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本發(fā)明公開(kāi)了一種電場(chǎng)輔助的硅通孔刻蝕工藝，包括步驟：（1）在單晶硅片上旋涂光刻膠并通過(guò)光學(xué)光刻或電子束光刻得到光刻膠圖形 ；（ 2 ） 鍍 上 銀 膜 或 金 膜 ；（ 3 ） 在 電 場(chǎng) 之 中 ， 采 用 HF 、H₂O₂和去離子水的混合溶液作為刻蝕劑進(jìn)行金屬催化刻蝕；（4）去除光刻膠；（5）去除單晶硅片上殘留的金屬膜并進(jìn)行清洗處理。本發(fā)明通過(guò)在刻蝕過(guò)程中控制電場(chǎng)強(qiáng)度，由此形成從數(shù)十納米至數(shù)

合作的企業(yè)類(lèi)型等。簡(jiǎn)介請(qǐng)圖文并茂，字?jǐn)?shù)1000字以內(nèi)。） 本項(xiàng)目針對(duì)薄壁群孔結(jié)構(gòu)，研制出專用工藝及裝備，可顯著提高生產(chǎn)效率，降低制造成本，最小加工孔徑0.5mm,最大板厚1mm。適用于航空航天、電子等行業(yè)。研制出電鑄微小群孔的工藝，可實(shí)現(xiàn)最小孔徑為數(shù)微米直徑的群孔制造；研制出群坑結(jié)構(gòu)高效電解加工工藝及裝置，可實(shí)現(xiàn)活塞環(huán)、活塞及氣缸內(nèi)表面群坑的制造，目前最小加工坑直徑為0.2mm。

發(fā)榜企業(yè)：廣東中愛(ài)醫(yī)療科技股份有限公司 懸賞金額：5萬(wàn)元 需求領(lǐng)域：圖形圖像處理、自動(dòng)化與智能控制技術(shù) 技術(shù)關(guān)鍵詞：圖形和圖像軟件、人工智能 支柱產(chǎn)業(yè)集群：生物醫(yī)藥與健康產(chǎn)業(yè)集群

簡(jiǎn)單介紹： 小鼠五孔注意力測(cè)試系統(tǒng)基于視覺(jué)上的辨別力，通過(guò)運(yùn)行5-CSRTT任務(wù)(5-choice serial reaction time task)， 測(cè)試動(dòng)物的注意力、沖動(dòng)性(impulsivity)等一系列行為學(xué)指標(biāo)，主要用于注意力缺失/多動(dòng)綜合癥(attention deficit/hyperactivity disorder, ADHD)、老年癡呆、精神分裂癥等精神**研究。 詳情介紹：   圖1：設(shè)備箱體俯視圖 圖2：硬件布局 圖3：軟件界面     圖4：四鼠同時(shí)訓(xùn)練圖 圖5：實(shí)驗(yàn)流程圖   訓(xùn)練開(kāi)始時(shí)，前面板的五個(gè)探鼻孔指示燈之一隨機(jī)亮起，大/小鼠如果探鼻進(jìn)入該孔，那么返回獎(jiǎng)勵(lì)孔可以獲得食物或水作為獎(jiǎng)勵(lì)。初始參數(shù)設(shè)置一般為：SD, 30s; LH, 30s; ITI, 2s; TO, 5s。**訓(xùn)練一個(gè)session，一個(gè)session包括100個(gè)trials。   參數(shù)說(shuō)明： Trial：可以理解為大/小鼠一次操作，正確操作包括探鼻進(jìn)入前面板探鼻孔直至*后獲取獎(jiǎng)勵(lì)結(jié)束。如果做錯(cuò)，trial提前終止。 Stimulus duration (SD)：探鼻孔指示燈亮的時(shí)間。 Limited Hold (LH)：從探鼻孔指示燈亮到大/小鼠探鼻進(jìn)入所花費(fèi)的*長(zhǎng)時(shí)間不能超過(guò)LH，否則操作錯(cuò)誤。 Intertrial Interval (ITI)：連續(xù)兩次trial之間的時(shí)間間隔。 Timeout (TO)：大/小鼠操作錯(cuò)誤時(shí)的懲罰時(shí)間。在這段時(shí)間內(nèi)所有燈熄滅。 隨著訓(xùn)練次數(shù)的增加，如果大/小鼠在一次session能至少做對(duì)30次trials，可以逐漸降低SD以及增加ITI，直至達(dá)到我們的訓(xùn)練要求。 分析指標(biāo)： Correct：正確反應(yīng)次數(shù) Incorrect：錯(cuò)誤反應(yīng)次數(shù) Premature：過(guò)早反應(yīng)次數(shù) Omission：錯(cuò)失次數(shù) Latency to Stimulus：探洞潛伏期 Latency to reward：獲得獎(jiǎng)賞潛伏期

