新葡京娱乐场-大陆娱乐场开户注册

本發(fā)明公開了一種多導(dǎo)航系統(tǒng)互操作定位方法及系統(tǒng)，包括:(1)基于卡爾曼濾波的定位模型的構(gòu) 建;(2)每次接收機(jī)定位結(jié)束時(shí)，存儲(chǔ)本次定位結(jié)束時(shí)估算的系統(tǒng)間鐘差偏差;(3)每次接收機(jī)定位時(shí)， 若本次定位與上次定位時(shí)間間隔小于預(yù)設(shè)間隔，引入上次定位結(jié)束時(shí)估算的各系統(tǒng)間鐘差偏差，采用定 位模型進(jìn)行定位;(4)每次接收機(jī)定位時(shí)，若本次定位與上次定位時(shí)間間隔不小于預(yù)設(shè)間隔，采用定位 模型實(shí)時(shí)解算各歷元時(shí)刻下各系統(tǒng)間鐘差偏差的變化值，采用定位模型進(jìn)行定位。本發(fā)明可用于多導(dǎo)航 系統(tǒng)組合定位，僅需估計(jì)一個(gè)接收機(jī)鐘差即可進(jìn)行定位解算，從而可解決可視衛(wèi)星數(shù)量較少情況下無(wú)法 定位的問題。

成果簡(jiǎn)介：本項(xiàng)目包括容器類和管道類兩種測(cè)試對(duì)象的泄漏測(cè)試和泄漏點(diǎn)定 位技術(shù)。1） 本項(xiàng)目得到了北京市教委產(chǎn)學(xué)研教育基金、國(guó)家自然科學(xué)基金、 “211 工程”、“985 工程”等基金的資助；2） 研制了系列化的高精度氣密 性檢測(cè)儀；3） 研制了基于紅外圖像處理技術(shù)進(jìn)行泄漏點(diǎn)檢測(cè)及定位的裝置；4）研制了多種主要針對(duì)汽車變速器/離合器殼體的高效率、高精度在線式自 動(dòng)試漏機(jī)，滿足了當(dāng)前實(shí)際生產(chǎn)需要，并取得了較大的經(jīng)濟(jì)

XM-616大腦皮質(zhì)功能定位模型 ? XM-616大腦皮質(zhì)功能定位模型可拆分為2部件，大腦作正中矢狀切面，左側(cè)大腦半球作水平切面，并剖開顳葉顯示間腦，小腦作矢狀剖面，按不同功能部位進(jìn)行定位，并用顏色加以區(qū)別。 尺寸：自然大，21.5×17×14cm 材質(zhì)：PVC材料

產(chǎn)品詳細(xì)介紹納米定位臺(tái)納米定位臺(tái)  電話：0451-86268790  芯明天科技——壓電納米定位行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者！產(chǎn)品定制服務(wù)我們更專業(yè)！每年參加展會(huì)：LASER World of PHOTONICS CHINA慕尼黑上海光博會(huì)、北京光電周ILOPE、深圳光博會(huì)CIOE。哈爾濱芯明天科技有限公司專業(yè)致力于壓電納米定位系統(tǒng)的研發(fā)生產(chǎn)與銷售。十余年的行業(yè)經(jīng)驗(yàn)、專業(yè)的研發(fā)團(tuán)隊(duì)、雄厚的研發(fā)實(shí)力、完善的管理體系、可靠的品質(zhì)保障為您提供最佳壓電納米定位技術(shù)解決方案！主營(yíng)產(chǎn)品包括壓電陶瓷材料、壓電陶瓷片、疊堆壓電陶瓷、精密壓電促動(dòng)器、壓電馬達(dá)、壓電直線電機(jī)、納米定位臺(tái)、壓電納米定位臺(tái)、微米納米定位臺(tái)、壓電平移臺(tái)、壓電運(yùn)動(dòng)臺(tái)、壓電位移臺(tái)、壓電平移臺(tái)、1-3維納米精度偏轉(zhuǎn)臺(tái)/旋轉(zhuǎn)臺(tái)、壓電偏轉(zhuǎn)鏡、壓電物鏡定位器、六自由度并聯(lián)機(jī)構(gòu)、壓電陶瓷驅(qū)動(dòng)電源、壓電陶瓷驅(qū)動(dòng)器、壓電陶瓷驅(qū)動(dòng)電源、電感/電容/激光測(cè)微儀等產(chǎn)品，同時(shí)提供壓電點(diǎn)膠閥維修服務(wù)等。