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將亞麻油改性酚醛樹脂和硼改性酚醛樹脂預(yù)聚物按一定質(zhì)量比進(jìn)行混合后作為摩阻材料用雙改性樹脂酚醛樹脂基體，取一定質(zhì)量分率的玻璃纖維作為摩阻材料增強(qiáng)體，其余組分丁腈橡膠、二氧化硅、碳化硅、二硫化鉬。各組分混合后加入模具中，一定壓力和溫度下，在液壓成型機(jī)中保壓一段時(shí)間。然后將模具自然冷卻至室溫后脫模，最后進(jìn)行熱處理消除殘余應(yīng)力，得到硼、亞麻油雙改性酚醛樹脂基摩阻復(fù)合材料。產(chǎn)品性能、指標(biāo)根據(jù)摩擦系數(shù)測試結(jié)果，本項(xiàng)目制備的硼、亞麻油雙改性酚醛樹脂基摩阻復(fù)合材料的摩擦系數(shù)對轉(zhuǎn)速、載荷和

新型脫硫石膏復(fù)合水泥土及注漿材料分別應(yīng)用于深基坑工程中的止水帷幕，坡道加固及地基加固中的最優(yōu)配合比。水泥摻量 14%、粉煤灰摻量 3%、脫硫石膏摻量 2%、水灰比 0.4，即用脫硫石膏和粉煤灰取代 26.3%的水泥摻量，可以較好的改善土體的力學(xué)性能，更能夠很大程度地提高土體的抗?jié)B性，達(dá)到止水效果，大量應(yīng)用于水泥土攪拌樁、雙液注漿型止水帷幕的施工當(dāng)中。水泥摻量 8%、粉煤灰摻量 3%、脫硫石膏摻量 3%、水灰比 0.4，即用脫硫石膏和粉煤灰取代 42.8%的水泥摻量，造價(jià)低廉，可以提高土體的強(qiáng)度，適當(dāng)提高土體的抗?jié)B性能，可以大量應(yīng)用在臨時(shí)性土體加固工程中，比如坡道加工及基坑坑底土體加固當(dāng)中，改善土體力學(xué)性能，保證施工安全和施工進(jìn)度，以節(jié)約成本。已經(jīng)申請專利：一種利用脫硫石膏的新型土體固化劑 201410021878.3。

本發(fā)明公開了一種納米改性超穩(wěn)定泡沫及其在超輕密度水泥基多孔材料中的應(yīng)用。通過將納米顆粒穩(wěn)定分散在發(fā)泡劑中，改性后的發(fā)泡劑在攪拌發(fā)泡后可實(shí)現(xiàn)納米顆粒對氣泡的包裹，使得泡沫由傳統(tǒng)的氣—液兩相結(jié)構(gòu)變?yōu)闅狻骸倘嘟Y(jié)構(gòu)，顯著的提高了泡沫的穩(wěn)定性。由改性后的發(fā)泡劑制備的泡沫穩(wěn)定性好，尺寸細(xì)小均一，并且由此制備的超輕多孔水泥基材料強(qiáng)度高，不塌陷，解決了傳統(tǒng)超輕水泥基材料性能差等問題，是一種提高超輕水泥基材料性能的有效方法。

一種瀝青路面半剛性基層的快速修復(fù)水泥基材料，涉及一種快凝快硬水泥基材料的 組成，其組分和含量為：快凝快硬水泥∶砂子∶石子∶減水劑∶纖維∶特種添加劑∶水 ＝15-85％∶0-65％∶0-50％∶0-0.1％∶0-2％∶0-5％∶5-25％重量百分比，該材料各 組分的總量為 100％wt。經(jīng)過 15-90 秒的常規(guī)攪拌后按照瀝青路面半剛性基層的修復(fù)施 工方法進(jìn)行施工，經(jīng)測試其初凝結(jié)時(shí)間為 2-10 分鐘，終凝時(shí)間為 10-30 分鐘，因此采 用本發(fā)明的材料可使瀝青路面的修復(fù)時(shí)間縮短在 4-8 小時(shí)以內(nèi)，從而大大緩解路面修復(fù) 對交通擁堵的影響，具有很大的經(jīng)濟(jì)意義和社會意義。 

