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產(chǎn)品詳細(xì)介紹提詞器的反射屏為TFT液晶平板顯示器。  進(jìn)口超薄介質(zhì)光學(xué)玻璃。  圖象鮮艷，分辯率高：1024*768。  廣視角：水平140°垂直130°。  在很亮的演播室環(huán)境下圖象也很清楚。  高對比度視頻電路設(shè)計(jì)，可達(dá)150：1。  顯示屏可以直接倒像，軟件設(shè)計(jì)字體無需倒象。  超大20寸顯示屏 單獨(dú)三角架支撐，與攝像機(jī)三腳架分離，移動，調(diào)整拆卸，攜帶更方便靈巧。 軟件與WINDOWSXP，2000相適應(yīng)，應(yīng)用方便,操作靈活。  

XM-HL5高級全功能創(chuàng)傷護(hù)理人 ? XM-HL5高級全功能創(chuàng)傷護(hù)理人模型是在XM-HL1高級全功能護(hù)理訓(xùn)練模擬人的功能基礎(chǔ)上進(jìn)行升級，除了XM-HL1型的全部功能外，還增加了創(chuàng)傷護(hù)理功能，創(chuàng)傷模塊具有模擬出血等功能特點(diǎn)，增加了現(xiàn)場創(chuàng)傷處理及護(hù)理培訓(xùn)的真實(shí)感。 ? 一、創(chuàng)傷功能： ■ 面部燒傷Ⅰ Ⅱ Ⅲ度 ■ 前額撕裂傷口 ■ 頜前創(chuàng)傷口 ■ 鎖骨開放性骨折與胸膛挫傷 ■ 腹部創(chuàng)傷伴有小腸突露 ■ 右上臂肱骨開放性骨折 ■ 右手開放性骨折、軟組織撕裂傷口、骨組織暴露 ■ 右手掌槍彈傷口 ■ 右大腿股骨開放性骨折 ■ 右大腿復(fù)合型股骨骨折 ■ 右大腿金屬異物刺傷 ■ 左大腿開放性骨折 ■ 右足開放性骨折右小指截?cái)鄤?chuàng)傷 ■ 左前臂燒傷Ⅰ Ⅱ Ⅲ度 ■ 左大腿截?cái)鄤?chuàng)傷 ■ 胸壁切開縫合傷口護(hù)理 ■ 大腿外傷切開縫合傷口護(hù)理（消毒、清洗、縫合） ■ 大腿皮膚裂傷護(hù)理（消毒、清洗） ■ 大腿感染性潰瘍護(hù)理（消毒、清洗、換藥） ■ 足壞疽、第1、2、3足趾和足跟壓瘡護(hù)理 ■ 上臂截肢殘端傷口護(hù)理（供包扎訓(xùn)練） ■ 小腿截肢殘端傷口護(hù)理（供包扎訓(xùn)練） ? 二、護(hù)理功能： ■ 四肢關(guān)節(jié)靈活度逼真，可模擬關(guān)節(jié)僵硬，軀干部可前傾，可坐輪椅。 · 軀干：屈伸 · 頸部：屈伸、側(cè)轉(zhuǎn) · 肩部和髖部：內(nèi)收、外展、屈伸 · 肘部：旋內(nèi)、旋外、屈伸 · 膝部：屈伸 · 腕部：屈伸 · 踝部：旋內(nèi)、旋外、背屈、跖屈 ■ 可實(shí)現(xiàn)多種體位：去枕平臥位、屈膝仰臥位、半坐臥位、端坐位、俯臥位、頭低足高位、頭高足低位、側(cè)臥位、截石位、昏迷體位等，滿足操作需要。 ■ 可進(jìn)行床上擦浴及更衣，扶助病人移向床頭法、輪椅使用法、平車運(yùn)送法、擔(dān)架運(yùn)送法等移動和搬運(yùn)病人法、軸線翻身法，肢體約束法、肩部約束法、全身約束法等操作。 ■ 臉部清潔：面部皮膚可擦拭清潔。 ■ 瞳孔觀察示教：一側(cè)瞳孔散大、一側(cè)瞳孔正常。 ■ 耳部護(hù)理：可進(jìn)行耳廓、外耳道的清洗。 ■ 口腔護(hù)理: 可進(jìn)行正?？谇患把例X護(hù)理。 ■ 可進(jìn)行氣管切開術(shù)后護(hù)理。 ■ 可進(jìn)行吸痰術(shù)練習(xí)。 ■ 氧氣吸入法：鼻孔內(nèi)可插入吸氧管，練習(xí)氧氣吸入的操作過程。 ■ 霧化吸入療法：可練習(xí)霧化吸入的操作過程。 ■ 鼻飼術(shù)：托起頭部使下頜靠近胸骨柄實(shí)現(xiàn)昏迷病人的鼻飼，具有真實(shí)大小的胃，可容納250ml的液體，胃管插入45-55cm時(shí)，可以抽出模擬胃液。 ■ 洗胃術(shù)：可經(jīng)口、鼻進(jìn)行洗胃器洗胃、電動吸引器洗胃、胃管洗胃、洗胃機(jī)洗胃，胃容量約為200ml。 ■ 手臂靜脈穿刺、注射、輸液（血）：可使用不同類型的穿刺針，正確穿刺時(shí)落空感明顯并有回血產(chǎn)生，可進(jìn)行靜脈輸液（血）練習(xí)，靜脈血管和皮膚均可更換，操作方便，經(jīng)濟(jì)實(shí)用。 ■ 上臂三角肌皮下注射：可注入真實(shí)液體，注射模塊可取下清洗，并可更換。 ■ 臀部肌肉注射：可注入真實(shí)液體，注射模塊可取下清洗，并可更換。 ■ 股外側(cè)肌肉注射：可注入真實(shí)液體，注射模塊可取下清洗，并可更換。 ■ 男性導(dǎo)尿術(shù)：可取仰臥屈膝位，兩腿外展后可獨(dú)立支撐，男性陰莖可提起與腹壁成60度角，插管時(shí)可真實(shí)感受男性尿道的三個(gè)狹窄、兩個(gè)彎曲，操作成功后可導(dǎo)出模擬尿液。 ■ 女性導(dǎo)尿術(shù)：可取仰臥屈膝位，兩腿外展后可獨(dú)立支撐，女性尿道充分體現(xiàn)短、粗、直，具有尿道口、陰道口、陰蒂等解剖結(jié)構(gòu)，操作成功后可導(dǎo)出模擬尿液。 ■ 留置尿管和膀胱沖洗術(shù)。 ■ 造瘺口護(hù)理：腹壁有回腸造瘺口和結(jié)腸造瘺口，內(nèi)連集液瓶，可進(jìn)行造瘺口護(hù)理。 ■ 灌腸操作訓(xùn)練：可實(shí)現(xiàn)大量不保留灌腸、小量不保留灌腸、清潔灌腸和保留灌腸等多種灌腸方式。 ■ 壓瘡護(hù)理：顯示壓瘡的臨床分期4個(gè)不同階段，同時(shí)顯示壓瘡和各種病理表現(xiàn)：壓瘡炎癥、潰瘍、竇道、腐肉、壞死、焦痂等，可進(jìn)行傷口的評估、測量與清洗。 · 第一期：淤血紅潤期。 · 第二期：炎癥浸潤期。 · 第三期：淺度潰瘍期。 · 第四期：壞死潰瘍期。 ■ 可練習(xí)手指、足趾的包扎。 ■ 其他護(hù)理操作：冷熱療法護(hù)理、外陰擦洗、外陰濕熱敷、尿道沖洗、床上擦浴、座式擦浴、穿換衣服等多項(xiàng)護(hù)理操作。

XM-YEH高級嬰兒護(hù)理人模型又稱為高級嬰兒護(hù)理模擬人和組合式新生兒護(hù)理模型，是由我公司開發(fā)研制的高級型兒科護(hù)理學(xué)基礎(chǔ)主要護(hù)理操作功能的模型，高級嬰兒護(hù)理模擬人由塑膠材料經(jīng)不銹鋼模具澆注工藝制成，具有形象逼真、操作真實(shí)、機(jī)構(gòu)標(biāo)準(zhǔn)、經(jīng)久耐用等特點(diǎn)，還可以拆裝分部件進(jìn)行局部功能教學(xué)訓(xùn)練。 一、模型功能： 1、模型頭頸部、四肢自由活動，男嬰/女嬰胸皮可更換； 2、可進(jìn)行嬰兒頭皮靜脈穿刺訓(xùn)練； 3、可進(jìn)行臍帶靜脈穿刺訓(xùn)練； 4、可進(jìn)行嬰兒口鼻插管護(hù)理訓(xùn)練； 5、可進(jìn)行洗胃、灌腸、導(dǎo)尿護(hù)理訓(xùn)練； 6、可進(jìn)行造瘺引流術(shù)訓(xùn)練； 7、可進(jìn)行三角肌、臀部肌肉注射訓(xùn)練； 8、整體護(hù)理：洗澡、哺乳、更換衣物、尿片更換。 二、標(biāo)準(zhǔn)配置： 1、高級嬰兒護(hù)理模擬人：1臺； 2、可更換胸皮：1張； 3、防塵操作墊：1條； 4、豪華手提式鋁塑箱：1個(gè)； 5、說明書：1份； 6、保修卡：1份； 7、合格證：1份。 分享到：

