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激光雷達(dá)等傳感器以及高效率砷化鎵太陽(yáng)能電池是國(guó)務(wù)院國(guó)家制造強(qiáng)國(guó)建設(shè)戰(zhàn)略咨詢(xún)委員會(huì)列出的核心基礎(chǔ)元器件，本項(xiàng)目在國(guó)務(wù)院國(guó)資委以及國(guó)家級(jí)人才計(jì)劃科研項(xiàng)目支持下，聯(lián)合國(guó)內(nèi)知名企業(yè)進(jìn)行關(guān)鍵技術(shù)攻關(guān)，研制出基于砷化鎵的超快半導(dǎo)體激光芯片與激光器可適用于激光加工、5G通信、生物醫(yī)療等領(lǐng)域，同時(shí)研制出的高效率砷化鎵薄膜三結(jié)電池曾獲得世界最高效率，相關(guān)產(chǎn)品已處于中試和量產(chǎn)階段，本項(xiàng)目相關(guān)技術(shù)和產(chǎn)品曾獲得過(guò)2018年度上海市科技進(jìn)步二等獎(jiǎng)，2020年中國(guó)發(fā)明協(xié)會(huì)發(fā)明創(chuàng)新二等獎(jiǎng)，2020年中國(guó)光學(xué)學(xué)會(huì)光學(xué)科技獎(jiǎng)一等獎(jiǎng)等獎(jiǎng)勵(lì)。本次將展示本項(xiàng)目研制的相關(guān)砷化鎵基半導(dǎo)體激光器以及高效率柔性輕質(zhì)砷化鎵薄膜三結(jié)太陽(yáng)能電池。

近期，信息材料與智能感知安徽省實(shí)驗(yàn)室謝峰老師課題組在寬禁帶半導(dǎo)體日盲紫外探測(cè)器和白光激光器研究方面取得新進(jìn)展，相關(guān)研究成果相繼發(fā)表在國(guó)際知名期刊Opt.Express和IEEETrans.ElectronDevices上，三篇論文均以安徽大學(xué)信息材料與智能感知安徽省實(shí)驗(yàn)室為第一單位，謝峰老師為論文第一作者。

生物科學(xué)與醫(yī)學(xué)工程學(xué)院激光共聚焦顯微鏡招標(biāo)項(xiàng)目的潛在投標(biāo)人應(yīng)在南京市建鄴區(qū)西城路300號(hào)君泰國(guó)際大廈C座3樓新華招標(biāo)有限公司獲取招標(biāo)文件，并于2022年07月04日14點(diǎn)00分（北京時(shí)間）前遞交投標(biāo)文件。

羅正錢(qián)教授團(tuán)隊(duì)采用少模Pr/Yb共摻雙包層ZBLAN光纖作為可見(jiàn)光增益介質(zhì)，構(gòu)建基于非線性偏轉(zhuǎn)旋轉(zhuǎn)（NPR）技術(shù)的鎖模激光腔，利用腔內(nèi)空間濾波效應(yīng)和NPR可飽和吸收效應(yīng)補(bǔ)償階躍折射率光纖中超大的模間色散，從而平衡了各橫模之間的走離效應(yīng)，首次實(shí)現(xiàn)了可見(jiàn)光波段的時(shí)空鎖模光纖激光。

李朝暉教授、張斌副教授團(tuán)隊(duì)自主開(kāi)發(fā)了GeSbS硫系玻璃的片上集成光子平臺(tái)，該平臺(tái)具有低損耗、高光學(xué)非線性和高拉曼增益、可實(shí)現(xiàn)靈活的色散調(diào)控、硅基片上集成等特點(diǎn)，非常適合于實(shí)現(xiàn)可調(diào)諧的片上拉曼激光器。

工業(yè)級(jí)SLA打印機(jī)二極管泵浦固體激光Nd:YVO4波長(zhǎng)的控制研發(fā)控制程序的編程研發(fā)

在大面積柔性襯底上直接生長(zhǎng)集成高品質(zhì)晶硅納米線溝道是突破高性能柔性電子邏輯、可穿戴傳感和顯示等應(yīng)用的關(guān)鍵技術(shù)難點(diǎn)。然而，高品質(zhì)晶體溝道的獲得往往依賴(lài)高溫生長(zhǎng)過(guò)程（>800 ℃）-- 這恰恰是柔性聚合物襯底（熔點(diǎn)<150 ℃）所無(wú)法承受的！為此，南京大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院余林蔚教授、徐駿教授課題組基于自主創(chuàng)新的平面固-液-固（IPSLS）納米線生長(zhǎng)模式（近期工作Refs. 1-4），探索了一種全新的“激光-液滴”自聚焦局域加熱生長(zhǎng)策略，突破了傳統(tǒng)環(huán)境加熱技術(shù)的限制，利用柔性聚合物襯底（聚酰亞胺，PI）和金屬銦催化劑顆粒對(duì)特定激光（808 nm）輻照的高選擇性吸收差異，實(shí)現(xiàn)僅在液滴/納米線生長(zhǎng)界面附近范圍的高效局部加熱，以驅(qū)動(dòng)晶硅納米線在柔性襯底上的超高速度生長(zhǎng)：在不需要環(huán)境加熱的室溫“冷”環(huán)境下，其生長(zhǎng)速度可以高達(dá)3.5 μm/s，比傳統(tǒng)加熱方式納米線生長(zhǎng)速度提高了3個(gè)數(shù)量級(jí)。值得一提的是，即便在此高速生長(zhǎng)過(guò)程中，IPSLS納米線的生長(zhǎng)路徑依然可以被精確引導(dǎo)定位，并成功展示了豐富的線形調(diào)控能力。此外，由于納米金屬液滴具有極小的熱熔，通過(guò)調(diào)控激光照射時(shí)序，可以對(duì)納米線生長(zhǎng)動(dòng)態(tài)過(guò)程進(jìn)行前所未有的精確調(diào)控（例如，對(duì)生長(zhǎng)液滴實(shí)現(xiàn)瞬間“激活和冷卻”等操作），從而實(shí)現(xiàn)對(duì)超長(zhǎng)納米線的精準(zhǔn)形貌/直徑編碼。基于此技術(shù)，成功在柔性PI襯底上生長(zhǎng)高品質(zhì)納米線溝道，并制備了納米線場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）器件，其電流開(kāi)關(guān)比和亞閾值擺幅分別為>104和386 mV/dec。此“激光-液滴”選擇性加熱生長(zhǎng)策略有望推廣應(yīng)用于：在各類(lèi)大面積、低成本柔性襯底上的“冷”環(huán)境中，直接定位生長(zhǎng)和集成高品質(zhì)晶硅納米線陣列，為推動(dòng)各種高性能柔性電子器件的規(guī)模化應(yīng)用提供關(guān)鍵的材料支撐和全新的技術(shù)路線。