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無標題文檔抗磨鑄鐵規(guī)范應用于水泥、礦山、電力等行業(yè)，目前我國使用的磨球有兩大類：軋（鍛）鋼球和鑄球。軋（鍛）鋼球的優(yōu)點是韌性好，但其弱點是不耐磨、能耗高。鑄球大致可分為高鉻白口鑄球、中錳球墨鑄鐵磨球、白口鑄鐵及各種低合金鑄鐵磨球。我校開發(fā)的新型貝氏體球鐵磨球既具有中錳球鐵的底成本和工藝簡便的特點，有具有高鉻鑄鐵的耐磨性。1、各種磨球在水泥行業(yè)的磨損比及價格比：磨 球 種 類高 鉻中 錳鍛（軋）鋼新型貝氏體球磨 耗 比125~10~1價 格 比4.5~52.0~2.51.5~1.83.0~3.5粉碎噸水泥價格比1140.6~0.82、各種磨球優(yōu)缺點比較：鑄 球 種 類高 鉻中 錳白 口 鐵貝氏體球鐵球優(yōu) 點 適用于水泥磨煤行業(yè)（干磨），磨耗低 廉價，不用電爐 廉價，不用電爐 廉價，也可不用電爐 干磨濕磨均適用 原材料來源廣泛缺 點 成本高，需電爐 鉻鐵要進口 不適于濕磨 質(zhì)量不穩(wěn) 容易碎球 硬度較低 質(zhì)量不穩(wěn) 容易碎球 硬度較低3、各種磨球的機械性能及跌落試驗（從3.4M高度落下）磨 球 種 類硬度 HRC沖擊值KgM／cm迭落試驗磨前磨后迭落次數(shù)剝落尺寸（mm）熱軋45#鋼13.714.7／／／中錳球鐵45.947.40.95326648高鉻鑄鐵53~620.3~0.610000~2000033新型貝氏體球鐵51.252.21.225933354、新型貝氏體磨球的化學成分金相組織及生產(chǎn)工藝化學成分按鑄件壁厚的不同，原鐵水的化學成分范圍如下：CSiMnPS3.6~3.82~3.52~3.5<0.070.08      新型貝氏體球鐵的金相組織主要由貝氏體、馬氏體及少量殘余馬氏體組成。新型貝氏體球鐵的生產(chǎn)幾乎可以不改變中錳球鐵磨球的生產(chǎn)工藝流程，只對化學成分進行適當調(diào)整，因而保留了中錳球鐵磨球的生產(chǎn)工藝簡單、成本低的特點。鑄鐵可用砂型也可采用金型，澆注后需進行熱處理。球化處理工藝與中錳球鐵相同，采用沖入法，并用75Si-Fe進行多次孕育。      我們長期從事球墨鑄鐵研究，該項工作屬國內(nèi)首創(chuàng)，國外未見未見類似開發(fā)應用。選材來源廣泛，價格便宜，采用余熱淬火和特殊淬火介質(zhì)，成本低，工藝簡便易行；磨球的組織和化學成分設計新穎合理，在抗磨行業(yè)具有普遍推廣應用的條件。曾獲國家級新產(chǎn)品證書。  

1.設計獨立的量子芯片操控層與量子芯片讀取層，利用三維芯片結構提升量子芯片的線路密度與集成度； 2.設計新的量子比特操控信號調(diào)制方法，提高量子邏輯門操作的保真度。 3. 開發(fā)兼容于超導量子芯片的工藝材料與立體封裝工藝技術。 4.設計能實現(xiàn)更大增益-帶寬積特征參數(shù)的約瑟夫森量子參數(shù)放大器結構。 5.利用大規(guī)模硬件同步技術以及基于 PXI 等高速擴展架構的集成技術。 6.在邏輯控制板中原位實現(xiàn)量子芯片讀取信息的處理。 7.利用 FPGA 實現(xiàn)量子算法序列到量子比特操控信號序列的實時生成與組合，使得用戶可以在直接在量子編譯器層面對量子芯片進行編程操作。 

