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產品詳細介紹型號  波長/ um 功率/ mW  光譜結構 偏振度 DownloadsGN-0.5 0.63 0.5 TEMoo 1:1 GN-1 0.63 1.0 TEMoo 1:1 GN-2П 0.63 2.0 TEMoo 100:1 GN-3 0.63 3.0 TEMoo 1:1 GN-5 0.63 5.0 TEMoo 1:1 GN-5P 0.63 5.0 TEMoo 100:1 GN-5M 0.63 5.0 TEMmn 1:1 GN-10M 0.63 8.0 TEMmn 1:1 GN-15 0.63 15.0 TEMoo 1:1 GN-15-1 0.63 15.0 TEMoo 100:1 GN-25 0.63 25.0 TEMoo 1:1 GN-25-1 0.63 25.0 TEMoo 100:1 GN-40 0.63 40.0 TEMmn 1:1 GN-50 0.63 50.5 TEMmn 1:1 GN-60 0.63 60.0 TEMmn 1:1 GN-70 0.63 70.0 TEMmn 1:1 GN-80 0.63 80.0 TEMmn 1:1 LGN-225A 0.63 2.0 TEMoo 1:1 LGN-226A 0.63 1.5 TEMoo 100:1 LGN-223 0.63 10.0 TEMoo 1:1 LGN-223-1 0.63 10.0 TEMoo 100:1 LGN-115 0.63 15.0 TEMmn 1:1 LGN-118 0.63 25.0 TEMmn 1:1 LGN-220 0.63 70.0 TEMoo 100:1 LGN-220M 0.63 100.0 TEMmn 100:1 產品名稱： PLASMA 氦氖激光器管產品類別： 激光系列產品 → 氦氖激光器產品編號： 42514563816產品信息： 產品名稱： PLASMA 穩定氦氖激光器產品類別： 激光系列產品 → 氦氖激光器產品編號： 42514471016產品信息： 產品名稱： PLASMA多波段 氦氖激光器產品類別： 激光系列產品 → 氦氖激光器產品編號： 42514452816產品信息： 產品名稱： PLASMA 紅外氦氖激光器產品類別： 激光系列產品 → 氦氖激光器產品編號： 42514433416產品信息： 產品名稱： PLASMA可見光氦氖激光器產品類別： 激光系列產品 → 氦氖激光器產品編號： 42514392016產品信息：

射頻識別（Radio Frequency Identification-RFID）技術被公認是21世紀最有發展前途的信息技術之一，已廣泛應用于生產、零售、物流、交通、醫療、消費、旅游、國防等各個領域。超高頻（UHF）RFID技術憑借其無源遠距離多標簽快速識別的優勢，能廣泛應用于智能物流、智能交通、 物品質量追溯、公共安全管理、智慧城市等物聯網系統，顯著提高各行各業的管理效率，降低成本，具有最為廣闊的市場規模和發展潛力，已成為RFID及物聯網產業下一個爆發式增長點。 本團隊在2008年度廣東省重大科技專項的支持下，研究突破了低功耗低壓射頻/模擬/數字電路及SOC架構、高效率整流電路、多標簽防碰撞、高穩定時鐘電路等共性關鍵技術，掌握了基于CMOS工藝的高識別靈敏度的超高頻RFID標簽芯片設計、測試與驗證、質量可靠性保障等核心技術，已獲得授權發明專利7項、公開的發明專利申請8項，發表論文30多篇。自主設計開發出符合ISO18000-6B、ISO18000-6C標準的四款超高頻RFID標簽芯片，通過了賽寶實驗室（工信部五所）的測試認證，超高頻RFID標簽芯片測試性能達到Impinj等國際主流公司同期同類產品技術指標。在此基礎上，自主設計開發出具有溫度感知功能的超高頻RFID標簽芯片、具有開關狀態數監測的超高頻RFID標簽芯片、具有多傳感器接口的超高頻物聯網標簽芯片等樣品。 超高頻RFID標簽芯片主要技術指標： ？ 技術標準：ISO18000-6B/6C ？ 工作頻率：840-960MHz ？ 識別（讀取）靈敏度：-15dBm ？ 讀寫距離：讀8 米/寫5 米(與天線形式及當地無線電頻率規范相關) ？ 識別速率：>100次/秒 ？ 存儲容量：256、512、1000bits ？ 前向鏈路速率：10-40kbps（6B）/40-160kbps(6C) ？ 反向鏈路速率：40-80kbps（6B）/160-640kbps(6C) ？ 工作溫度：-40 —850C ？ 數據保存時間：10年 ？ 寫入次數：100000

傳統的體外生理信號監測如心電、腦電等基于濕電極在電極皮膚建立穩定且低阻抗的接觸,需要凝膠，不易佩戴且容易滋生細菌感染等。使用干電極是可穿戴和醫療健康芯片的必然趨勢。但目前的商業芯片在干電極下無法使用，存在諸多性能上的缺陷，諸如功耗、輸入阻抗、共模抑制比等方面均無法滿足要求。在對國內外相關技術的研究和綜述的基礎上，我們提出了提出一種基于干電極的信號采集芯片。經流片驗證，可以提供足夠的空間分辨率，功耗在μW級別。同時該技術采用了實驗室積累多年的低功耗集成電路設計技術。以下是兩款超低功耗干電極腦電與心電采集芯片及其應用場景。其中腦電芯片可以在耳道采集腦電信號，方便舒適，易于集成，其產業化已經在逐步推行。

1.本外觀設計產品的名稱：LED 芯片高速自動分選機。2.本外觀設計產品的用途：用于對 LED 芯片執行自動分選的裝置。3.本外觀設計的設計要點：分選機的整體形狀和圖案，及其操控鍵的形狀和分布。4.最能表明設計要點的圖片或者照片：立體圖。5.該裝置的頂面和底面未涉及產品設計要點且不常見，故省略俯視圖和仰視圖。

自主設計開發出符合ISO18000-6B、ISO18000-6C標準的四款超高頻RFID標簽芯片，通過了賽寶實驗室（工信部五所）的測試認證，超高頻RFID標簽芯片測試性能達到Impinj等國際主流公司同期同類產品技術指標。在此基礎上，自主設計開發出具有溫度感知功能的超高頻RFID標簽芯片、具有開關狀態數監測的超高頻RFID標簽芯片、具有多傳感器接口的超高頻物聯網標簽芯片等樣品。

超高速模數轉換器是數據采集系統的核心,廣泛應用于寬帶通信、數據捕獲系統、軟件無線電、射頻消費類電子等領域,是國外長期禁運的核心電子元器件。

在后摩爾時代，發揮多功能、異質集成技術的優勢和特點，面向存儲系統應用，集成DDR3/DDR4、FLASH、LDO、IPD元件以及阻容元件等，構成具有多功能的存儲微系統芯片。

LED具有長壽命、節能環保、微型化等優點，是目前最具競爭力的新一代綠色照明光源。突破高發光效率的功率型高端LED芯片技術，將加快實現LED在通用照明、可見光通信、高端顯示等領域的應用。在國家863計劃、廣東省戰略性新興產業LED專項等重大項目的支持下，項目團隊成功開發出效率超過130lm/W的高壓LED芯片、大尺寸垂直LED芯片和新型倒裝薄膜LED芯片，相關技術指標處于國內領先水平。相關成果發表在Nanoscale Research Letters等國際權威期刊上，申請了22 項國家專利，其中已授