新葡京娱乐场-大陆娱乐场开户注册

該產品為一種聚集誘導發光（AIE）熒光粉轉換型 LED 光源，包括 COB 支架和封裝膠層，其中 COB 支架包括 GaN 芯片背光源層和電路連接構件，封裝膠層包括 AIE 熒光粉材料與封裝膠（該產品使用硅膠）。該產品的技術優勢為：（1）使用的 AIE 熒光粉材料是 一種無稀土、無金屬的環境友好型有機材料，符合可持續發展要 求；（2）由于常規無機熒光粉部分材料專利壟斷，稀土金屬資源稀缺，量產制備 AIE 熒光粉材料的綜合成本低于無機熒光粉；（3）該封裝 LED 光源器件制備方法操作簡便、工序簡單；（4）基于 AIE 熒光粉材料封裝的板上芯片封裝光源器件（COB）具有高轉換效率（191 lm/W）、高顯色性能（單粉達 Ra=70.7）、優異光電學性能（色坐標可調等）等特點；（5）與現有傳統 LED 封裝用無機熒光粉體系相比，AIE 熒光粉與封裝膠分散性更好，沉降現象改善。 

電火花加工技術已在模具制造、復雜零件加工中得到廣泛應用。但普通電火花加工方法在大面積加工時存在加工表面粗糙度差、加工表層有缺陷等技術問題。因此為提高其加工表面質量，人們不得不對電火花加工后的表面進行拋光處理，耗時費力，成為產品制造中的“瓶頸”。改善電火花加工表面粗糙度，消除加工表層缺陷，對擴大電火花加工范圍，縮短產品制造周期具有重要意義?；旆垭娀鸹ㄧR面加工技術正是基于上述目的而開發出來的一門新技術，它通過在工作液中添加硅、鋁等導電性微粉末，改變火花放電狀態，最終改善加工表面粗糙度，并消除加工表層中

本發明公開了一種復合運動送粉器，它包括推進軸、筒體、粉 斗、滑塊和轉盤；工作時，所述筒體保持氣密性，送入粉斗內的粉末 被攪拌桿打散，避免粉末在粉斗中形成拱結構，推進軸底部的螺旋葉 輪按照設定的速度反轉推送粉末，并通過落粉管進入轉盤的粉槽內并 逐漸充滿粉槽，所述滑塊對粉槽內的粉末進行整平，轉盤隨主傳動軸 轉動，使粉槽內的粉末轉動到出粉管的入粉口處時被出粉管吸出，完 成送粉過程。通過準確控制轉盤和推進軸之間轉速比 K，使

在化工、食品處理、電力等生產過程中廣泛遇到粉體氣力輸送問題，過程中粉體的速度、濃度、粒度等關鍵參數對于實現過程優化控制，提高生產效率具有重要意義。本裝置主要用于粉體氣力輸送過程中對粉體的速度、濃度、粒度等關鍵參數進行在線監測。 裝置結構簡潔，主要由一體式超聲波探針、信號發射接收儀、粉體參數監測程序和計算機組成。其工作原理是：超聲波穿過顆粒物介質時，其聲波幅值、傳播速度等物性參數會發生變化，且變化量的大小與顆粒物密度、顆粒物粒徑、濃度等參數直接相關。從顆粒動力學角度建立能夠準確描述兩相離散系中聲波動的數學模型，將聲衰減計算歸集為高階線性方程組的求解。進而能夠利用測量得到的聲衰減量或聲速度譜等信息反演計算得出兩相離散體系中顆粒相的粒度、濃度、速度等參數。

本方法通過對粉體進入堿溶液后產生的氣體釋放量的測定，來判斷材料的引氣作用。 粉液反應氣體釋放量試驗裝置內置氣壓及溫度檢測電路板時，是由電路板采用電腦USB口供電，USB通訊，設備上有預留USB接口。