要提高硅酸鹽水泥中混合材的摻入量，在不以犧牲水泥性能為代價(jià)的前提下，需提高水泥熟料本身的力學(xué)性能（尤其是早期力學(xué)性能）和熟料與其它混合材的復(fù)合性。硫鋁酸鈣礦物具有高早強(qiáng)、微膨脹等優(yōu)良性能，引入硅酸鹽水泥熟料中既能提高熟料早期強(qiáng)度，同時(shí)有效激發(fā)粉煤灰等多種混合材的水化活性，從而增加水泥中的混合材摻入量，即硫鋁酸鈣改性硅酸鹽水泥（JC/T 1099-2099）。本專利技術(shù)通過氣相沉積的方法，在傳統(tǒng)硅酸鹽熟料體系中引入硫鋁酸鈣礦物，制備C3S-C2S-C4AF-C3A-硫鋁酸鈣多相復(fù)合的硫鋁酸鈣改性硅酸鹽

本發(fā)明公開了一種用于水泥基材料裂縫自修復(fù)的表面預(yù)涂覆方法，包括以下步驟：（１）將具有營養(yǎng)物固載的膠質(zhì)芽孢桿菌菌粉配制成菌液；（２）向菌液中添加親水性增稠劑，得到修復(fù)液；（３）配制弱酸預(yù)處理液，在噴涂修復(fù)液前首先噴涂弱酸預(yù)處理液至水泥基材料表面；（４）在水泥基材料表面噴涂弱酸預(yù)處理液１０ｍｉｎ后噴涂修復(fù)液。修復(fù)試驗(yàn)結(jié)果表明，７ｄ內(nèi)即可在水泥基材料裂縫處沉淀出碳酸鈣，連續(xù)修復(fù)３０ｄ后，平均裂寬度０．４ｍｍ以下的微裂縫可以完全修復(fù)。

項(xiàng)目涉及的產(chǎn)品是鈦基合金，具體包括鈦鐵合金、鈦鋁合金以及鈦鋁釩合金等，其廣泛用于冶金、國防、軍工、航空、航天以及生物醫(yī)學(xué)等領(lǐng)域。目前，現(xiàn)有的鈦及鈦合金等鈦材的利用流程仍全是高鈦渣/金紅石-高溫氯化-真空還原-精制-海綿鈦-破碎-真空熔煉-鈦材這一高能耗、高污染的高成本生產(chǎn)工藝。東北大學(xué)在國家973、國家自然科學(xué)基金以及企業(yè)重大科技攻關(guān)等項(xiàng)目的聯(lián)合資助下，針對現(xiàn)有金屬熱還原法直接制備鈦基合金存在的鈦氧化物還原不徹底等技術(shù)難題，發(fā)明了基于噴吹金屬蒸氣深度多級還原直接冶煉鈦基合金的新技術(shù)，并突破了其噴吹金屬蒸氣深度還原裝備的技術(shù)難題，建成了噸級規(guī)模的基于噴吹深度多級還原裝備。成功制備出氧含量低于0.6%的低氧高鈦鐵；氧含量低于0.1%，氮含量低于200ppm的鈦鋁合金及鈦鋁釩合金，目前已完成20kg規(guī)模的放大試驗(yàn)，建成了噸級規(guī)模的基于噴吹深度多級還原核心裝備，進(jìn)入產(chǎn)業(yè)化和推廣應(yīng)用階段。核心成果已獲得國家發(fā)明專利６項(xiàng)，整體技術(shù)及裝備水平世界領(lǐng)先。 項(xiàng)目研究形成了從方法-產(chǎn)品-裝備的原始創(chuàng)新，突破直接熱還原法制備鈦基合金的技術(shù)難題，實(shí)現(xiàn)了鈦合金的短流程清潔制備，為國家安全建設(shè)和社會經(jīng)濟(jì)建設(shè)提供了戰(zhàn)略物質(zhì)保障社會經(jīng)濟(jì)效益顯著。未來5年，我國特種鋼精煉用高鈦鐵合金用量可達(dá)30萬噸，若投資建立一條深度多級還原直接冶煉低氧高鈦鐵的生產(chǎn)線，可實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)量5000噸的規(guī)模，其總產(chǎn)值可達(dá)2.5億元以上，年均創(chuàng)造效益約5000萬元。建設(shè)一條1000噸規(guī)模的鈦鋁基鈦合金生產(chǎn)，其總產(chǎn)值可達(dá)2億元以上，年均創(chuàng)造效益約5000~8000萬元。因此項(xiàng)目建設(shè)將極大地拉動地方經(jīng)濟(jì)。