納米定位臺(tái)是以壓電陶瓷作為驅(qū)動(dòng)源，結(jié)合柔性鉸鏈機(jī)構(gòu)實(shí)現(xiàn)X軸、Y軸、XY軸、XYZ軸精密運(yùn)動(dòng)的平臺(tái)，驅(qū)動(dòng)形式包括壓電陶瓷直驅(qū)式與機(jī)構(gòu)放大式兩種，運(yùn)動(dòng)范圍最大可達(dá)110μm, 具有體積小、無(wú)摩擦、響應(yīng)速度快等特點(diǎn)，配置高精度傳感器，可以實(shí)現(xiàn)納米級(jí)分辨率、定位精度具有極高的可靠性，壓電平移臺(tái)在精密定位領(lǐng)域中發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。P66.XYZ 壓電納米定位臺(tái)為壓電陶瓷直驅(qū)機(jī)構(gòu)壓電平臺(tái)，采用柔性鉸鏈結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)具有無(wú)摩擦、無(wú)反彈、響應(yīng)速度快等特點(diǎn)，最大運(yùn)動(dòng)行程110μm，分辨率可達(dá)0.1nm，定位精度實(shí)現(xiàn)納米級(jí)，可通過自由組合成二維、三維壓電納米定位臺(tái)。特點(diǎn)：柔性鉸鏈結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，無(wú)摩擦無(wú)反彈最大行程110μm開環(huán)與閉環(huán)版本可選FEA有限元分析優(yōu)化產(chǎn)品性能可組合成二維、三維納米定位臺(tái)應(yīng)用：光纖拉伸/端面檢測(cè)/對(duì)接  硬盤測(cè)試  電化學(xué)加工 3D錫膏檢測(cè)  精密定位 顯微成像   哈爾濱芯明天科技有限公司致力于壓電納米定位產(chǎn)品的研發(fā)、生產(chǎn)與銷售，主要服務(wù)于制造高端精密設(shè)備的的客戶。自2004年起，經(jīng)過十多年的快速發(fā)展，公司已獲得高新企業(yè)認(rèn)定，獲得產(chǎn)品相關(guān)專利以及軟件著作權(quán)、全部產(chǎn)品擁有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)、公司產(chǎn)品已覆蓋全國(guó)各地知名高校、科研院所以及高端精密設(shè)備制造企業(yè)，并遠(yuǎn)銷歐、美、日、韓等地。公司與中國(guó)高科技企業(yè)、國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室建立了合作伙伴關(guān)系，已經(jīng)成為中國(guó)最專業(yè)的精密定位產(chǎn)品生產(chǎn)商。 更多信息，請(qǐng)?jiān)L問芯明天官網(wǎng)  www.coremorrow.com 或撥打電話：0451-86268790/17051647888 哈爾濱芯明天科技有限公司產(chǎn)品已廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體技術(shù)、光電子、通信與集成光學(xué)、光學(xué)儀器設(shè)備、醫(yī)療生物顯微設(shè)備、生命科學(xué)、精密加工設(shè)備、新藥設(shè)計(jì)與醫(yī)療技術(shù)、數(shù)據(jù)存儲(chǔ)技術(shù)、納米技術(shù)、納米制造與納米自動(dòng)化、航空航天、圖像處理等領(lǐng)域。芯明天正在為中國(guó)的工業(yè)自動(dòng)化、國(guó)防、航天事業(yè)的發(fā)展貢獻(xiàn)著自己的力量。