簡(jiǎn)單介紹： 大鼠五孔注意力測(cè)試系統(tǒng)基于視覺(jué)上的辨別力，通過(guò)運(yùn)行5-CSRTT任務(wù)(5-choice serial reaction time task)， 測(cè)試動(dòng)物的注意力、沖動(dòng)性(impulsivity)等一系列行為學(xué)指標(biāo)，主要用于注意力缺失/多動(dòng)綜合癥(attention deficit/hyperactivity disorder, ADHD)、老年癡呆、精神分裂癥等精神**研究。 詳情介紹： 圖1：設(shè)備箱體俯視圖 圖2：硬件布局 圖3：軟件界面     圖4：四鼠同時(shí)訓(xùn)練圖 圖5：實(shí)驗(yàn)流程圖   訓(xùn)練開(kāi)始時(shí)，前面板的五個(gè)探鼻孔指示燈之一隨機(jī)亮起，大/小鼠如果探鼻進(jìn)入該孔，那么返回獎(jiǎng)勵(lì)孔可以獲得食物或水作為獎(jiǎng)勵(lì)。初始參數(shù)設(shè)置一般為：SD, 30s; LH, 30s; ITI, 2s; TO, 5s。**訓(xùn)練一個(gè)session，一個(gè)session包括100個(gè)trials。   參數(shù)說(shuō)明： Trial：可以理解為大/小鼠一次操作，正確操作包括探鼻進(jìn)入前面板探鼻孔直至*后獲取獎(jiǎng)勵(lì)結(jié)束。如果做錯(cuò)，trial提前終止。 Stimulus duration (SD)：探鼻孔指示燈亮的時(shí)間。 Limited Hold (LH)：從探鼻孔指示燈亮到大/小鼠探鼻進(jìn)入所花費(fèi)的*長(zhǎng)時(shí)間不能超過(guò)LH，否則操作錯(cuò)誤。 Intertrial Interval (ITI)：連續(xù)兩次trial之間的時(shí)間間隔。 Timeout (TO)：大/小鼠操作錯(cuò)誤時(shí)的懲罰時(shí)間。在這段時(shí)間內(nèi)所有燈熄滅。 隨著訓(xùn)練次數(shù)的增加，如果大/小鼠在一次session能至少做對(duì)30次trials，可以逐漸降低SD以及增加ITI，直至達(dá)到我們的訓(xùn)練要求。 分析指標(biāo)： Correct：正確反應(yīng)次數(shù) Incorrect：錯(cuò)誤反應(yīng)次數(shù) Premature：過(guò)早反應(yīng)次數(shù) Omission：錯(cuò)失次數(shù) Latency to Stimulus：探洞潛伏期 Latency to reward：獲得獎(jiǎng)賞潛伏期

