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1.本外觀設(shè)計(jì)產(chǎn)品的名稱：LED 芯片高速自動(dòng)分選機(jī)。2.本外觀設(shè)計(jì)產(chǎn)品的用途：用于對(duì) LED 芯片執(zhí)行自動(dòng)分選的裝置。3.本外觀設(shè)計(jì)的設(shè)計(jì)要點(diǎn)：分選機(jī)的整體形狀和圖案，及其操控鍵的形狀和分布。4.最能表明設(shè)計(jì)要點(diǎn)的圖片或者照片：立體圖。5.該裝置的頂面和底面未涉及產(chǎn)品設(shè)計(jì)要點(diǎn)且不常見(jiàn)，故省略俯視圖和仰視圖。

自主設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā)出符合ISO18000-6B、ISO18000-6C標(biāo)準(zhǔn)的四款超高頻RFID標(biāo)簽芯片，通過(guò)了賽寶實(shí)驗(yàn)室（工信部五所）的測(cè)試認(rèn)證，超高頻RFID標(biāo)簽芯片測(cè)試性能達(dá)到Impinj等國(guó)際主流公司同期同類產(chǎn)品技術(shù)指標(biāo)。在此基礎(chǔ)上，自主設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā)出具有溫度感知功能的超高頻RFID標(biāo)簽芯片、具有開(kāi)關(guān)狀態(tài)數(shù)監(jiān)測(cè)的超高頻RFID標(biāo)簽芯片、具有多傳感器接口的超高頻物聯(lián)網(wǎng)標(biāo)簽芯片等樣品。

超高速模數(shù)轉(zhuǎn)換器是數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)的核心,廣泛應(yīng)用于寬帶通信、數(shù)據(jù)捕獲系統(tǒng)、軟件無(wú)線電、射頻消費(fèi)類電子等領(lǐng)域,是國(guó)外長(zhǎng)期禁運(yùn)的核心電子元器件。

在后摩爾時(shí)代，發(fā)揮多功能、異質(zhì)集成技術(shù)的優(yōu)勢(shì)和特點(diǎn)，面向存儲(chǔ)系統(tǒng)應(yīng)用，集成DDR3/DDR4、FLASH、LDO、IPD元件以及阻容元件等，構(gòu)成具有多功能的存儲(chǔ)微系統(tǒng)芯片。

LED具有長(zhǎng)壽命、節(jié)能環(huán)保、微型化等優(yōu)點(diǎn)，是目前最具競(jìng)爭(zhēng)力的新一代綠色照明光源。突破高發(fā)光效率的功率型高端LED芯片技術(shù)，將加快實(shí)現(xiàn)LED在通用照明、可見(jiàn)光通信、高端顯示等領(lǐng)域的應(yīng)用。在國(guó)家863計(jì)劃、廣東省戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)LED專項(xiàng)等重大項(xiàng)目的支持下，項(xiàng)目團(tuán)隊(duì)成功開(kāi)發(fā)出效率超過(guò)130lm/W的高壓LED芯片、大尺寸垂直LED芯片和新型倒裝薄膜LED芯片，相關(guān)技術(shù)指標(biāo)處于國(guó)內(nèi)領(lǐng)先水平。相關(guān)成果發(fā)表在Nanoscale Research Letters等國(guó)際權(quán)威期刊上，申請(qǐng)了22 項(xiàng)國(guó)家專利，其中已授

利用超表面與圖像傳感器集成的新方案實(shí)現(xiàn)快照式光譜成像芯片，結(jié)合計(jì)算光譜分析原理及重建算法，研制出了可見(jiàn)光波段、高精度的光譜成像芯片。

本發(fā)明公開(kāi)了一種紅外聚光芯片。該芯片包括圓柱形的液晶調(diào)相架構(gòu)，其包括液晶材料層，依次設(shè)置在液晶材料層上表面的第一液晶初始取向?qū)印⒌谝浑姼綦x層、圖形化電極層、第一基片和第一紅外增透膜，以及依次設(shè)置在液晶材料層下表面的第二液晶初始取向?qū)印⒌诙姼綦x層、公共電極層、第二基片和第二紅外增透膜；圖形化電極層由圓形導(dǎo)電膜和同心設(shè)置在圓形導(dǎo)電膜外圍的至少一個(gè)圓環(huán)形導(dǎo)電膜構(gòu)成，圓形導(dǎo)電膜的直徑大于與其相鄰的圓環(huán)形導(dǎo)電膜的徑向?qū)?