本發(fā)明公開了一種二維層狀二硫化鉬薄膜的光探測器及制備工 藝，光探測器包括從上之下依次排列的電極結構、多個層狀二硫化鉬 薄膜以及襯底；電極結構為電極、主支、分支三部分，相鄰主支之間 和相鄰分支之間的間距為二硫化鉬薄膜的平均大小，起到并聯(lián)二硫化 鉬薄膜、增大光敏面積的作用。二硫化鉬薄膜的生長采用化學氣相沉 積(CVD)的方法，硅片作為襯底，MoO3 粉末作為鉬源，硫粉作為硫源， 通過控制鉬源與襯底之間的間距、硫蒸氣進入反應的時間和反應溫度， 制備得到大面積的層狀二硫化鉬薄膜。使用該方法制備層狀二硫化鉬

本發(fā)明公開了一種二維層狀二硫化鉬薄膜的光探測器及制備工 藝，光探測器包括從上之下依次排列的電極結構、多個層狀二硫化鉬 薄膜以及襯底；電極結構為電極、主支、分支三部分，相鄰主支之間 和相鄰分支之間的間距為二硫化鉬薄膜的平均大小，起到并聯(lián)二硫化 鉬薄膜、增大光敏面積的作用。二硫化鉬薄膜的生長采用化學氣相沉 積(CVD)的方法，硅片作為襯底，MoO3 粉末作為鉬源，硫粉作為硫源， 通過控制鉬源與襯底之間的間距、硫蒸氣進入反應的時間和反應溫度， 制備得到大面積的層狀二硫化鉬薄膜。使用該方法制備層狀二硫化鉬

本技術可以獲取各種單一氧化物和多元氧化物納米薄膜，以及疊層氧化物納米薄膜?？捎糜谔岣呓饘俚目垢g性能以及獲得多種特殊功能，如鐵電性能、磁性能、電致變色、化學催化、超導、光電轉(zhuǎn)換等。 本技術可以獲得Mg、Ca、Sr、Ba、Y、La、Ce、Yb、Ti、Zr、Hf、Ta、Cr、W、Mo、Mn、Fe、Co、Ni、Ir、Pd、Cu、Zn、Cd、Al、In、Si、Sn、Pb等元素的單一氧化物或它們的多元氧化物納米薄膜，厚度<0.2um。氧化物薄膜質(zhì)量優(yōu)于溶膠凝膠法，厚度均勻，根據(jù)需要可以控制厚度膜。先后沉積不同的氧化物薄膜可以獲得疊層氧化物納米薄膜。制備過程簡單，重現(xiàn)性好是本技術的優(yōu)勢。

本發(fā)明涉及一種用于鋰離子電池、超級電容器的高能量密度的碳納米球/NiCo2O4 復合材料及其制備 方法與應用，所述的碳納米球/NiCo2O4 復合材料是粒徑為 100-300nm 的核殼結構納米微球，其內(nèi)層是粒 徑為 50-200nm 的碳納米球，外層是厚度為 20～100nm 的 NiCo2O4 包覆層。其制備方法為：先將粒徑為 50-200nm 的碳納米球與油酸鈉混合后超聲分散均勻；然后加入弱堿、Co2+和 Ni2+，混合均勻后水熱處 理得

碳化硅的工業(yè)生產(chǎn)，國內(nèi)外一直沿用 100 多年前 Acheson 發(fā)明的單爐芯技術，該法能耗高、產(chǎn)品品質(zhì)差、環(huán)境污染大、生產(chǎn)不安全、單爐產(chǎn)量小，因而生產(chǎn)效率低，產(chǎn)品市場競爭力差。高品質(zhì) SiC 新材料市場奇缺，嚴重制約了其在諸多高新技術領域的應用。 1995 年以來，課題組對以往國內(nèi)外 SiC 生產(chǎn)爐的結構、生產(chǎn)技術和工藝進行了全面深入的調(diào)查、經(jīng)多年潛心研究，創(chuàng)立了多熱源多向流合成碳化硅理論體系，發(fā)明了 “ 冶煉碳化硅的多爐芯爐及其生產(chǎn)碳化硅的方法 ” 新技術。該技術獲國家發(fā)明專利授權 1 項，獲西安市科技進步一等獎、陜西省科技進步三等獎以及陜西省職工優(yōu)秀發(fā)明創(chuàng)新成果金獎。已在國內(nèi)陜西、青海、寧夏、新疆、福建等地建成生產(chǎn)線 10 余條，占據(jù)我國 SiC 產(chǎn)能的 1/4 ，創(chuàng)產(chǎn)值 30 億余元，有力地推動了行業(yè)技術進步。

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