簡(jiǎn)單介紹： 五孔注意力測(cè)試系統(tǒng)基于視覺(jué)上的辨別力，通過(guò)運(yùn)行5-CSRTT任務(wù)(5-choice serial reaction time task)， 測(cè)試動(dòng)物的注意力、沖動(dòng)性(impulsivity)等一系列行為學(xué)指標(biāo)，主要用于注意力缺失/多動(dòng)綜合癥(attention deficit/hyperactivity disorder, ADHD)、老年癡呆、精神分裂癥等精神**研究。 詳情介紹： 圖1：設(shè)備箱體俯視圖 圖2：硬件布局 圖3：軟件界面     圖4：四鼠同時(shí)訓(xùn)練圖 圖5：實(shí)驗(yàn)流程圖   訓(xùn)練開(kāi)始時(shí)，前面板的五個(gè)探鼻孔指示燈之一隨機(jī)亮起，大/小鼠如果探鼻進(jìn)入該孔，那么返回獎(jiǎng)勵(lì)孔可以獲得食物或水作為獎(jiǎng)勵(lì)。初始參數(shù)設(shè)置一般為：SD, 30s; LH, 30s; ITI, 2s; TO, 5s。**訓(xùn)練一個(gè)session，一個(gè)session包括100個(gè)trials。   參數(shù)說(shuō)明： Trial：可以理解為大/小鼠一次操作，正確操作包括探鼻進(jìn)入前面板探鼻孔直至*后獲取獎(jiǎng)勵(lì)結(jié)束。如果做錯(cuò)，trial提前終止。 Stimulus duration (SD)：探鼻孔指示燈亮的時(shí)間。 Limited Hold (LH)：從探鼻孔指示燈亮到大/小鼠探鼻進(jìn)入所花費(fèi)的*長(zhǎng)時(shí)間不能超過(guò)LH，否則操作錯(cuò)誤。 Intertrial Interval (ITI)：連續(xù)兩次trial之間的時(shí)間間隔。 Timeout (TO)：大/小鼠操作錯(cuò)誤時(shí)的懲罰時(shí)間。在這段時(shí)間內(nèi)所有燈熄滅。 隨著訓(xùn)練次數(shù)的增加，如果大/小鼠在一次session能至少做對(duì)30次trials，可以逐漸降低SD以及增加ITI，直至達(dá)到我們的訓(xùn)練要求。       分析指標(biāo)： Correct：正確反應(yīng)次數(shù) Incorrect：錯(cuò)誤反應(yīng)次數(shù) Premature：過(guò)早反應(yīng)次數(shù) Omission：錯(cuò)失次數(shù) Latency to Stimulus：探洞潛伏期 Latency to reward：獲得獎(jiǎng)賞潛伏期

電機(jī)系李琦副教授、何金良教授等在《自然·通訊》（Nature Communications）期刊上發(fā)表了題為“基于聚合物-分子半導(dǎo)體全有機(jī)復(fù)合材料的高溫電容薄膜”（Polymer/molecular semiconductor all-organic composites for high-temperature dielectric energy storage）的研究論文，首次研制出 200 攝氏度高效介電儲(chǔ)能的全有機(jī)復(fù)合薄膜。這類(lèi)全有機(jī)復(fù)合介電材料在 200 攝氏度高溫條件下的介電儲(chǔ)能性能不僅遠(yuǎn)超過(guò)目前最好的高溫聚合物及聚合物納米復(fù)合介電材料，并接近商業(yè)化聚合物電容薄膜室溫下性能；在大幅提升高溫介電儲(chǔ)能特性的同時(shí)還實(shí)現(xiàn)了大面積、性能均勻的薄膜制備，為實(shí)現(xiàn)薄膜電容器在 200 攝氏度嚴(yán)酷溫度環(huán)境下應(yīng)用提供了可能。 聚合物薄膜電容器具有介電強(qiáng)度高、能量損耗低以及自愈性好等優(yōu)點(diǎn)，在全球工業(yè)電容器市場(chǎng)占有率超過(guò)其它類(lèi)型電容產(chǎn)品。然而，聚合物介電材料的絕緣性能對(duì)溫度極其敏感，在高溫、高電場(chǎng)作用下泄漏電流呈指數(shù)上升、放電效率急劇下降，最終造成電容器過(guò)熱損壞。目前主流商業(yè)薄膜電容器僅在 105 攝氏度以下工作，長(zhǎng)期工作溫度低于 70 攝氏度。另一方面，隨著電子器件和電力、能源設(shè)備功率不斷增大以及對(duì)小型化和緊湊型功率模塊的持續(xù)追求，電子材料的工作溫度要求快速提高，薄膜電容器介電材料已成為高溫電子器件和設(shè)備的技術(shù)瓶頸。 該論文采用了一種與前期方法截然不同的技術(shù)路線——利用有機(jī)光伏中電子受體材料的強(qiáng)得電子能力，實(shí)現(xiàn)了在高溫聚合物中構(gòu)筑深電荷陷阱。這種有機(jī)分子半導(dǎo)體型的電子受體材料具有極高的電子親和能，被廣泛應(yīng)用于有機(jī)光伏中激子在異質(zhì)結(jié)界面高效分離。它們可通過(guò)其表面靜電勢(shì)分布的極不均勻特性，對(duì)自由電子產(chǎn)生強(qiáng)束縛作用。通過(guò)向耐熱聚合物中摻雜極少量高電子親和能有機(jī)分子半導(dǎo)體制備了全有機(jī)復(fù)合高溫介電材料。這類(lèi)材料在 200 攝氏度和 200kV/mm 電場(chǎng)條件下，電阻率比高溫聚合物提升兩個(gè)數(shù)量級(jí)以上；200 攝氏度、放電效率90%以上的能量密度是目前最好的聚合物高溫介電材料的 2.3 倍。此外，全有機(jī)復(fù)合體系解決了傳統(tǒng)有機(jī)-無(wú)機(jī)復(fù)合體系中高表面能粒子分散不均和引入界面缺陷等問(wèn)題，在薄膜品質(zhì)和規(guī)模化制備等方面具有顯著優(yōu)勢(shì)。