本發(fā)明公開了一種高速無(wú)位置傳感器開關(guān)磁阻電機(jī)的控制方法及其系統(tǒng)，針對(duì)勵(lì)磁相相電流的峰值時(shí)刻會(huì)與轉(zhuǎn)子到達(dá)該勵(lì)磁相定轉(zhuǎn)子齒交疊點(diǎn)位置時(shí)刻之間存在偏移量的實(shí)際情況，對(duì)傳統(tǒng)的相電流梯度法中將勵(lì)磁相相電流峰值時(shí)刻直接作為該勵(lì)磁相定轉(zhuǎn)子齒交疊點(diǎn)位置時(shí)刻的方法加以修正，以得到該勵(lì)磁相正確的定轉(zhuǎn)子齒交疊點(diǎn)位置,從而更加準(zhǔn)確地估算出開關(guān)磁阻電機(jī)勵(lì)磁相的關(guān)斷時(shí)刻和下一勵(lì)磁相的開通時(shí)刻，實(shí)現(xiàn)更為精準(zhǔn)地高速無(wú)位置傳感器開關(guān)磁阻電機(jī)控制。

本發(fā)明公開了一種無(wú)位置傳感器的無(wú)刷雙饋發(fā)電機(jī)輸出頻率控 制方法。該方法不依賴于位置傳感器，也無(wú)需知道無(wú)刷雙饋發(fā)電機(jī)的 各種參數(shù)，利用采集到的無(wú)刷雙饋發(fā)電機(jī)的功率繞組的電壓實(shí)現(xiàn)對(duì)轉(zhuǎn) 速的辨識(shí)，避免了位置傳感器帶來的一系列問題，能對(duì)無(wú)刷雙饋發(fā)電 機(jī)的輸出頻率進(jìn)行有效控制；在需要無(wú)刷雙饋發(fā)電機(jī)和外電網(wǎng)并網(wǎng)使 用時(shí)，也能在無(wú)位置傳感器的情況下順利完成并車過程；由于無(wú)刷雙 饋發(fā)電系統(tǒng)本身就需要采集無(wú)刷雙饋發(fā)電機(jī)的功率繞組的電壓構(gòu)成電 壓閉環(huán)以實(shí)現(xiàn)對(duì)無(wú)刷雙饋發(fā)電機(jī)輸出電壓幅值的有效控制，本發(fā)明不僅能有效削減位置

研究背景 芯片是人類最偉大的發(fā)明之一，也是現(xiàn)代電子信息產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)和核心。小到手機(jī)、電腦、數(shù)碼相機(jī)，大到6G、物聯(lián)網(wǎng)、云計(jì)算均基于芯片技術(shù)的不斷突破。半導(dǎo)體光刻工藝水平的發(fā)展是以芯片為核心的電子信息產(chǎn)業(yè)的基石，目前半導(dǎo)體光刻的制造工藝幾乎是摩爾定律的物理極限。隨著制造工藝的越來越小，芯片內(nèi)晶體管單元已經(jīng)接近分子尺度，半導(dǎo)體制作工藝的“瓶頸效應(yīng)”越來越明顯。隨著全球化以及科技的高速發(fā)展，急劇增長(zhǎng)的龐大數(shù)據(jù)量要求數(shù)據(jù)處理模型和算法結(jié)構(gòu)不斷優(yōu)化升級(jí)，帶來的結(jié)果就是對(duì)計(jì)算能力和系統(tǒng)功耗的要求不斷提高。而目前智能電子設(shè)備大多存在傳輸瓶頸、功耗增加以及計(jì)算力瓶頸等現(xiàn)象，已越來越難以滿足大數(shù)據(jù)時(shí)代對(duì)計(jì)算力與功耗的需求，因此提高運(yùn)算速度同時(shí)降低運(yùn)算功耗是目前信息工業(yè)界面臨的緊要問題。 