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本發明公開了一種基于激光測距傳感器的便攜式二維隨動激光 測量裝置，其包括水平移動組件、豎直移動組件和控制系統組件，水 平移動組件包括水平移動滑臺和驅動其作水平運動的步進電機，水平 移動滑臺上安裝有水平光柵尺；豎直移動組件包括豎直升降滑臺和激 光測距傳感器，豎直升降滑臺固定在水平移動滑臺上，其由步進電機 驅動作豎直運動，其上安裝有豎直光柵尺；激光測距傳感器固定在豎 直升降滑臺的運動端；控制系統組件用于控制水平移動滑臺和豎直升 降滑臺的運動，并處理激光測距傳感器、水平光柵尺和豎直光柵尺反 饋的距離數據。

金華市弗洛雷斯科教儀器有限公司，創建于2007年，并在2012年成立了金華力拓鋼柜分公司。是一家實驗室工程材料及家具的源頭代工廠，專為實驗室工程商批量化、定制化加工各種品類、材質的實驗室工程材料及家具。經過多年的發展，公司已擁有員工1000余人，標準廠房120畝，6個生產基地，下設通風1部、通風2部、鋼柜1部、鋼柜2部、鋼木1部、鋼木2部、臺面部、PP部、不銹鋼部、高柜部、配件部等10多個生產部門。 ◆    強大的生產實力鑄就了弗洛雷斯的可靠質量 公司目前已擁有數控激光切割機15臺、數控折彎機50臺、數控雕刻機20臺、大型全自動噴涂流水線4條、大型板式數控加工中心、電焊機器人等設備及鋼卷開平、理化板制板、PP板制板、塑粉制造、玻璃鋼化、大中型注塑機等輔助加工設備。加工材質包括鈑金類、板式類、管材類、PP類、不銹鋼類、玻璃鋼類、鋁材類、陶瓷板類、注塑類等類別。加工品類涵蓋實驗臺、臺面、通風柜、大型通風房、桌面排風、頂排風、藥品柜、器皿柜、標本柜、酸堿柜、毒害品柜、氣瓶柜、貨架、試劑架、風機風閥、管道、噴淋塔、鋁材、水、氣、電、智能通風控制系統其它配套件等20余大類200余種及其品類的深度客制化延伸。弗洛雷斯自主開發了實驗室規劃布局軟件的應用及搭建了全套效果圖布局軟件產品模型、實驗室產品CAD圖庫，為廣大工程商進行快速實驗室規劃布局提供了條件。 ◆    嚴苛的質量管理成就了弗洛雷斯的行業地位 嚴格進行質量管理，及時引進先進設備，加大投入，立足當下，著眼未來，穩步發展，不斷邁向全國，致力于為實驗室工程商快速提供可靠的產品和服務。從創建之初，在提高產能的同時，不斷進行技術創新。目前公司的數控激光切割中心、全自動噴涂中心、大型板式數控加工中心、機器人焊接中心均已處于行業的領先地位。公司生產線的全面化也培養出了大批行業精英，熟練產線操作工，為公司產品的質量保駕護航。 ◆    獨特區域優勢為弗洛雷斯的配送網絡插上翅膀 強大的生產基地坐落于浙江省交通樞紐中心金華市，依托于其下轄的義烏全國物流園，直達貨車遍布全國，南到三亞、西到喀什、北到黑河。班次多，運費低。華東、華南、華中、華北地區均能夕發朝至。西南、西北、東北地區隔2日達。 各部門按工程訂單快速分類生產，實現短周期交貨，標準件下單后少則1-2天，多則3-5天發貨。同時實現非標件7-8天內發貨。交貨時效遠遠高于同行業標準。 ◆   服務優先，誠信為本 公司將不斷開拓進取，緊跟時代步伐,集思廣益,領航國內實驗室家具材料配套行業,獨樹專業材料配套超市,創建一站式供應方式,為工程商節省時間成本。我們將與全球實驗室工程建設者們攜手，穩步、持續、健康的共同發展。

