一種探測(cè)單根彎曲半導(dǎo)體納米線中晶格畸變的方法
本發(fā)明公開了一種基于二次諧波顯微術(shù)探測(cè)單根彎曲半導(dǎo)體納米線中晶格畸變的高靈敏度方法。在顯微系統(tǒng)下,利用探針推動(dòng)單根納米線一端使之彎曲,從而產(chǎn)生不同程度的晶格畸變。同時(shí),將一束激光聚焦至單根納米線上一點(diǎn) A,并連續(xù)改變泵浦光偏振方向和納米線長(zhǎng)軸之間的夾角(偏振角θ),測(cè)定二次諧波強(qiáng)度隨偏振角θ的變化關(guān)系。在保持泵浦光聚焦位置在 A 點(diǎn)不變的情況下,隨彎曲曲率逐漸增大,偏振角θ=90°和θ=0°時(shí)的二次諧波強(qiáng)度之比顯著減小。本發(fā)明提供了一種新型測(cè)定半導(dǎo)體納米線晶格畸變的全光方法,相對(duì)于傳統(tǒng)透射電鏡法,其
華中科技大學(xué)
2021-04-14