如當(dāng)年集成電路開創(chuàng)信息時(shí)代一樣，當(dāng)下已經(jīng)普及的光通信正在成為新革命力量的開路先鋒。與此同時(shí)，光子芯片正在從分立式器件向集成光路演進(jìn)，光子芯片向小型化、集成化的發(fā)展趨勢(shì)已是必然。相對(duì)于電子驅(qū)動(dòng)的集成電路，光子芯片有超高速率，超低功耗等特點(diǎn)，利用光信號(hào)進(jìn)行數(shù)據(jù)獲取、傳輸、計(jì)算、存儲(chǔ)和顯示的光子芯片，具有非常廣闊的發(fā)展空間和巨大的潛能。 項(xiàng)目功能 本項(xiàng)目瞄準(zhǔn)光通信關(guān)鍵技術(shù)及核心芯片，基于量子阱二極管發(fā)光探測(cè)共存現(xiàn)象，探索關(guān)鍵微納制造技術(shù)，研制出可以同時(shí)實(shí)現(xiàn)通信、感知功能的一體化光電子芯片。 技術(shù)路線 一、技術(shù)原理及可行性 本項(xiàng)目主要負(fù)責(zé)人王永進(jìn)教授發(fā)現(xiàn)如圖1所示的量子阱二極管發(fā)光探測(cè)共存現(xiàn)象，首次研制出同質(zhì)集成發(fā)射、傳輸、調(diào)制和接收器件的光電子芯片，這些原創(chuàng)工作引起了業(yè)界相關(guān)科研小組地廣泛關(guān)注，化合物半導(dǎo)體同質(zhì)集成光電子芯片成為研究熱點(diǎn)。香港大學(xué)的蔡凱威小組和申請(qǐng)人合作提出濕法刻蝕和激光選擇性剝離技術(shù)，在藍(lán)寶石氮化物晶圓上實(shí)現(xiàn)LED基同質(zhì)集成光電子芯片(Optica 5, 564-569 (2018))。沙特阿卜杜拉國(guó)王科技大學(xué)Ooi教授和美國(guó)加州大學(xué)圣巴巴拉分校Nakamura教授小組在藍(lán)寶石氮化物晶圓上，研制出基于氮化物激光器的同質(zhì)集成光電子芯片(Opt. Express 26, A219(2018))。中科院蘇州納米所孫錢小組在硅襯底氮化物晶圓上，研制出基于氮化物激光器的同質(zhì)集成光電子芯片(IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron. 24, 8200305 (2018))。在NRZ-OOK調(diào)制方式下，InGaN/GaN量子阱二極管可實(shí)現(xiàn)Gbps的光發(fā)射、調(diào)制和探測(cè)速率(Appl. Phys. Express 13, 014001 (2020))。這些工作表明研發(fā)基于光子傳輸?shù)幕衔锇雽?dǎo)體同質(zhì)集成光電子芯片以實(shí)現(xiàn)片上光子通信是可行的。   二、總體結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)及工藝流程 本項(xiàng)目提出的同時(shí)通信/感知一體化光電子芯片基于常規(guī)的藍(lán)寶石襯底氮化鎵基多量子阱LED外延片進(jìn)行設(shè)計(jì)，無(wú)需特殊定制的外延結(jié)構(gòu)。以典型的2寸氮化鎵基藍(lán)光LED外延片為例，其外延片結(jié)構(gòu)如圖2所示，從下至上依次為藍(lán)寶石襯底、AlGaN緩沖層、未摻雜GaN層、N型GaN層、InGaN/GaN多量子阱層和P型GaN層，通過調(diào)節(jié)InGaN/GaN多量子阱層的參數(shù)（層厚度與In的比例等等）可制備具有不同中心波長(zhǎng)的光源器件。   圖3為本項(xiàng)目所提出的同時(shí)通信/感知一體化光電子芯片結(jié)構(gòu)。