研究背景 芯片是人類最偉大的發明之一，也是現代電子信息產業的基礎和核心。小到手機、電腦、數碼相機，大到6G、物聯網、云計算均基于芯片技術的不斷突破。半導體光刻工藝水平的發展是以芯片為核心的電子信息產業的基石，目前半導體光刻的制造工藝幾乎是摩爾定律的物理極限。隨著制造工藝的越來越小，芯片內晶體管單元已經接近分子尺度，半導體制作工藝的“瓶頸效應”越來越明顯。隨著全球化以及科技的高速發展，急劇增長的龐大數據量要求數據處理模型和算法結構不斷優化升級，帶來的結果就是對計算能力和系統功耗的要求不斷提高。而目前智能電子設備大多存在傳輸瓶頸、功耗增加以及計算力瓶頸等現象，已越來越難以滿足大數據時代對計算力與功耗的需求，因此提高運算速度同時降低運算功耗是目前信息工業界面臨的緊要問題。 如當年集成電路開創信息時代一樣，當下已經普及的光通信正在成為新革命力量的開路先鋒。與此同時，光子芯片正在從分立式器件向集成光路演進，光子芯片向小型化、集成化的發展趨勢已是必然。相對于電子驅動的集成電路，光子芯片有超高速率，超低功耗等特點，利用光信號進行數據獲取、傳輸、計算、存儲和顯示的光子芯片，具有非常廣闊的發展空間和巨大的潛能。 項目功能 本項目瞄準光通信關鍵技術及核心芯片，基于量子阱二極管發光探測共存現象，探索關鍵微納制造技術，研制出可以同時實現通信、感知功能的一體化光電子芯片。 技術路線 一、技術原理及可行性 本項目主要負責人王永進教授發現如圖1所示的量子阱二極管發光探測共存現象，首次研制出同質集成發射、傳輸、調制和接收器件的光電子芯片，這些原創工作引起了業界相關科研小組地廣泛關注，化合物半導體同質集成光電子芯片成為研究熱點。香港大學的蔡凱威小組和申請人合作提出濕法刻蝕和激光選擇性剝離技術，在藍寶石氮化物晶圓上實現LED基同質集成光電子芯片(Optica 5, 564-569 (2018))。沙特阿卜杜拉國王科技大學Ooi教授和美國加州大學圣巴巴拉分校Nakamura教授小組在藍寶石氮化物晶圓上，研制出基于氮化物激光器的同質集成光電子芯片(Opt. Express 26, A219(2018))。中科院蘇州納米所孫錢小組在硅襯底氮化物晶圓上，研制出基于氮化物激光器的同質集成光電子芯片(IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron. 24, 8200305 (2018))。在NRZ-OOK調制方式下，InGaN/GaN量子阱二極管可實現Gbps的光發射、調制和探測速率(Appl. Phys. Express 13, 014001 (2020))。這些工作表明研發基于光子傳輸的化合物半導體同質集成光電子芯片以實現片上光子通信是可行的。   二、總體結構設計及工藝流程 本項目提出的同時通信/感知一體化光電子芯片基于常規的藍寶石襯底氮化鎵基多量子阱LED外延片進行設計，無需特殊定制的外延結構。以典型的2寸氮化鎵基藍光LED外延片為例，其外延片結構如圖2所示，從下至上依次為藍寶石襯底、AlGaN緩沖層、未摻雜GaN層、N型GaN層、InGaN/GaN多量子阱層和P型GaN層，通過調節InGaN/GaN多量子阱層的參數（層厚度與In的比例等等）可制備具有不同中心波長的光源器件。   圖3為本項目所提出的同時通信/感知一體化光電子芯片結構。在藍寶石襯底的氮化物晶圓上通過刻蝕和沉積等一系列晶圓級微納加工技術，制備出單片集成的InGaN/GaN多量子阱LED和PD。光子芯片的P、N電極可以采用倒裝技術直接與基板相連，光線從透明的藍寶石襯底發出，這樣不僅使得器件具有優良的電性能和熱特性而且簡化了其后期的封裝工藝。 三、技術創新優勢 1、同一塊晶圓上集成LED和PD使得兩者間距離大大縮短，不僅有助于增強PD對藍寶石表面反射光線的耦合，提升感知系統性能，而且縮小了器件整體外形，符合集成電子器件小型化、便攜化的發展趨勢； 2、單片集成的LED和PD器件相比于傳統異質的、分立的LED和PD簡化了封裝形式和工藝，不再需要對LED和PD進行單獨的封裝，而且同質集成器件的基板也較異質結構的簡單統一，極大地縮短了集成系統的制作周期； 3、同時通信/感知一體化光電子芯片采用相同的工藝就可以制作出LED和PD，簡化了生長異質材料的復雜性，縮短了器件流片的周期，使用同一工藝就可將LED和PD進行批量生產，有效地降低了生產成本。 四、實驗驗證 本項目團隊所在的Peter Grünberg研究中心擁有完整的LED器件制備、光電性能測試與電學性能測試平臺，并且項目成員積累了豐富的測試技術與經驗，能夠滿足本項目的同時通信/感知一體化光電子芯片測試同時表征光電參數與電學參數的需求。下圖4所示為器件形貌表征圖，從左邊依次是掃描電鏡圖、光鏡圖、原子力顯微鏡圖。   基于通信感知一體化芯片，本項目利用單個多功能集成器件成功實現了對人體脈搏的監測功能，如圖5所示。   另外基于通信感知一體化氮化鎵光電子芯片，我們還實現了照明、成像和探測功能為一體的LED陣列系統，如圖6所示。該系統可以在點亮照明的同時，實現對外界光信號的探測與感知，通過后端系統處理后，再將信息通過陣列顯示出來，實現多種功能的集成。 項目負責人王永進教授是國家自然基金委優秀青年項目、國家973項目獲得者，他以第一或通訊作者身份在Light-Sci Appl.等主流學術期刊發表一系列高質量研究論文，獲授權中國發明專利23項，美國發明專利2項，被National Science Review、Semiconductor Today等做9次專題報道，榮獲2019年中國電子學會科學技術獎（自然科學）、2019年南京市十大重大原創成果獎等。