一、項(xiàng)目分類(lèi) 關(guān)鍵核心技術(shù)突破 二、成果簡(jiǎn)介 隨著電力需求的不斷增長(zhǎng)，高性能儲(chǔ)能裝置對(duì)現(xiàn)代社會(huì)的可持續(xù)發(fā)展起著至關(guān)重要的作用。與超級(jí)電容器和鋰電池相比，脈沖儲(chǔ)能電介質(zhì)電容器擁有超高的可釋放功率密度，高的操作電壓、極快的充放電速率以及長(zhǎng)的循環(huán)壽命，是重要的新型功率儲(chǔ)能器件，在新能源汽車(chē)、高端醫(yī)療器械、智能電網(wǎng)調(diào)頻、可控核聚變、電磁炮等高功率脈沖技術(shù)的軍民領(lǐng)域有著重要應(yīng)用。

本發(fā)明公開(kāi)了一種抗還原高頻高介陶瓷介質(zhì)及其制備方法。采 用固相反應(yīng)法合成的 xBaO-yNd2O3-ySm2O3-zTiO2 為主晶相材料，加 入改性添加劑，改性添加劑選自 BaO、CuO、B2O3 或 BaO、B2O3、 MnO2、CuO，改性添加劑在介質(zhì)材料的配方組成中所占的摩爾質(zhì)量百 分比為 35.5～119.5mol％；經(jīng)濕法球磨、干燥，從而獲得一種能夠以 鎳或鎳合金作為內(nèi)電極，適合在還原氣氛中燒結(jié)的陶瓷介質(zhì)材料、該

本發(fā)明公開(kāi)了一種抗還原高頻高介陶瓷介質(zhì)及其制備方法。采 用固相反應(yīng)法合成的 xBaO-yNd2O3-ySm2O3-zTiO2 為主晶相材料，加 入改性添加劑，改性添加劑選自 BaO、CuO、B2O3 或 BaO、B2O3、 MnO2、CuO，改性添加劑在介質(zhì)材料的配方組成中所占的摩爾質(zhì)量百 分比為 35.5～119.5mol％；經(jīng)濕法球磨、干燥，從而獲得一種能夠以 鎳或鎳合金作為內(nèi)電極，適合在還原氣氛中燒結(jié)的陶瓷介質(zhì)材料、該