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本發(fā)明提供高效降解黃曲霉毒素B1和赭曲霉毒素A的溶桿菌及其用.具體地,本發(fā)明提供一株雙功能高效降解菌(Lysobacter?sp.)CW239及其在降解低污染濃度黃曲霉毒素B1和赭曲霉毒素A中的應(yīng)用.與現(xiàn)有的黃曲霉毒素降解菌相比,本發(fā)明的菌株CW239能夠在低濃度毒素污染條件下達(dá)到極佳的降解效果.在液體發(fā)酵條件下,在含有黃曲霉毒素B1和赭曲霉毒素A終濃度20μg/L的發(fā)酵培養(yǎng)液中,12h菌株CW239對(duì)赭曲霉毒素A的降解率為53.1%,48h降解率達(dá)到99.8%;12h菌株CW239對(duì)黃曲霉毒素B1的降解率為42.5%,48h降解率達(dá)到83.4%.用菌株CW239處理毒素污染的飼料(終濃度20μg/kg),48h對(duì)赭曲霉毒素A降解率為68.7%,黃曲霉毒素B1降解率為52.1%.菌株CW239在食品及飼料生物脫毒應(yīng)用方面具有實(shí)質(zhì)性的應(yīng)用價(jià)值和重大意義.

本發(fā)明涉及飛灰無害化處置，旨在提供一種機(jī)械化學(xué)結(jié)合水洗的飛灰高效低成本無害處置方法和系統(tǒng)。該系統(tǒng)包括給料倉、水平滾筒式球磨機(jī)、攪拌釜和板框壓濾機(jī)；給料倉的底部接于水平滾筒式球磨機(jī)的進(jìn)料口，水平滾筒式球磨機(jī)的密閉筒體中放置不銹鋼磨球；出料管道兩端分別接水平滾筒式球磨機(jī)底部和攪拌釜上部；攪拌釜上接進(jìn)水管道，底部接至板框壓濾機(jī)。本發(fā)明可同時(shí)高效實(shí)現(xiàn)飛灰的重金屬固化、二噁英降解和氯脫除，處置后飛灰徹底無害化且具備資源化利用條件；處置后飛灰的重金屬固化率在70％以上；無外加添加劑，處置成本低廉；工藝流程簡(jiǎn)單，反應(yīng)條件溫和，過程環(huán)保，無有害副產(chǎn)物產(chǎn)生；設(shè)備投入和運(yùn)行成本低廉，處置效果顯著，工藝流程實(shí)現(xiàn)簡(jiǎn)單。

項(xiàng)目簡(jiǎn)介： 針對(duì)我國茶葉、糧谷、蔬菜、水果等具有復(fù)雜基質(zhì)的農(nóng)產(chǎn)品中有 機(jī)磷和磺酰脲類農(nóng)藥殘留，發(fā)展新型預(yù)處理方法和材料。應(yīng)用組合分 子印跡技術(shù)和溶膠-凝膠分子印跡技術(shù)，制備并篩選出高吸附容量、高 選擇性的分子印跡聚合物材料，包括固相萃取吸附劑和分子印跡整體 柱。建立快速、靈敏、準(zhǔn)確地從復(fù)雜基質(zhì)茶葉、糧谷、蔬菜、水果中 測(cè)定有機(jī)磷和磺酰脲類農(nóng)藥殘留的新方法、新體系。有利于提高我國 食品安全檢測(cè)技術(shù)，更好地促進(jìn)經(jīng)濟(jì)發(fā)展。