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建設(shè)專業(yè)的工業(yè)機(jī)器人實(shí)訓(xùn)室，培養(yǎng)高質(zhì)量的機(jī)器人工程/智能制造等專業(yè)人才。 提高機(jī)器人工程/智能制造等專業(yè)建設(shè)水平，提升高校技術(shù)服務(wù)層次和能級。 提供充足的專業(yè)師資，形成系統(tǒng)化的課程體系。 更新企業(yè)級教學(xué)資源、實(shí)驗(yàn)資源和項(xiàng)目案例，滿足企業(yè)用人需求。

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成果與項(xiàng)目的背景及主要用途： Cr-Si 中高阻膜電阻器具有精度高、噪聲低、溫度系數(shù)小、耐熱性和穩(wěn)定性 好等優(yōu)點(diǎn)，在精密電子設(shè)備和混合集成電路中大量采用。對于濺射制備電阻膜來 說，靶材是至關(guān)重要的，它制約著金屬膜電阻器的電阻率、精度、可靠性、電阻 溫度系數(shù)（Temperature Coefficient of Resistance, TCR）等性能。電阻溫度系數(shù) (TCR)是金屬膜電阻器的一個(gè)重要性能技術(shù)指標(biāo)之一，較大的 TCR 在溫度變化時(shí) 會造成電阻值漂移，從而影響電阻器的精度和穩(wěn)定性。目前國內(nèi)外生產(chǎn)的金屬膜 電阻器用高阻靶材，其性能不能滿足低 TCR（≤25ppm/℃）要求。 技術(shù)原理與工藝流程簡介： 靶材煉制工藝如下圖所示所制備的靶材(382 mm ×128 mm ×14 mm)在濺射成電阻器薄膜后, 電阻溫度 系數(shù)小(≤25 ×10-6 / ℃), 電阻值高(要求不刻槽數(shù)量級為千歐, 刻槽后數(shù)量級為 兆歐)且穩(wěn)定(隨時(shí)間變化小), 因此, 在本靶材研究中, 將選擇 Cr 、Si 作為高阻 靶材的主體材料。由于 C r 、Si 熔點(diǎn)高, 原子移動性低, 因此由其所組成的薄膜 穩(wěn)定性高。通過在金屬 C r 中引入半導(dǎo)體材料 Si 來提高電阻器合金膜的阻值。 C r 是很好的吸收氣體的金屬元素, 在電阻器薄膜濺射過程中, 可通過通入微量 的氧來提高薄膜的電阻率, 同時(shí)調(diào)節(jié)電阻溫度系數(shù)。 技術(shù)指標(biāo)如下： 溫度沖擊實(shí)驗(yàn)后 ΔR/R ≤±0 .5 %, 過載實(shí)驗(yàn)后 ΔR/R ≤±0 .5 %, 壽命實(shí)驗(yàn)后 ΔR/R ≤±1 .0 %,電阻溫度系數(shù) TCR ≤±20 ×10-6 / ℃。 應(yīng)用領(lǐng)域： 集成電路、電子元器件 合作方式及條件：具體面議 2 半導(dǎo)體微環(huán)激光器 3 基光電集成電路 4 無線網(wǎng)絡(luò)與應(yīng)用：協(xié)作無線網(wǎng)絡(luò) 5 移動通信—LTE 技術(shù)