芯片是信息科技的基礎(chǔ)與推動(dòng)力。然而，現(xiàn)有的硅基芯片制造技術(shù)即將觸碰其極限，碳納米管技術(shù)被認(rèn)為是后摩爾技術(shù)的重要選項(xiàng)。相對(duì)于傳統(tǒng)的硅基CMOS晶體管，碳納米管晶體管具有明顯的速度和功耗綜合優(yōu)勢(shì)。IBM的理論計(jì)算表明，若完全按照現(xiàn)有二維平面框架設(shè)計(jì)，碳納米管技術(shù)相較硅基技術(shù)具有15代、至少30年以上的優(yōu)勢(shì)。此外，Stanford大學(xué)的系統(tǒng)層面的模擬表明，碳納米管技術(shù)還有望將常規(guī)的二維硅基芯片技術(shù)發(fā)展成為三維芯片技術(shù)，將目前的芯片綜合性能提升1000倍以上，從而將物聯(lián)網(wǎng)、大數(shù)據(jù)、人工智能等未來(lái)技術(shù)提升到一個(gè)全新高度。

       芯片功率器件測(cè)試平臺(tái)，以工程教育專業(yè)認(rèn)證為引領(lǐng)參與高校專業(yè)建設(shè)，以信息化引領(lǐng)構(gòu)建學(xué)習(xí)者為中心的教育生態(tài)，培養(yǎng)集成電路硬件測(cè)試人才。為學(xué)生提供豐富的教學(xué)資源以及貼近現(xiàn)實(shí)的產(chǎn)業(yè)環(huán)境，支撐集成電路相關(guān)課程的教學(xué)與實(shí)訓(xùn)，且能進(jìn)行項(xiàng)目開(kāi)發(fā)和師資培訓(xùn)。

1、主要功能和應(yīng)用領(lǐng)域： 本設(shè)備可滿足液晶屏/觸摸屏制造行業(yè)對(duì)導(dǎo)電金球在COG綁定后的在線質(zhì)量全檢需求，即對(duì)導(dǎo)電金球的深淺、個(gè)數(shù)和偏位進(jìn)行準(zhǔn)確高效的自動(dòng)檢測(cè)，以滿足液晶行業(yè)日益上升的金球質(zhì)檢標(biāo)準(zhǔn)和產(chǎn)能要求。金球內(nèi)核為聚合物材料，外殼為金或鎳，直徑3~5微米。ACF熱壓后金球有的被壓扁，有的被壓開(kāi)口，并充當(dāng)LCD和驅(qū)動(dòng)芯片之間的導(dǎo)電通道，如金球壓合不好會(huì)造成導(dǎo)電不良，使得液晶屏發(fā)生批量缺線等故障。 2、特色及先進(jìn)性： 1）金球深淺判斷。導(dǎo)電金球的壓合輕重程度沒(méi)有量化指標(biāo)，主要依靠人眼目視的感受，需要從圖像上提取物理特征參數(shù)，以反映金球被壓迫從過(guò)輕到合適再到過(guò)重變化，對(duì)應(yīng)無(wú)變形-變形良好-變形過(guò)多(壓碎)的過(guò)程。 2）偏位測(cè)量情況多樣。當(dāng)BUMP比金手指尺寸大的時(shí)候，完全對(duì)準(zhǔn)的情況下看不到金手指，和剛好錯(cuò)開(kāi)一個(gè)金手指的情況一樣。需保證調(diào)機(jī)良好情況下的3微米精度，對(duì)于偏位較大的情況則需要采用額外的算法來(lái)判斷。 3）檢查標(biāo)準(zhǔn)設(shè)置繁多。設(shè)計(jì)并實(shí)現(xiàn)了一個(gè)智能分組的工具，在采集了所有視場(chǎng)的圖像后，將建標(biāo)的時(shí)候識(shí)別出來(lái)的BUMP(多為白色)尺寸分組，尺寸相近的在一組，則通過(guò)點(diǎn)擊智能分組工具，然后就把尺寸、面積和比例相似的分在一起，簡(jiǎn)化操作。 4）屏幕放置精度和尺寸精度高。系統(tǒng)的檢測(cè)流程需要根據(jù)被測(cè)屏幕的放置位置精度和尺寸精度來(lái)確定，若屏幕在自動(dòng)對(duì)邊后相同特征不同片子產(chǎn)生的位置差異遠(yuǎn)大于線寬線距，則需要添加自動(dòng)尋找定位點(diǎn)，然后將其作為位置起點(diǎn)再進(jìn)行自動(dòng)檢測(cè)。 8、 技術(shù)指標(biāo)：金球直徑：3微米；分辨率：0.7微米；放大倍數(shù)：10；圖片大小：4000*100000，4億像素；采集時(shí)間：2秒 ；計(jì)算時(shí)間：0.8秒 ；ITO引腳：200~500個(gè)；單個(gè)引腳金球個(gè)數(shù)：10~50個(gè)；整機(jī)檢測(cè)效率：一代機(jī)5 s，二代機(jī)3.5 s 4、關(guān)鍵問(wèn)題和實(shí)施效果 目前傳統(tǒng)液晶屏和觸摸屏生產(chǎn)線上，對(duì)于ACF熱壓后的金球壓合質(zhì)量均采用人工抽檢的方式，借助顯微鏡進(jìn)行人工檢測(cè)，8-10片抽檢一片。該設(shè)備可以實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品的全檢，一臺(tái)設(shè)備相當(dāng)于8-10個(gè)人，對(duì)于提高產(chǎn)能提升產(chǎn)品質(zhì)量具有非常重大的意義。該設(shè)備采用線陣相機(jī)配合精密運(yùn)動(dòng)平臺(tái)實(shí)現(xiàn)0.7微米分辨率的圖像采集，其光學(xué)采集部分如下圖所示。