項(xiàng)目簡(jiǎn)介： 針對(duì)我國茶葉、糧谷、蔬菜、水果等具有復(fù)雜基質(zhì)的農(nóng)產(chǎn)品中有 機(jī)磷和磺酰脲類農(nóng)藥殘留，發(fā)展新型預(yù)處理方法和材料。應(yīng)用組合分 子印跡技術(shù)和溶膠-凝膠分子印跡技術(shù)，制備并篩選出高吸附容量、高 選擇性的分子印跡聚合物材料，包括固相萃取吸附劑和分子印跡整體 柱。建立快速、靈敏、準(zhǔn)確地從復(fù)雜基質(zhì)茶葉、糧谷、蔬菜、水果中 測(cè)定有機(jī)磷和磺酰脲類農(nóng)藥殘留的新方法、新體系。有利于提高我國 食品安全檢測(cè)技術(shù)，更好地促進(jìn)經(jīng)濟(jì)發(fā)展。

實(shí)用新型公開了一種規(guī)模化生產(chǎn)型植物工廠營(yíng)養(yǎng)液高效節(jié)能循環(huán)系統(tǒng)，它包括栽培槽、營(yíng)養(yǎng)液池和計(jì)算機(jī)控制系統(tǒng)，所述栽培槽和營(yíng)養(yǎng)液池通過主供液管相連；本實(shí)用新型的營(yíng)養(yǎng)液高效節(jié)能循環(huán)系統(tǒng)在規(guī)模化生產(chǎn)型植物工廠運(yùn)行過程中不需要額外增氧設(shè)備，具有便于維護(hù)管理，自動(dòng)化程度高，可實(shí)現(xiàn)營(yíng)養(yǎng)液循壞與液槽排污同步作業(yè)，營(yíng)養(yǎng)液體系穩(wěn)定，噪音小等優(yōu)點(diǎn)。

本發(fā)明涉及一種煤礦大斷面硬巖巷道綜掘與炮掘聯(lián)合快速高效掘進(jìn)方法。如圖1，在普氏系數(shù)f＞10.0的硬巖巷道斷面布置炮眼直徑Φ40.0mm及裝藥直徑Φ35.0mm的掏槽眼和輔助眼開挖s≈14.0m2槽腔。如圖2，掏槽眼采用三級(jí)斜眼掏槽，逐級(jí)加深，傾角逐級(jí)加大，單位體積耗藥量依據(jù)硬巖普氏系數(shù)、炮眼深度按圖3量化確定。三級(jí)斜眼掏槽分別選擇I、III、IV段毫秒延期雷管，輔助眼選擇V段毫秒延期雷管，掏槽眼與輔助眼全斷面一次起爆，總延時(shí)不超過130.0ms。爆破法形成槽腔后，綜掘機(jī)在較大自由面作用下，選擇合理刀

篩選出了適合中度鹽堿地的耐鹽能力強(qiáng)的蓖麻品系，從加拿大農(nóng)業(yè)與農(nóng)業(yè)食品部引進(jìn)了耐鹽燕麥草、高粱和珍珠栗新品種，開展了沿海灘涂中度鹽堿地蓖麻、燕麥草、高粱和珍珠栗的生態(tài)高效種植攻關(guān)研究。蓖麻單作物種植，平均產(chǎn)量 3200 公斤/公頃；蓖麻和耐鹽燕麥草輪作，蓖麻平均產(chǎn)量 3076.8 公斤/公頃，燕麥鮮草平均產(chǎn)量 42000 公斤/公頃以上，蓖麻和耐鹽珍珠栗套種，蓖麻平均產(chǎn)量 1845.0 公斤/公頃，珍珠栗鮮草平均產(chǎn)量 58000 公斤/公頃以上，綜合經(jīng)濟(jì)效益 20000 元/公頃左右。

熊宇杰教授和龍冉教授研究團(tuán)隊(duì)與中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)楊金龍?jiān)菏繄F(tuán)隊(duì)付岑峰副研究員、南京大學(xué)鄒志剛院士團(tuán)隊(duì)姚穎方教授合作，發(fā)展了光催化甲烷無氧偶聯(lián)（NOCM）方法，實(shí)現(xiàn)了高選擇性制備乙烷和氫氣，效率達(dá)到中溫?zé)岽呋疦OCM水平