依托“湖南大學(xué)碳材料研究所”，建成國內(nèi)瀝青基碳纖維生產(chǎn)基地，逐步用碳纖維復(fù)合材料取代鋁合金、鋼筋等，促進(jìn)建筑行業(yè)、汽車行業(yè)的“產(chǎn)業(yè)革命”，打造百億、千億的產(chǎn)業(yè)集群，把湖南長沙打造成全球第四家擁有整套高性能瀝青基碳纖維制備技術(shù)的生產(chǎn)基地，確立長沙中國“碳谷”地位。目前已研發(fā)出高性能瀝青基連續(xù)長絲炭纖維。 相關(guān)研究成果已應(yīng)用于航天、航天、承載一體化、沖擊載荷下微結(jié)構(gòu)、兵器材料等，為我國武器裝備發(fā)展和國防科技工業(yè)進(jìn)步提供了基礎(chǔ)支撐。合作單位包括國防科工局、中科院近代物理所、中國兵器工業(yè)第二0一研究所、中國工程物理研究院、航天科工集團(tuán)、航天科技集團(tuán)、中國兵器集團(tuán)等國防軍工單位。

傳統(tǒng)的CCD、CMOS硅基成像器件都不能響應(yīng)紫外波段的光信號，這是因?yàn)樽贤獠ǘ蔚墓獠ㄔ诙嗑Ч柚写┩干疃群苄。?lt;2nm）。但是近年來隨著紫外探測技術(shù)的日趨發(fā)展，人們越來越需要對紫外波段進(jìn)行更深的探測分析與認(rèn)識。紫外探測技術(shù)是繼激光探測技術(shù)和紅外探測技術(shù)之后發(fā)展起來的又一軍民兩用光電探測技術(shù)。幾十年來，紫外探測技術(shù)已經(jīng)逐漸應(yīng)用于光譜分析、軍事、空間天文、環(huán)境監(jiān)測、工業(yè)生產(chǎn)、醫(yī)用生物學(xué)等諸多領(lǐng)域，對現(xiàn)代科研、國防和人民生活都產(chǎn)生了深遠(yuǎn)的影響。特別是在先進(jìn)光譜儀器方面，國內(nèi)急迫需要響應(yīng)波段拓展到紫外的硅基成像器件。硅基成像器件如CCD、CMOS是應(yīng)用最廣泛的光電探測器件。當(dāng)前最先進(jìn)的光譜儀器大都采用了CCD或CMOS作為探測器件，這是因?yàn)镃CD、CMOS具有靈敏度強(qiáng)、噪聲低、成像質(zhì)量好等優(yōu)點(diǎn)。但由于紫外波段的光波在多晶硅中穿透深度很小（<2nm），CCD、CMOS等在紫外波段響應(yīng)都很弱。成像器件的這種紫外弱響應(yīng)限制了其在先進(jìn)光譜儀器及其他領(lǐng)域紫外波段探測的使用。 在技術(shù)發(fā)達(dá)國家,寬光譜響應(yīng)范圍、高分辨率、高靈敏度探測器CCD已經(jīng)廣泛應(yīng)用于高檔光譜儀器中。上世紀(jì)中葉美國Varian公司開發(fā)的Varian700 ICP-AES所使用的寬光譜CCD檢測器分辨率達(dá)0.01nm,光波長在600nm和300nm時(shí)QE分別達(dá)到了84%和50%；美國熱電公司開發(fā)的CAP600 系列ICP所用探測器光譜響應(yīng)范圍更是達(dá)到165～1000nm，在200nm時(shí)的分辨率達(dá)到0.005nm.