在藍(lán)寶石襯底的氮化物晶圓上通過刻蝕和沉積等一系列晶圓級(jí)微納加工技術(shù)，制備出單片集成的InGaN/GaN多量子阱LED和PD。光子芯片的P、N電極可以采用倒裝技術(shù)直接與基板相連，光線從透明的藍(lán)寶石襯底發(fā)出，這樣不僅使得器件具有優(yōu)良的電性能和熱特性而且簡(jiǎn)化了其后期的封裝工藝。 三、技術(shù)創(chuàng)新優(yōu)勢(shì) 1、同一塊晶圓上集成LED和PD使得兩者間距離大大縮短，不僅有助于增強(qiáng)PD對(duì)藍(lán)寶石表面反射光線的耦合，提升感知系統(tǒng)性能，而且縮小了器件整體外形，符合集成電子器件小型化、便攜化的發(fā)展趨勢(shì)； 2、單片集成的LED和PD器件相比于傳統(tǒng)異質(zhì)的、分立的LED和PD簡(jiǎn)化了封裝形式和工藝，不再需要對(duì)LED和PD進(jìn)行單獨(dú)的封裝，而且同質(zhì)集成器件的基板也較異質(zhì)結(jié)構(gòu)的簡(jiǎn)單統(tǒng)一，極大地縮短了集成系統(tǒng)的制作周期； 3、同時(shí)通信/感知一體化光電子芯片采用相同的工藝就可以制作出LED和PD，簡(jiǎn)化了生長(zhǎng)異質(zhì)材料的復(fù)雜性，縮短了器件流片的周期，使用同一工藝就可將LED和PD進(jìn)行批量生產(chǎn)，有效地降低了生產(chǎn)成本。 四、實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證 本項(xiàng)目團(tuán)隊(duì)所在的Peter Grünberg研究中心擁有完整的LED器件制備、光電性能測(cè)試與電學(xué)性能測(cè)試平臺(tái)，并且項(xiàng)目成員積累了豐富的測(cè)試技術(shù)與經(jīng)驗(yàn)，能夠滿足本項(xiàng)目的同時(shí)通信/感知一體化光電子芯片測(cè)試同時(shí)表征光電參數(shù)與電學(xué)參數(shù)的需求。下圖4所示為器件形貌表征圖，從左邊依次是掃描電鏡圖、光鏡圖、原子力顯微鏡圖。   基于通信感知一體化芯片，本項(xiàng)目利用單個(gè)多功能集成器件成功實(shí)現(xiàn)了對(duì)人體脈搏的監(jiān)測(cè)功能，如圖5所示。   另外基于通信感知一體化氮化鎵光電子芯片，我們還實(shí)現(xiàn)了照明、成像和探測(cè)功能為一體的LED陣列系統(tǒng)，如圖6所示。該系統(tǒng)可以在點(diǎn)亮照明的同時(shí)，實(shí)現(xiàn)對(duì)外界光信號(hào)的探測(cè)與感知，通過后端系統(tǒng)處理后，再將信息通過陣列顯示出來，實(shí)現(xiàn)多種功能的集成。 項(xiàng)目負(fù)責(zé)人王永進(jìn)教授是國(guó)家自然基金委優(yōu)秀青年項(xiàng)目、國(guó)家973項(xiàng)目獲得者，他以第一或通訊作者身份在Light-Sci Appl.等主流學(xué)術(shù)期刊發(fā)表一系列高質(zhì)量研究論文，獲授權(quán)中國(guó)發(fā)明專利23項(xiàng)，美國(guó)發(fā)明專利2項(xiàng)，被National Science Review、Semiconductor Today等做9次專題報(bào)道，榮獲2019年中國(guó)電子學(xué)會(huì)科學(xué)技術(shù)獎(jiǎng)（自然科學(xué)）、2019年南京市十大重大原創(chuàng)成果獎(jiǎng)等。