在大尺寸寬禁帶/半導體單晶襯底外延設備、材料生長等方面做出了突出的工作。2001年始，研制出國內第一臺用于氮化鎵（GaN）襯底的鹵化物氣相外延（HVPE）系統，研究發展了獲得高質量GaN襯底所需的所有關鍵技術并擁有自主知識產權，在氮化鎵單晶襯底設備和材料技術領域已獲授權國家發明專利30余項、申請國家發明專利30余項。在國內最早研制出2英寸毫米級GaN單晶襯底，建成6英寸HVPE系統并實現7片2吋及4-6吋GaN均勻生長；研究出創新性的GaN襯底批量制備技術，即將進行高質量、低成本GaN襯底的產業化應用，為第三代半導體應用奠定了材料基礎。

本發明公開了一種激光輔助低溫生長氮化物材料的方法及裝備， 該方法將非氮元素的前驅體蒸汽和活性氮源前驅體氣體分別輸送到反 應腔室內溫度為 250 至 800℃的襯底材料處，利用波長與活性氮源分 子鍵共振波長相等的激光束作用于活性氮源氣體，使激光能量直接耦 合至活性氮源氣體分子，加速 NH 鍵的斷裂，提供充足的活性氮源， 使非氮元素與活性氮源發生化學反應，沉積第 III 族氮化物膜層材料， 持續作用直到沉積物覆蓋整個襯底

團隊與合作者首次報道了米級單晶Cu(111)襯底的制備方法，并在此基礎上實現了米級單晶石墨烯的外延生長（Science. Bulletin 2017, 62, 1074）。與石墨烯不同，六方氮化硼等其它絕大多數二維材料不具有中心反演對稱性，其外延生長普遍存在孿晶晶界問題：旋轉180°時晶格方向發生改變，外延生長時不可避免地出現反向晶疇，而在拼接時形成缺陷晶界。 開發合適對稱性的外延單晶襯底是解決這一科學難題的關鍵。研究團隊探索出利用對稱性破缺的襯底外延非中心反演對稱二維單晶薄膜的新方