法國Johinyvon的全譜直讀ICP，其所用的CCD探測器像素分辨率達(dá)0.0035nm,紫外響應(yīng)拓展到120nm的遠(yuǎn)紫外波段。德國斯派克分析儀器公司的全譜直讀電感耦合等離子體發(fā)射光譜儀一維色散和22個(gè)CCD檢測器設(shè)計(jì)，其光譜響應(yīng)范圍為120－800nm。德國耶拿JENA 連續(xù)光源原子吸收光譜儀contrAA采用高分辨率的中階梯光柵和紫外高靈敏度的一維CCD探測器，分辨率達(dá)0.002nm,光譜響應(yīng)范圍為189—900 nm。總而言之，發(fā)達(dá)國家在寬光譜響應(yīng)和高分辨率高靈敏度探測器件的研制領(lǐng)域已取得相當(dāng)?shù)某删汀Ｖ饕夹g(shù)指標(biāo)和創(chuàng)新點(diǎn)（1）  我們在國內(nèi)首次提出紫外增強(qiáng)的硅基成像器件，并在不改變傳統(tǒng)硅基成像探測器件的結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上，利用鍍膜的方法增強(qiáng)成像探測器件CCD、CMOS的紫外響應(yīng)，使其光譜響應(yīng)范圍拓寬到190—1100nm，實(shí)現(xiàn)對190nm以上紫外光的探測。（2）  提高成像探測器的紫外波段靈敏度，達(dá)到0.1V/lex.s。（3）  增強(qiáng)成像探測器件的紫外響應(yīng)的同時(shí)，盡量不削弱探測器件對可見波段的響應(yīng)。（4）  選用適合的無機(jī)材料，克服有機(jī)材料使用壽命短的缺陷。 紫外探測技術(shù)已經(jīng)逐漸應(yīng)用于光譜分析、軍事、空間天文、環(huán)境監(jiān)測、工業(yè)生產(chǎn)、醫(yī)用生物學(xué)等諸多領(lǐng)域，對現(xiàn)代科研、國防和人民生活都產(chǎn)生了深遠(yuǎn)的影響。特別是在先進(jìn)光譜儀器方面，國內(nèi)急迫需要響應(yīng)波段拓展到紫外的硅基成像器件，該設(shè)計(jì)與傳統(tǒng)CCD、CMOS結(jié)合，能滿足寬光譜光譜儀器所需的紫外響應(yīng)探測器的需要。能提高光譜儀器光譜響應(yīng)范圍，在科學(xué)實(shí)驗(yàn)和物質(zhì)分析和檢測中具有很廣的市場前景。 該設(shè)計(jì)樣品能取代傳統(tǒng)CCD、CMOS，應(yīng)用于大型寬光譜光譜儀器上，作為光譜儀的探測器件。將傳統(tǒng)光譜儀器的光譜檢測范圍拓寬到190—1100nm. 實(shí)現(xiàn)紫外探測和紫外分析。具有較強(qiáng)的市場推廣應(yīng)用價(jià)值。

