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本發(fā)明公開(kāi)了一種基于近景攝影測(cè)量技術(shù)的半孔率統(tǒng)計(jì)方法，采用近景攝影技術(shù)對(duì)爆后臺(tái)階預(yù)裂面 和光爆面進(jìn)行快速非接觸測(cè)量，獲取預(yù)裂面和光爆面空間三維信息，建立臺(tái)階面三維 DEM 模型。通過(guò) 影像識(shí)別技術(shù)，劃分預(yù)裂孔和光爆孔的孔痕，并根據(jù)孔痕在預(yù)裂面和光爆面上的不平整度來(lái)劃分每一個(gè) 炮孔半孔的長(zhǎng)度。統(tǒng)計(jì)所有炮孔的半孔信息，計(jì)算得出評(píng)價(jià)此次爆破效果的半孔率。優(yōu)點(diǎn)是：本發(fā)明可 以極大地提高半孔率的統(tǒng)計(jì)精度，減小統(tǒng)計(jì)誤差，降低作業(yè)成本；采用數(shù)字近景攝影測(cè)量技術(shù)，可以獲 取更加完整的預(yù)裂面和光爆面信息，有利于爆區(qū)信息的存儲(chǔ)，同時(shí)也可以提高預(yù)裂和光爆效果評(píng)價(jià)的可 靠度

產(chǎn)品詳細(xì)介紹  新型半金屬窗口對(duì)講機(jī)KDJ-3B  一.功能簡(jiǎn)介 1.全自動(dòng)雙向?qū)χv機(jī)，不用按鍵，自由交談 2.三種副機(jī)可自由選配，外型美觀 3.外話筒已置于副機(jī)內(nèi)，內(nèi)外只有一根連線，安裝簡(jiǎn)捷 4.對(duì)講系統(tǒng)語(yǔ)音逼真、清晰，內(nèi)外音量可自由調(diào)節(jié) 5.最新技術(shù)，微電腦處理電路，具靜噪功能，并徹底解決回音嘯叫問(wèn)題 6.可以用在任何窗口內(nèi)外交談困難的地方，適用于銀行，金融，售票窗口等不同工作環(huán)境 具有較寬的動(dòng)態(tài)工作范圍，有效適應(yīng)各種工作環(huán)境；超強(qiáng)的背景噪音抑制電路，靜態(tài)時(shí)本機(jī)無(wú)噪音； 線性音量控制功能，音量調(diào)節(jié)時(shí)無(wú)噪音；功率大，最大達(dá)8W(主機(jī)3W,付機(jī)5W)可長(zhǎng)時(shí)連續(xù)工作；自動(dòng)雙向錄音轉(zhuǎn)換 。 設(shè)計(jì)：專業(yè)窗口對(duì)講，適用服務(wù)窗口 外型:全新外觀設(shè)計(jì)，貼近客戶環(huán)境 音質(zhì)：音響芯片處理，純真優(yōu)美動(dòng)聽(tīng) 功能：通道自動(dòng)切換，監(jiān)聽(tīng)語(yǔ)音輸出 安裝：一線轉(zhuǎn)接內(nèi)外，靈活選擇整機(jī) 使用：音量獨(dú)立調(diào)節(jié)，靜音手動(dòng)選擇 維護(hù)：SMD表貼元件，經(jīng)久穩(wěn)定耐用 升級(jí)：不斷探索創(chuàng)新，客戶擁有信心 二.技術(shù)參數(shù) 通道控制：快速智能切換 頻率響應(yīng)：主機(jī)、副機(jī)200Hz-10KHz 輸出功率：主機(jī)2W，副機(jī)2W 規(guī)格：272(L)*165（W)*120（H)mm 失 真 度：小于2% 話筒插孔：3.5雙聲道插座 監(jiān)聽(tīng)插孔：3.5雙聲道插座 電源電壓：AC220V 50Hz DC12-15V 消耗功率：0.5W 中軟高科官網(wǎng)http://www.sfzydq.com  和www.kedejin.com    