本發明公開了一種有源電子式互感器的供能激光器在線壽命直 接監測方法，包括如下步驟：(1)判斷激光器工作狀態；(2)獲取激光器 工作狀態下的工作電流值；(3)異常點處理；(4)低通濾波處理；(5)建立 關聯模型；(6)評估激光器老化壽命。本發明通過實時采集獲取被監測 供能激光器所在的合并單元的供電電源的電流值，并結合合并單元供 電電源電流與供能激光器工作電流之間的關聯模型，以實現對供能激 光器正常老化壽命的直接在線監測，填補了電子式電流互感器正常老 化壽命在線監測技術領域的空白，具有可靠性高，且對環境

北京大學“極端光學創新研究團隊”發展了一種高精度的暗場光學成像定位技術(位置不確定度僅21 nm)，并結合電子束套刻工藝，實現了片上量子點微盤激光器與銀納米線表面等離激元波導的精確、并行、無損集成。這種微盤-銀納米線復合結構同時具有介質激光器與表面等離激元波導的優勢，因此不僅具有介質激光器的低閾值與窄線寬特性，而且具有表面等離激元波導的深亞波長場束縛特性。基于這種靈活、可控的制備方法，他們實現了片上微盤激光器與表面等離激元波導間多種形式的精確可控集成，包括切向集成、徑向集成以及復雜集成，并且對量子點無任何加工損傷；進一步，通過同時集成多個片上微盤激光器與多個銀納米線表面等離激元波導，他們獲得了多模、單色單模以及雙色單模的深亞波長(0.008λ2)相干輸出光源。這些高性能的深亞波長相干輸出光源可以容易地耦合并分配至其它深亞波長表面等離激元光子器件和回路中。因此，這種靈活、可控的精確集成方法在高集成密度的光子-表面等離激元復合光子回路中具有重要應用，并且這種方法可以拓展到其它材料和其它功能的微納光子器件集成中，為未來光子芯片的實現提供了一種可行的解決方案。  該工作于2018年5月發表在Advanced Materials上(Advanced Materials 2018, 30, 1706546)，并以卷首插畫(Frontispiece)的形式予以重點報道。文章的第一作者為北京大學物理學院博士研究生容科秀，陳建軍研究員為通訊作者。該研究工作得到了國家自然科學基金委、科技部、人工微結構和介觀物理國家重點實驗室、量子物質科學協同創新中心和極端光學協同創新中心等的支持。 圖1. 片上膠體量子點微盤激光器與銀納米線表面等離激元波導的精確、并行、無損集成。

成果簡介本項目在國家973計劃、863計劃等研究成果基礎上，跟蹤國際趨勢，形成9**nm 大功率單發光條半導體激光器，輸出功率大于12W，壽命1萬小時。主要優勢：（1 ）填補國內空白。（2 ）易于光纖耦合。（3 ）多種波長可選。應用簡介所處研發階段：中試階段適合應用領域：直接光加工、

本發明公開了一種雙波長可調諧半導體激光器，該激光器包括 有源區、相位區和光柵區；從下往上依次附著有第一緩沖層、有源層 和第一覆蓋層，第一緩沖層、有源層和第一覆蓋層構成了有源區；從 下往上依次附著有第二緩沖層、波導層和第二覆蓋層，第二緩沖層、 波導層和第二覆蓋層構成了相位區；從下往上依次附著有第三緩沖層、 光柵層和第三覆蓋層，第三緩沖層、光柵層和第三覆蓋層構成了相位 區；在第一覆蓋層的上表面設有第一電極，在第二覆蓋層的

