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CIGS 薄膜太陽電池具有效率高，無衰退、抗幅射、壽命長等特點，采用非真空技術可以進一步降低這種電池的成本，預計可達到0.3$/W。 本項目產品結構為：襯底/Mo/CIGS/CdS/i-ZnO/ZnO:Al/Ni-Al；其中光吸收層 CIGS 薄膜為 p 型半導體，其表面貧 Cu 呈 n 型與緩沖層CdS 和 i-ZnO 共同成為 n 層，構成淺埋式 p-n 結。太陽光照射在電池上產生電子與空穴，被 p-n 結的自建電場分離，從而輸出電能。工藝流程：普通鈉鈣玻璃清洗→Mo 的濺射沉積→非真空法分步電沉積Cu-In-Ga 金屬預置層→快速加熱硒硫化處理（RTP）→化學水浴法沉積 CdS 或 ZnS→本征 ZnO 濺射沉積→ZnO:Al 透明導電膜的濺射沉積→Ni/Al 電極沉積，等。

CIGS 薄膜太陽電池具有效率高，無衰退、抗幅射、壽命長等特 點，采用非真空技術可以進一步降低這種電池的成本，預計可達到 0.3$/W。 本項目產品結構為：襯底/Mo/CIGS/CdS/i-ZnO/ZnO:Al/Ni-Al；其 中光吸收層 CIGS 薄膜為 p 型半導體，其表面貧 Cu 呈 n 型與緩沖層 CdS 和 i-ZnO 共同成為 n 層，構成淺埋式 p-n 結。太陽光照射在電池 上產生電子與空穴，被 p-n 結的自建電場分離，從而輸出電能。工藝 流程：普通鈉鈣玻璃清洗→Mo的濺射沉積→非真空法分步電沉積CuIn-Ga 金屬預置層→快速加熱硒硫化處理（RTP）→化學水浴法沉積 CdS 或 ZnS→本征 ZnO 濺射沉積→ZnO:Al 透明導電膜的濺射沉積→ Ni/Al 電極沉積，等。 

1 成果簡介GaN 基的發光二極管（ LED）作為一種新型高效的固體能源，將成為人類照明史上繼白熾燈、熒光燈之后的第三代照明工具。外延 GaN 使用最廣泛的襯底是藍寶石，與普通的平整藍寶石襯底相比，經生長或刻蝕的方式制作出的具有周期性凸凹起伏結構的圖案化藍寶石襯底，可以減少外延生長 GaN 的位錯密度，改善晶體質量，提升 LED 內量子效率。同時圖案化的藍寶石襯底有效解決了由于 GaN 材料折射率大引起的全反射問題，增加了光提取效率。研究表明，微米級圖案化藍寶石襯底可以大幅度提高 LED 的芯片亮度，而使用納米級的圖案化藍寶石襯底亮度將更高。目前雖然可以制造出微米級圖案化藍寶石襯底，但是需要進行黃光光刻工藝，存在成本高且產率低等問題；如果要形成納米級周期性結構，所采用的次微米圖形加工工藝昂貴， 500nm 以下的圖形成本更高。我們以化學自組裝工藝代替傳統半導體光刻工藝，發展出一種低成本的納米級圖案化藍寶石襯底加工技術，以提供 LED 企業急需的面向高端產品（高亮度、大功率照明用 LED）的藍寶石襯底。2 應用說明本技術以膠體納米球作為構筑基元，利用化學自組裝方法制備大面積（可達 4 英寸）膠體晶體單層——一種納米級有序排列形成的周期性結構（圖 1），再通過干法刻蝕或者濕法腐蝕的方法將該周期性結構轉移到藍寶石襯底上，從而得到納米級圖案化藍寶石襯底（圖2）。 整個方法建立在化學自組裝技術基礎上，擯棄了傳統半導體光刻工藝，快速、重復性好，大大降低了納米級圖案化藍寶石襯底的制備成本，從而為外延生長高亮度、大功率照明用 GaN 材料提供更高質量、更低成本的藍寶石襯底。  圖 1 化學自組裝方法在 2 英寸藍寶石襯底上制備的膠體晶體單層及其微細結構。  圖 2 納米級圖案化藍寶石襯底， 左圖為蒙古包狀圖形襯底， 右圖為凹坑狀圖形襯底。3 效益分析目前我國照明行業產值已達 800 多億元，市場對高端 LED 產品的需求越來越旺盛。為了提高 LED 的發光效率，除采用優化的外延結構外，使用圖案化藍寶石襯底是廣泛采用的方法之一。目前高光效圖案化藍寶石襯底的市場年需求量為 1000 多萬片，并且隨著我國“ 十城萬盞” 計劃的推進，每年的需求量將有一個很大的遞增。當前的圖案化藍寶石襯底無論在國內市場還是國際市場都是供不應求，而在中國國內還未有相應的技術和方法，外延所需的圖案化襯底主要從美國、韓國和臺灣進口。因此，面對市場對高端 LED 產品的需求，納米級圖案化襯底的市場規模巨大，前景非常好。本項目攜手藍寶石襯底企業或 LED 企業，瞄準 LED 高端市場的需求，生產目前 LED 企業急需的納米級圖案化藍寶石襯底，力爭成為國內首家納米級圖案化藍寶石襯底專業制造商。4 合作方式技術轉讓或合作開發，商談。5 所屬行業領域能源環境。