本發(fā)明提供一種變壓器有載分接開(kāi)關(guān)的參數(shù)測(cè)試方法及裝置，該方法包括獲取變壓器有載分接開(kāi)關(guān)的交流電壓波形以及過(guò)渡電流波形；通過(guò)對(duì)過(guò)渡電流波形進(jìn)行派克變換，計(jì)算電流幅值，根據(jù)電流幅值變化數(shù)據(jù)通過(guò)離線辨識(shí)算法，判定變壓器有載分接開(kāi)關(guān)切換過(guò)程各階段，得出相應(yīng)的過(guò)渡時(shí)間，計(jì)算變壓器有載分接開(kāi)關(guān)過(guò)渡電阻瞬時(shí)值。本發(fā)明通過(guò)對(duì)交流過(guò)渡電流信號(hào)進(jìn)行派克變換，并設(shè)計(jì)離線辨識(shí)算法，準(zhǔn)確計(jì)算出過(guò)渡電阻瞬時(shí)值，作為變壓器有載分接開(kāi)關(guān)是否正常的判據(jù)。保障了變壓器有載分接開(kāi)關(guān)的安全使用。與傳統(tǒng)的交流測(cè)試法相比較，本發(fā)明能夠準(zhǔn)確辨識(shí)有載分接開(kāi)關(guān)過(guò)渡過(guò)程各個(gè)階段并計(jì)算出過(guò)渡電阻值，誤差小，符合國(guó)家電力行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。

中藥炮制員，中藥專業(yè)，有實(shí)際工作經(jīng)驗(yàn)的師傅。

該技術(shù)通過(guò)分子設(shè)計(jì)和環(huán)境友好的水解反應(yīng)，利用頂角-戴帽法和官能團(tuán)剪裁等手段制備帶有多種可反應(yīng)性基團(tuán)的中空籠型納米材料。材料具有質(zhì)輕、透氣、超低介電常數(shù)、耐熱、易加工、可溶解性、生物相容性等特性，體現(xiàn)了不同于傳統(tǒng)納米材料的優(yōu)點(diǎn)，與聚合物有非常好的相容性和分散性。這類有機(jī)－無(wú)機(jī)雜化材料實(shí)現(xiàn)了將有機(jī)材料的耐熱性能和高強(qiáng)度與有機(jī)高分子材料的加工工藝簡(jiǎn)單完美結(jié)合的目的。 籠型倍半硅氧烷與高分子聚合物的相容性良好，基本可以達(dá)到分子級(jí)均勻分散，這是普通無(wú)機(jī)填料無(wú)法達(dá)到的，得益于籠型倍半硅氧烷分子具有有機(jī)部分，既使在惰性基團(tuán)取代籠型倍半硅氧烷中也可以與有機(jī)基體實(shí)現(xiàn)良好的相容行為。同時(shí)，材料的耐熱性能指標(biāo)（如玻璃化轉(zhuǎn)變溫度，5%質(zhì)量損失熱降解溫度）均有大幅度提高，這是因?yàn)榛\型倍半硅氧烷的Si－O骨架部分提供了優(yōu)異的抵抗熱沖擊性能，此外，還可以利用多官能化籠型倍半硅氧烷進(jìn)行交聯(lián)反應(yīng)實(shí)現(xiàn)三維交聯(lián)結(jié)構(gòu)，以進(jìn)一步提高耐溫性能。另外，籠型倍半硅氧烷可以作為各種催化劑和其他功能性材料的載體，在拓寬這些功能材料使用溫度的同時(shí)提高其某些性能，如提高電致發(fā)光材料的發(fā)光效率和發(fā)光純度，提高催化劑的催化效率和選擇性。 可以預(yù)見(jiàn)，隨著各個(gè)交叉學(xué)科領(lǐng)域的不斷擴(kuò)展，籠型倍半硅氧烷作為典型的有機(jī)-無(wú)機(jī)雜化材料的優(yōu)異性能將會(huì)引起人們?cè)絹?lái)越濃厚的研究興趣。 粒子尺寸：1.5～3nm；溶解性：根據(jù)官能團(tuán)不同，可溶解于有機(jī)溶劑或水；顏色：白色；耐熱性：熱分解溫度在250℃以上。可用于耐高溫材料、航空航天材料、復(fù)合材料、超低介電材料、塑料及纖維改性、功能高分子材料、特種涂料、生物材料等制備。在高附加值材料領(lǐng)域，應(yīng)用前景廣闊。項(xiàng)目投資300～400萬(wàn)。