本發(fā)明涉及一種低彈性模量高疲勞強(qiáng)度的醫(yī)用植入鈦合金及制備方法，所述合金的組份及重量百分比為：Nb：30wt％～33wt％；Zr：1wt％～6wt％；Mo：2wt％～4wt％；O：0.20wt％～0.40wt％，余量為Ti；合金制備的具體步驟是：采用真空非自耗電弧爐熔煉獲得成分均勻合金鑄錠，經(jīng)熱鍛成棒材后在850℃?950℃固溶處理，水冷至室溫；隨后冷軋變形加工，變形量為80％?90％；最后進(jìn)行時(shí)效熱處理，其加熱溫度為400℃?500℃，保溫時(shí)間為1h?12h。本發(fā)明經(jīng)冷軋和熱處理后，強(qiáng)度顯著高于目前應(yīng)用最廣的醫(yī)用植入鈦合金Ti?6Al?4V，疲勞強(qiáng)度與Ti?6Al?4V相當(dāng)，而彈性模量?jī)H為Ti?6Al?4V的52％，生物相容性和力學(xué)相容性更優(yōu)異，可應(yīng)用于制備生物醫(yī)用植入體。

成果與項(xiàng)目的背景及主要用途： Cr-Si 中高阻膜電阻器具有精度高、噪聲低、溫度系數(shù)小、耐熱性和穩(wěn)定性 好等優(yōu)點(diǎn)，在精密電子設(shè)備和混合集成電路中大量采用。對(duì)于濺射制備電阻膜來 說，靶材是至關(guān)重要的，它制約著金屬膜電阻器的電阻率、精度、可靠性、電阻 溫度系數(shù)（Temperature Coefficient of Resistance, TCR）等性能。電阻溫度系數(shù) (TCR)是金屬膜電阻器的一個(gè)重要性能技術(shù)指標(biāo)之一，較大的 TCR 在溫度變化時(shí) 會(huì)造成電阻值漂移，從而影響電阻器的精度和穩(wěn)定性。目前國內(nèi)外生產(chǎn)的金屬膜 電阻器用高阻靶材，其性能不能滿足低 TCR（≤25ppm/℃）要求。 技術(shù)原理與工藝流程簡(jiǎn)介： 靶材煉制工藝如下圖所示所制備的靶材(382 mm ×128 mm ×14 mm)在濺射成電阻器薄膜后, 電阻溫度 系數(shù)小(≤25 ×10-6 / ℃), 電阻值高(要求不刻槽數(shù)量級(jí)為千歐, 刻槽后數(shù)量級(jí)為 兆歐)且穩(wěn)定(隨時(shí)間變化小), 因此, 在本靶材研究中, 將選擇 Cr 、Si 作為高阻 靶材的主體材料。由于 C r 、Si 熔點(diǎn)高, 原子移動(dòng)性低, 因此由其所組成的薄膜 穩(wěn)定性高。通過在金屬 C r 中引入半導(dǎo)體材料 Si 來提高電阻器合金膜的阻值。 C r 是很好的吸收氣體的金屬元素, 在電阻器薄膜濺射過程中, 可通過通入微量 的氧來提高薄膜的電阻率, 同時(shí)調(diào)節(jié)電阻溫度系數(shù)。 技術(shù)指標(biāo)如下： 溫度沖擊實(shí)驗(yàn)后 ΔR/R ≤±0 .5 %, 過載實(shí)驗(yàn)后 ΔR/R ≤±0 .5 %, 壽命實(shí)驗(yàn)后 ΔR/R ≤±1 .0 %,電阻溫度系數(shù) TCR ≤±20 ×10-6 / ℃。 應(yīng)用領(lǐng)域： 集成電路、電子元器件 合作方式及條件：具體面議 2 半導(dǎo)體微環(huán)激光器 3 基光電集成電路 4 無線網(wǎng)絡(luò)與應(yīng)用：協(xié)作無線網(wǎng)絡(luò) 5 移動(dòng)通信—LTE 技術(shù)