本實用新型公開了一種低成本低待機功耗的費控斷路器控制系統。控制系統包括電路部分和非電路部分，電路部分包括功率供電模塊、線性供電模塊、電機驅動模塊、控制器模塊和費控信號接收模塊，非電路部分包括限位開關/模式選擇開關、動作電機以及外殼傳動結構。本實用新型在成本和體積上有相當的優勢，同時具有很強的EMC耐受能力，能在浪涌、快變脈沖和靜電放電干擾下保證正常的控制邏輯，可以僅使用一個8引腳的51內核單片機作為控制器，配合少量電阻電容等無源器件，實現所有的費控功能。

機械裝備構件的輕量化和可靠性分析是機械裝備設計和制造永恒的主題之一，對于汽車行業來說，輕量化意味著節能環保，高可靠性意味著更高的安全性能；而對航空航天和國防軍事裝備構件來說，解決輕量化和高可靠性的問題更是迫在眉睫。機械裝備構件的輕量化不僅對節約成本、節能減排等方面有重要作用，而且對機械裝備構件設計和制造技術進步有著重要的意義。本項目針對機械裝備在加工過程中，主軸端出現較大變形以及機床在快速移動過程中立柱出現較大振動的現象進行分析研究，并對機床的結構和進給系統進行優化分析，使得機床主軸末端在加工過程中的變形量不超過0.01mm；將機床的一階共振頻率提高約30%，同時使得機床的重量下降約10%。

內容介紹： 金屬氧化物半導體氣敏材料由于具有靈敏度高、響應一恢復快、制備 簡單、價格低廉、選擇性可方便通過材料表面修飾等進行改善的優點， 在傳感器領域具有很好的應用前景和實用價值。 本項目利用環境友好、低成本的低溫方法合成了納米材料，通過材料 成分的設計和工藝參數的調控來獲得具有形貌可控的納米材料，將其應 用到氣敏元件。通過其對可燃和有毒氣

本發明提供了一種低成本高活性催化型脫硫活性焦，為經過活化處理的、主要組分為炭化煙煤和軟錳礦經擠出成型的型料，其中錳的重量含量不低于1.6％，該脫硫活性焦的飽和硫容量為140～181mg/g，比表面積為319～363m2/g，碘值為344～393mg/g。其制備方法：首先將煙炭化，分別將軟錳礦和煙煤炭化料粉碎成粉料，向煙煤炭化料粉料中加入軟錳礦粉料并混合均勻，然后加入水，混合至物料中無粉料團聚體時，加入煤焦油，充分混捏后擠出成型并烘干，再將烘干后的型料在N2保護、通入水蒸汽的條件下進行活化反應，最后在N2保護下隨爐冷卻至室溫，即得。本發明能解決目前使用的脫硫活性焦存在的脫硫容量低，再生頻繁，使用量大，運行成本高等問題。

成果簡介造紙工藝中的高濃度廢水成分復雜、 有機質極高， 難以達標處理， 導致部分中小型企業直接排放， 造成極大的環境污染問題。 所提出的復配混凝沉降+空氣催化氧化+兩級電催化氧化處理技術， 可以實現有機質的有效提質， 達成水資源和有機質的返生產循環消納或是商品化高效利用目的。成熟程度和所需建設條件已完成實驗室研發， 如下圖所示； 在現有廢水處理設備基礎上加以改進即可。

CIGS薄膜太陽電池具有效率高，無衰退、抗幅射、壽命長等特點，采用非真空技術可以進一步降低這種電池的成本，預計可達到0.6$/W。 本項目產品結構為：襯底/Mo/CIGS/CdS/i-ZnO/ZnO:Al/Ni-Al；其中光吸收層CIGS薄膜為p型半導體，其表面貧Cu呈n型與緩沖層CdS和i-ZnO共同成為n層，構成淺埋式p-n結。太陽光照射在電池上產生電子與空穴，被p-n結的自建電場分離，從而輸出電能。工藝流程：普通鈉鈣玻璃清洗→Mo的濺射沉積→非真空法沉積CIGS薄膜預置層→快速