由青島農(nóng)業(yè)大學(xué)與臨沭縣東泰機(jī)械有限公司聯(lián)合研制成功。能 一次性完成挖掘、輸送、去土、摘果、分離、清選及集果等作業(yè)。該機(jī)能夠適 應(yīng)倒伏花生的扶禾，其扶禾率可以達(dá)到 95%以上；研制的雙簧自動(dòng)漲緊夾秧機(jī)構(gòu)， 無(wú)需人工調(diào)節(jié)，在工作中自動(dòng)緩沖漲緊，穩(wěn)定性好；研制的對(duì)輥差相半喂入摘 果機(jī)構(gòu)，動(dòng)力消耗少，秧蔓完整，摘凈率可以達(dá)到 99.5%，果實(shí)無(wú)破碎；成功研 制的清選機(jī)構(gòu)，降低了發(fā)動(dòng)機(jī)的動(dòng)力消耗，果實(shí)清潔，潔凈率達(dá)到 95%以上。經(jīng) 山東省農(nóng)業(yè)機(jī)械試驗(yàn)鑒定站檢測(cè)主要性能指標(biāo)達(dá)到或超過(guò)了任務(wù)書(shū)的要求。并 經(jīng)農(nóng)業(yè)部組織專家鑒定認(rèn)為，整機(jī)主要性能指標(biāo)達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平。項(xiàng)目具有青島農(nóng)業(yè)大學(xué)科技成果介紹 2017 －64－ 廣闊的推廣前景。 

本發(fā)明公開(kāi)了一種面向工控系統(tǒng)信息安全防護(hù)的半實(shí)物演示驗(yàn)證平臺(tái)及方法；該平臺(tái)包括依次相連的物理層、控制層和監(jiān)控層；物理層用于構(gòu)造并顯示虛擬的物理對(duì)象模型，并在控制層的控制指令的控制下模擬運(yùn)行物理對(duì)象模型，生成實(shí)時(shí)現(xiàn)場(chǎng)數(shù)據(jù)；控制層用于根據(jù)物理層上傳的生產(chǎn)實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)與監(jiān)控層下發(fā)的統(tǒng)一調(diào)度指令，根據(jù)內(nèi)嵌的信息安全防護(hù)算法生成控制指令；監(jiān)控層用于根據(jù)控制層上傳的系統(tǒng)實(shí)時(shí)運(yùn)行數(shù)據(jù)和控制指令生成統(tǒng)一調(diào)度指令，實(shí)現(xiàn)對(duì)實(shí)際生產(chǎn)過(guò)程進(jìn)行實(shí)時(shí)的監(jiān)測(cè)與控制

通過(guò)電輸運(yùn)、掃描隧道譜、比熱、抗磁性等系統(tǒng)的實(shí)驗(yàn)研究并結(jié)合第一性原理計(jì)算，在摻硫的第二類拓?fù)渫鉅柊虢饘俣诨f單晶中發(fā)現(xiàn)了非平庸超導(dǎo)態(tài)的特征。實(shí)驗(yàn)中所使用的硫摻雜的高質(zhì)量二碲化鉬晶體是通過(guò)化學(xué)氣相輸運(yùn)的方法合成的，摻雜比例約為0.2。 首先通過(guò)準(zhǔn)粒子干涉實(shí)驗(yàn)與第一性原理計(jì)算相結(jié)合，在樣品表面探測(cè)到了費(fèi)米弧拓?fù)浔砻鎽B(tài)的存在。最后通過(guò)掃描隧道譜學(xué)和比熱的測(cè)量對(duì)比，發(fā)現(xiàn)樣品表面態(tài)的超導(dǎo)能隙遠(yuǎn)大于體態(tài)的超導(dǎo)能隙，而且該樣品表面態(tài)的能隙與臨界溫度的比值（Δ/kBTc）約為8.6，遠(yuǎn)大于常規(guī)超導(dǎo)材料的能隙與臨界溫度的比值（約為1.76），表明了表面態(tài)具有非常規(guī)超導(dǎo)庫(kù)珀對(duì)配對(duì)機(jī)制，極可能是拓?fù)涑瑢?dǎo)的普適特征。然后通過(guò)電輸運(yùn)測(cè)量和比熱測(cè)量，發(fā)現(xiàn)這種材料為s波超導(dǎo)體，且它的超導(dǎo)能隙的帶間耦合很強(qiáng)，超導(dǎo)對(duì)稱性應(yīng)為s+- 對(duì)稱性。這可能是繼鐵基高溫超導(dǎo)之后，又一種新的s+-超導(dǎo)體。而且根據(jù)理論預(yù)言，拓?fù)渫鉅柊虢饘僦衧+-對(duì)稱性的超導(dǎo)態(tài)會(huì)形成拓?fù)涑瑢?dǎo)態(tài)。摻硫的第二類拓?fù)渫鉅柊虢饘俣诨f單晶中拓?fù)涑瑢?dǎo)特征的發(fā)現(xiàn)，證實(shí)了外爾半金屬中實(shí)現(xiàn)拓?fù)涑瑢?dǎo)的可行性，推動(dòng)了拓?fù)涑瑢?dǎo)相關(guān)領(lǐng)域的進(jìn)一步發(fā)展，也為拓?fù)淞孔佑?jì)算機(jī)的最終實(shí)現(xiàn)奠定了前期的科研基礎(chǔ)。圖一. 電磁輸運(yùn)實(shí)驗(yàn)觀測(cè)到的s+- 超導(dǎo)的證據(jù)，揭示拓?fù)涑瑢?dǎo)的可能性。 (A) 電磁輸運(yùn)實(shí)驗(yàn)的測(cè)量示意圖。 (B) 超導(dǎo)轉(zhuǎn)變溫度附近的電阻率-溫度關(guān)系。(C) 各個(gè)溫度和磁場(chǎng)下的電阻率。(D) 超導(dǎo)上臨界磁場(chǎng)和溫度的關(guān)系。紅色的線是兩帶超導(dǎo)模型的擬合曲線，擬合結(jié)果發(fā)現(xiàn)帶間耦合比較大，表明該超導(dǎo)行為是s+- 超導(dǎo)。圖二. 掃描隧道顯微鏡觀發(fā)現(xiàn)表面態(tài)的超導(dǎo)能隙遠(yuǎn)超過(guò)體態(tài)的超導(dǎo)能隙，揭示出拓?fù)涑瑢?dǎo)的可能性。(A) 4 K和0.4 K下樣品表面的微分電導(dǎo)dI/dV譜。在0.4 K下，超導(dǎo)能隙是1.7 meV，遠(yuǎn)大于體態(tài)的超導(dǎo)能隙，且能隙與臨界溫度的比值約為約為8.6，遠(yuǎn)大于常規(guī)超導(dǎo)材料的能隙與臨界溫度的比值（1.76）。4 K時(shí)樣品處于非超導(dǎo)態(tài)。(B) 0.4 K超導(dǎo)dI/dV譜和各向同性BCS超導(dǎo)譜的對(duì)比。(C) 0.4 K時(shí)，不同磁場(chǎng)下的超導(dǎo)dI/dV譜，超導(dǎo)能隙被外加磁場(chǎng)所抑制。

