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本發(fā)明涉及一種 Fe2O3 層狀納米陣列、具有層狀結(jié)構(gòu)的 Fe2O3/PPy 柔性復(fù)合材料及其二者的制備方法和應(yīng)用，屬于材料領(lǐng)域。 該 Fe2O3 層狀納米陣列利用特定規(guī)格的 ZnO 納米棒模板作為原料制 備，該 Fe2O3/PPy 柔性復(fù)合材料采用氣相原位化學(xué)聚合法復(fù)合 Fe2O3 層狀納米陣列和 PPy 得到。氣相原位聚合方法更為簡(jiǎn)單、易實(shí)現(xiàn)，可 控性較好。Fe2O3 層狀納米陣列具有特殊的層狀結(jié)構(gòu)，具有比表面高

按照《關(guān)于下達(dá)2022 年中國(guó)混凝土與水泥制品協(xié)會(huì)標(biāo)準(zhǔn)修制定計(jì)劃（第三批）的通知》（中制協(xié)字[2022]25號(hào)）的要求，由中國(guó)礦業(yè)大學(xué)（北京）、北京空間智筑技術(shù)有限公司、中國(guó)混凝土與水泥制品協(xié)會(huì)等單位負(fù)責(zé)主編的團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)《建筑3D打印裝備技術(shù)要求》編制組成立暨第一次工作會(huì)議于2022年7月15日上午線上舉行。

在大面積柔性襯底上直接生長(zhǎng)集成高品質(zhì)晶硅納米線溝道是突破高性能柔性電子邏輯、可穿戴傳感和顯示等應(yīng)用的關(guān)鍵技術(shù)難點(diǎn)。然而，高品質(zhì)晶體溝道的獲得往往依賴高溫生長(zhǎng)過程（>800 ℃）-- 這恰恰是柔性聚合物襯底（熔點(diǎn)<150 ℃）所無法承受的！為此，南京大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院余林蔚教授、徐駿教授課題組基于自主創(chuàng)新的平面固-液-固（IPSLS）納米線生長(zhǎng)模式（近期工作Refs. 1-4），探索了一種全新的“激光-液滴”自聚焦局域加熱生長(zhǎng)策略，突破了傳統(tǒng)環(huán)境加熱技術(shù)的限制，利用柔性聚合物襯底（聚酰亞胺，PI）和金屬銦催化劑顆粒對(duì)特定激光（808 nm）輻照的高選擇性吸收差異，實(shí)現(xiàn)僅在液滴/納米線生長(zhǎng)界面附近范圍的高效局部加熱，以驅(qū)動(dòng)晶硅納米線在柔性襯底上的超高速度生長(zhǎng)：在不需要環(huán)境加熱的室溫“冷”環(huán)境下，其生長(zhǎng)速度可以高達(dá)3.5 μm/s，比傳統(tǒng)加熱方式納米線生長(zhǎng)速度提高了3個(gè)數(shù)量級(jí)。值得一提的是，即便在此高速生長(zhǎng)過程中，IPSLS納米線的生長(zhǎng)路徑依然可以被精確引導(dǎo)定位，并成功展示了豐富的線形調(diào)控能力。此外，由于納米金屬液滴具有極小的熱熔，通過調(diào)控激光照射時(shí)序，可以對(duì)納米線生長(zhǎng)動(dòng)態(tài)過程進(jìn)行前所未有的精確調(diào)控（例如，對(duì)生長(zhǎng)液滴實(shí)現(xiàn)瞬間“激活和冷卻”等操作），從而實(shí)現(xiàn)對(duì)超長(zhǎng)納米線的精準(zhǔn)形貌/直徑編碼?；诖思夹g(shù)，成功在柔性PI襯底上生長(zhǎng)高品質(zhì)納米線溝道，并制備了納米線場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）器件，其電流開關(guān)比和亞閾值擺幅分別為>104和386 mV/dec。此“激光-液滴”選擇性加熱生長(zhǎng)策略有望推廣應(yīng)用于：在各類大面積、低成本柔性襯底上的“冷”環(huán)境中，直接定位生長(zhǎng)和集成高品質(zhì)晶硅納米線陣列，為推動(dòng)各種高性能柔性電子器件的規(guī)?；瘧?yīng)用提供關(guān)鍵的材料支撐和全新的技術(shù)路線。

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