5G新基建是國家的重要發展戰略，寬溫高可靠的25Gb/s DFB(分布反饋)激光器芯片是5G光傳輸核心光芯片，也是當前5G建設的卡脖子問題之一。自主可控的5G光模塊DFB激光器芯片對解決光通信“空芯化”問題，推進“中國芯”國家重大戰略實施，保障我國通信基礎設施安全具有重要的經濟和社會效益。因DFB激光器的微分增益隨溫度上升迅速下降，常規的DFB激光器面臨嚴重的高溫高帶寬瓶頸。面對5G應用要求的-40~85℃的寬溫應用場景，常規DFB激光器芯片往往是超頻運行，嚴重影響可靠性。因此，研制全國產寬溫25Gb/s DFB激光器芯片，同時兼顧低成本高可靠需求對推進“中國芯”國家重大戰略實施具有重要意義。 本成果創新性地提出一種溝中溝脊波導DFB激光器結構，相比較常規DFB激光器，在脊兩側對稱的刻蝕兩個溝槽。此結構可抑制注入載流子的橫向擴散，提高對光場的束縛，提高芯片帶寬，滿足芯片高速工作需要。芯片的高溫輸出光功率大于10mW，單模抑制比大于40dB，實測寬溫25Gb/s眼圖及誤碼率均達到商用需求。同時，相比較常規芯片，其制作過程只需多加一步簡單的刻蝕，無需二次外延，成本低，做了2000小時的老化試驗，其功率變化小于0.5%，具有高可靠性。 圖1（a）常規DFB激光器芯片截面圖（b）新型溝中溝脊波導DFB激光器芯片截面圖（c）新型溝中溝脊波導DFB激光器芯片概圖（d）（e）（f）分別為常規芯片、溝脊距為2μm、溝脊距為6μm SEM圖 圖2（a）（b）（c）25℃、55℃和85℃下不同溝脊距與常規芯片響應曲線對比（d）25℃、55℃和85℃下不同溝脊距與常規芯片響應帶寬對比，帶寬可提高3GHz 25℃和3.7GHz 85℃下芯片25Gb/s眼圖（g）25℃、55℃和85℃下芯片背靠背傳輸及10km傳輸誤碼率曲線 圖3（a）（b）25℃和85℃下常規芯片與溝中溝脊芯片2000小時老化實驗結果，功率變化小于0.5%

本發明公開了一種高功率光纖激光器包層光濾除裝置，該裝置 包括一段或多段雙包層光纖，其中此雙包層光纖沿激光輸出方向按剝 除面積由小到大而間隔地對保護層和外包層進行部分剝除，使內包層 裸露出來，將濾光材料涂在裸露內包層上，并且將上述濾光裝置固定 在散熱金屬材料及水冷板上。本發明對光纖結構破壞較小，濾光均勻， 避免了非均勻濾除時，某些濾除點溫度過高的現象，提高了系統的穩 定性。

項目背景：DFB 半導體激光器是光通信領域中最為重要 的器件之一，目前已經有工業級溫度（-40°C-85°C）25G 波特率 DFB 大規模量產。但是，從 2000 年至今，DFB 激光器 的 3dB 帶寬在全世界范圍內幾乎沒有明顯提高，傳統的基于 載流子和光子響應的 DFB 激光器在傳統的制造工藝下已經趨 近其速率的物理極限，需要用新的物理本質來實現更高速率 的器件，從而進一步提升 DFB 芯片的調制速率和整個光通信 應用的傳輸速率。本項目研發的 50G 波特率 DFB 半導體激光 器將達到國際領先水平，填補國內空白，打破國外壟斷本項 目的實施，應對美國對中國高端材料和芯片的禁售風險。該 產品可在光通信系統中應用廣泛，可以承擔接入網、數據中 心網絡、無線網絡、傳輸網絡等多個方面的主力傳輸工作。 所需技術需求簡要描述：本項目期望突破當前 DFB 調制 速率的瓶頸，在目前大規模量產的 25G 波特率 DFB 的基礎上， 將速度翻一番，到達 50G 波特率。（1） 兩個背靠背 DFB 激 光器產生的光子-光子諧振效應（PPR）研究。（2） 背靠背 DFB 激光器的高速陶瓷載體設計。（3） 50G 波特率 DFB 芯片 和高速陶瓷載體的測試  對技術提供方的要求:1．光電子器件設計領域國際知名 專家，熟悉 50G 波特率 DFB 激光器基本設計。2．完善的 DFB 器件基礎知識和模擬能力。3．國內 985 高校教授，技術方案成熟可靠穩定有創新思維，不涉及知識產權侵犯。