北京大學(xué)物理學(xué)院“極端光學(xué)創(chuàng)新研究團(tuán)隊(duì)”王劍威研究員和龔旗煌院士領(lǐng)導(dǎo)的課題組，與英國、丹麥、奧地利和澳大利亞的學(xué)者合作，實(shí)現(xiàn)了硅基集成光量子芯片上的多體量子糾纏和芯片-芯片間的量子隱形傳態(tài)功能，為芯片上光量子信息處理和計(jì)算模擬的應(yīng)用，奠定了堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。相關(guān)研究成果于近日發(fā)表在國際頂級物理期刊Nature Physics(https://www.nature.com/articles/s41567-019-0727-x)。 集成光量子芯片技術(shù)，結(jié)合了量子物理、量子信息和集成光子學(xué)等前沿學(xué)科，通過半導(dǎo)體微納加工制造高性能且大規(guī)模集成的光量子器件，實(shí)現(xiàn)對光量子信息的高效處理、計(jì)算和傳輸?shù)裙δ堋Ｆ渲校霉杌矫婀獠▽?dǎo)集成技術(shù)的光量子芯片具有諸多獨(dú)特優(yōu)勢，包括集成度高、穩(wěn)定性好、編程操控性優(yōu)越和可單片集成核心光量子器件等，因此被認(rèn)為是一種實(shí)現(xiàn)光量子信息應(yīng)用的重要手段之一。 A. 硅基量子隱形傳態(tài)和多光子量子糾纏芯片的示意圖，左上角為集成量子光源的電子顯微鏡圖；B. 量子隱形傳態(tài)的量子線路圖；C. 量子糾纏互換的量子線路圖；D. GHZ糾纏制備的量子線路圖 北京大學(xué)研究團(tuán)隊(duì)與布里斯托爾大學(xué)、丹麥科技大學(xué)、奧地利科學(xué)院、赫瑞-瓦特大學(xué)和西澳大利亞大學(xué)科研人員密切合作，在硅基光量子芯片技術(shù)和應(yīng)用方面取得了突破性進(jìn)展。研究團(tuán)隊(duì)發(fā)展了一種基于微環(huán)諧振腔的高性能集成量子光源，通過硅波導(dǎo)的強(qiáng)四波混頻非線性效應(yīng)，實(shí)現(xiàn)了光子全同性優(yōu)于90%、無需濾波后處理的50%觸發(fā)效率的單光子對源，達(dá)到了對4組微腔量子光源陣列的相干操控，片上雙光子量子糾纏源的保真度達(dá)到了92%。團(tuán)隊(duì)實(shí)現(xiàn)了關(guān)鍵的可編程片上雙比特量子糾纏門，可以按照功能需要切換貝爾投影測量和量子比特焊接操作，通過量子態(tài)層析實(shí)驗(yàn)確認(rèn)了高保真的雙比特糾纏操作。 研究團(tuán)隊(duì)在單一硅芯片上實(shí)現(xiàn)了高性能量子糾纏光源、可編程雙比特量子糾纏門，以及可編程單量子比特測量的全功能集成，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)了三種核心量子功能模塊——芯片上四光子真糾纏、量子糾纏互換、芯片-芯片間的高保真量子隱形傳態(tài)。通過對兩對糾纏光子對進(jìn)行量子比特焊接操作，團(tuán)隊(duì)實(shí)現(xiàn)并判定了四比特Greenberger-Horne-Zeilinger (GHZ) 真量子糾纏的存在；通過對兩對糾纏光子中各一個(gè)光子進(jìn)行貝爾投影操作，實(shí)現(xiàn)了量子糾纏互換功能，使來自不同光子源的光子間產(chǎn)生了量子糾纏；利用兩個(gè)芯片間的量子態(tài)傳輸和量子糾纏分布技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了兩個(gè)芯片間任意單量子比特的量子隱形傳態(tài)，達(dá)到了近90%的隱形傳態(tài)保真度。 團(tuán)隊(duì)研制的硅基多光子量子芯片尺寸僅占幾平方毫米，比傳統(tǒng)實(shí)現(xiàn)方法小了約5-6個(gè)數(shù)量級，不僅達(dá)到了器件的微型化，同時(shí)具備了單片全功能集成、器件編程可控、系統(tǒng)性能優(yōu)越等特點(diǎn)，其中量子隱形傳態(tài)保真度優(yōu)于已報(bào)道的其它物理實(shí)現(xiàn)方法。多體量子糾纏體系的片上制備與量子調(diào)控技術(shù)，為片上量子物理基礎(chǔ)研究和片上光量子信息處理傳輸、量子計(jì)算模擬的應(yīng)用提供了重要基礎(chǔ)。