本發(fā)明公開(kāi)了一種面向工控系統(tǒng)信息安全防護(hù)的半實(shí)物演示驗(yàn)證平臺(tái)及方法；該平臺(tái)包括依次相連的物理層、控制層和監(jiān)控層；物·735·理層用于構(gòu)造并顯示虛擬的物理對(duì)象模型，并在控制層的控制指令的控制下模擬運(yùn)行物理對(duì)象模型，生成實(shí)時(shí)現(xiàn)場(chǎng)數(shù)據(jù)；控制層用于根據(jù)物理層上傳的生產(chǎn)實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)與監(jiān)控層下發(fā)的統(tǒng)一調(diào)度指令，根據(jù)內(nèi)嵌的信息安全防護(hù)算法生成控制指令；監(jiān)控層用于根據(jù)控制層上傳的系統(tǒng)實(shí)時(shí)運(yùn)行數(shù)據(jù)和控制指令生成統(tǒng)一調(diào)度指令，

徐虎課題組提出了關(guān)于在磁性Weyl半金屬中實(shí)現(xiàn)偶數(shù)對(duì)Weyl點(diǎn)的新思路。Weyl半金屬的電子低能激發(fā)可以用粒子物理中的兩分量狄拉克（Dirac）方程即外爾（Weyl）方程來(lái)描述，因此這類材料體系被稱為Weyl 半金屬。Weyl半金屬中能帶交叉的點(diǎn)（Weyl點(diǎn)）可以看著動(dòng)量空間中的磁單極。 由于Weyl點(diǎn)的兩重簡(jiǎn)并特性，Weyl半金屬通常需要破壞空間反演對(duì)稱（非磁性）或者破壞時(shí)間反演對(duì)稱（磁性）。非磁Weyl半金屬已經(jīng)在TaAs系列材料中得到實(shí)驗(yàn)確認(rèn)。相對(duì)于非磁Weyl半金屬，磁性Weyl半金屬的研究更為重要。但是，由于磁基態(tài)的復(fù)雜性和磁空間群的多樣性，磁性Weyl半金屬研究進(jìn)展相當(dāng)緩慢。到目前為止，理論上還沒(méi)有一種有效的方法可以對(duì)磁性Weyl半金屬進(jìn)行分類和設(shè)計(jì)。長(zhǎng)期以來(lái)，人們普遍認(rèn)為具有空間反演對(duì)稱的磁性Weyl半金屬中的Weyl點(diǎn)數(shù)目為奇數(shù)對(duì)，對(duì)偶數(shù)對(duì)Weyl點(diǎn)的系統(tǒng)鮮有報(bào)道。