墤B(tài)。在此基礎(chǔ)上，他們結(jié)合高通量計(jì)算，發(fā)現(xiàn)具有量子谷Berry相的Dirac聲子態(tài)在二維六角晶格材料中普適存在(圖3a)。研究結(jié)果對(duì)進(jìn)一步研究拓?fù)渎曌討B(tài)以及其實(shí)際應(yīng)用具有重要作用。 近兩年，徐虎課題組致力于拓?fù)洳牧系睦碚擃A(yù)測(cè)和設(shè)計(jì)方面的研究工作，以南方科技大學(xué)物理系為第一單位發(fā)表1篇Phys. Rev. Lett.，1篇Nano Lett.和8篇Phys. Rev. (其中5篇為Phys. Rev. B Rapid Communications)。
南方科技大學(xué)
2021-04-13
一種二硒化鈷/碳納米材料及其制備方法與應(yīng)用
本發(fā)明公開(kāi)了一種二硒化鈷/碳納米材料，包括基底、厚度為 1 μm～2μm 的 CoSe2 層以及厚度為 1nm～10nm 的無(wú)定形碳層，所述 CoSe2 層生長(zhǎng)于所述基底表面，呈現(xiàn)三維片狀結(jié)構(gòu)，所述無(wú)定形碳層 附著于所述 CoSe2 層表面，且所述 CoSe2 層與所述無(wú)定形碳層的質(zhì)量 比為 90:1～1800:1，所述基底為鈦片或鈦絲。本發(fā)明通過(guò)將無(wú)定形碳 層附著于 CoSe2 材料表面，從而提高了納米材料的循環(huán)穩(wěn)定性，從而
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種低碳處理固體垃圾并抑制二噁英生成的方法
本發(fā)明公開(kāi)了一種低碳處理固體垃圾并抑制二噁英生成的方法，包括如下步驟：S1 粉碎固體垃圾；S2 對(duì)所述經(jīng)粉碎的固體垃圾執(zhí)行化學(xué)鏈燃燒處理，所述化學(xué)鏈燃燒溫度范圍為 800℃～1000℃，該化學(xué)鏈燃燒采用經(jīng)過(guò)吸附劑修飾的氧載體，該經(jīng)過(guò)吸附劑修飾的氧載體粒徑為 0.1mm～0.3mm，所述吸附劑能吸附并固定氣態(tài)氯元素，冷凝并捕獲化學(xué)鏈燃燒獲得的二氧化碳。本發(fā)明方法解決了目前固體垃圾焚燒過(guò)程中碳排放量高、同時(shí)易產(chǎn)生二噁英的
華中科技大學(xué)
2021-04-14
智慧微格教學(xué)平臺(tái)
北京大智匯領(lǐng)教育科技有限公司
2025-01-09
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微氧化法去除硫化氫及回收硫單質(zhì)的裝置與方法
天然氣凈化、石油煉制、煤化工、制革、制藥、造紙、合成化學(xué)纖維、橡 膠再生及污泥處理處置過(guò)程中，產(chǎn)生的含硫化氫氣體（H2S），造成了很大二 次污染，嚴(yán)重影響周邊大氣環(huán)境。石油和天然氣鉆井操作產(chǎn)生的大量采出水以 及生活生產(chǎn)廢水中，往往含有大量的溶解性硫化氫，考慮到硫化氫的毒性，這 些含硫化氫液體的處理受到越來(lái)越多的重視。硫化氫是無(wú)色氣體，低濃度的硫 化氫具有強(qiáng)烈的臭雞蛋惡臭氣味，它們不僅直接危害人體健康，對(duì)動(dòng)物的生長(zhǎng) 極其不利，而且在有氧和濕熱的條件下，嚴(yán)重腐蝕設(shè)備、管道和儀表等，并且 可加速非金屬材料的老化；因此，去除廢水、廢氣中硫化氫的相關(guān)研究備受關(guān) 104 注。 本項(xiàng)目采用一種低維護(hù)需求，低運(yùn)行成本，無(wú)二次污染的生物硫化物脫除 技術(shù)，從氣相和液相兩個(gè)層面上同時(shí)去除硫化物。氧化還原電位（ORP）被用 作控制參數(shù)以精確地調(diào)節(jié)空氣注入到硫化物氧化單元（SOU）。微曝氣技術(shù)僅 僅提供了足夠的氧氣去部分氧化硫化物而不產(chǎn)生甲烷。SOU 中的配備底部有分 散器，可以增加含硫化物沼氣的分散性和注入空氣的均勻性。該 SOU 可以作為 一個(gè)獨(dú)立的單位或與厭氧消化器聯(lián)合使用，可同時(shí)從沼氣及污水去除硫化物。
山東大學(xué)
2021-04-13
金剛砂（綠碳化硅）
產(chǎn)品應(yīng)用：半導(dǎo)體硅片和藍(lán)寶石晶體的線切割光學(xué)濾波片、石英鏡片的粗研磨工藝優(yōu)勢(shì)：我們提供的每一種研磨粉/砂都是經(jīng)過(guò)嚴(yán)格的粒徑控制和專(zhuān)業(yè)的加工工藝，在高切削力條件下保證加工表面具有較好的研磨效果，具有粒度均勻、純度高、可根據(jù)客戶個(gè)性要求單獨(dú)提供高精度微粉。碳化硅線切割產(chǎn)品特點(diǎn)：1、高純度、大結(jié)晶的碳化硅原材料，保證了碳化硅切割微粉的優(yōu)良切割性能和穩(wěn)定的物理狀態(tài)；2、粒度形狀為等積且刃鋒，保證了碳化硅微粉作為切割刃料的均衡性，從而保證被切割材料TTV的最小化；3、粒度分布集中并且均勻；4、有高熱震穩(wěn)定性和荷重軟化溫度，確保了在荷重切割時(shí)小線膨脹系數(shù)，保證切割的穩(wěn)定,并且同切割機(jī)有很好的適配性；5、表面經(jīng)過(guò)特殊處理，微粉具備大比表面積和清潔外表，與聚乙二醇等切削液有很好的適配性。碳化硅精磨產(chǎn)品特點(diǎn)：1、嚴(yán)格的粒度控制，降低了碳化硅微粒精磨過(guò)程的劃痕。2、按照歐洲標(biāo)準(zhǔn)和日本標(biāo)準(zhǔn)檢測(cè)，保證了產(chǎn)品的穩(wěn)定供應(yīng)。
山東麥豐新材料科技股份有限公司
2021-09-01
一種基于石墨烯電極的電控液晶光發(fā)散微透鏡陣列芯片
本發(fā)明公開(kāi)了一種基于納米石墨烯電極的電控液晶光發(fā)散微透鏡陣列芯片，包括驅(qū)控信號(hào)輸入端口、以及石墨烯液晶散光微透鏡陣列，石墨烯液晶散光微透鏡陣列為 m×n 元，石墨烯液晶散光微透鏡陣列采用液晶夾層結(jié)構(gòu)，且下上層之間順次設(shè)置有第一基片、圖案化石墨烯電極、第一液晶定向?qū)印⒁壕印⒌诙壕Фㄏ驅(qū)印⑹╇姌O、第二基片，圖案化石墨烯電極和石墨烯電極分別制作在第一基片和第二基片上，圖案化石墨烯電極是由 m×n 個(gè)以微圓環(huán)隔離并以
華中科技大學(xué)
2021-04-14