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產(chǎn)品詳細(xì)介紹

產(chǎn)品詳細(xì)介紹

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小試階段/n本發(fā)明涉及一種Si3N4/SiCW復(fù)相結(jié)合SiC耐火材料及其制備方法。其技術(shù)方案是：以50~75wt%的碳化硅、18~36wt%的單質(zhì)硅和2~15wt%的碳為原料，外加所述原料3~7wt%的改性結(jié)合劑，攪拌均勻，機(jī)壓成型，成型后的坯體在220℃條件下干燥8~48小時(shí)；干燥后的坯體在氮?dú)鈿夥罩袩桑S爐自然冷卻至室溫，即得Si3N4/SiCW復(fù)相結(jié)合SiC耐火材料。所述燒成的溫度制度是：先升溫至890~920℃，保溫1~3小時(shí)；再升溫至1180~1350℃，保溫4~10小時(shí)；然后升溫至在1

本發(fā)明提供一種制備 N-甲基烏洛托品鹽的方法，將烏洛托品和質(zhì)子酸生成的質(zhì)子化烏洛托品鹽在適 宜條件下直接轉(zhuǎn)化成 N-甲基烏洛托品鹽。其原理為:烏洛托品質(zhì)子化后生成含 N-H 鍵的叔胺陽離子; 陽離子的生成使與質(zhì)子化氮原子相連的烏洛托品骨架上的亞甲基活化，繼之在適宜條件下發(fā)生斷鏈、轉(zhuǎn) 移和插入 N+-H 鍵的反應(yīng)，最終生成 N-甲基烏洛托品陽離子，在這種亞甲基轉(zhuǎn)移反應(yīng)中，陰離子一般不 參與反應(yīng)。該制備方法不用其它甲基化試劑，涉及化學(xué)

產(chǎn)品詳細(xì)介紹

6N無氧銅編織帶實(shí)驗(yàn)室低溫減震導(dǎo)熱帶  錦正茂實(shí)驗(yàn)室低溫減震導(dǎo)熱帶，紫銅材質(zhì)，柔軟度好，導(dǎo)熱性好，產(chǎn)品平整光亮柔軟度好，編織緊密，光滑無毛刺，中間無間斷，高純無氧銅帶，純度達(dá)到6N即99.9999%。   您也可以在淘寶網(wǎng)首頁搜索“錦正茂科技”，就能看到我們的企業(yè)店鋪，聯(lián)系更加方便快速！ 6N無氧銅編織帶實(shí)驗(yàn)室低溫減震導(dǎo)熱帶 ※ 規(guī)格：2.84mm寬，1.3mm厚/4mm寬，1.3mm厚； ※ 材質(zhì)：紫銅； ※ 純度：6N即99.9999%； ※ 用途：實(shí)驗(yàn)室低溫減震導(dǎo)熱帶； ※ 優(yōu)點(diǎn)：產(chǎn)品平整光亮柔軟度好，編織緊密，光滑無毛刺，中間無間斷，導(dǎo)熱性好。 ※ 導(dǎo)熱系數(shù)：451(W/m.K)   您也可以在淘寶網(wǎng)首頁搜索“錦正茂科技”，就能看到我們的企業(yè)店鋪，聯(lián)系更加方便快速！ 您也可以在淘寶網(wǎng)首頁搜索“錦正茂科技”，就能看到我們的企業(yè)店鋪，聯(lián)系更加方便快速！ 作為北京高科技企業(yè)，錦正科技以現(xiàn)代高科技產(chǎn)業(yè)和傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)為核心業(yè)務(wù)，對(duì)內(nèi)承接科研生產(chǎn)任務(wù)，對(duì)外以商務(wù)平臺(tái)方式實(shí)現(xiàn)軍民兩用技術(shù)成果轉(zhuǎn)換，形成了科學(xué)管理的現(xiàn)代化經(jīng)營模式，專門從事物理、化學(xué)和材料等領(lǐng)域的科學(xué)儀器研發(fā)、銷售各類型超低溫測(cè)試設(shè)備（液氮 液氦）制冷機(jī)系統(tǒng)集成 ，定制 ，高低溫真空磁場發(fā)生系統(tǒng)，Helmholtz線圈（全套解決方案），電磁鐵（全系列支持定制），螺線管，電子槍（高穩(wěn)定性雙極性磁鐵恒流電源1ppm），高低溫磁場真空探針臺(tái)，霍爾測(cè)試系統(tǒng)，電輸運(yùn)測(cè)量解決方案，磁光克爾效應(yīng)測(cè)量系統(tǒng)等產(chǎn)品種類齊全，性能可靠，至今已有近10余年的歷史，是國內(nèi)（較早）生產(chǎn)探針臺(tái)，電輸運(yùn)，電磁鐵的廠家之一。 錦正茂始終秉承“誠信、合作、創(chuàng)造、共贏”的經(jīng)營理念，將現(xiàn)代化管理技術(shù)引入到產(chǎn)品生產(chǎn)與管理中，通過新的軍民融合平臺(tái)建設(shè)，形成具有一定市場競爭優(yōu)勢(shì)的高科技企業(yè)；其次，公司逐步形成以現(xiàn)代化高科技產(chǎn)業(yè)化帶動(dòng)企業(yè)價(jià)值增張的商業(yè)模式，堅(jiān)持“與時(shí)俱進(jìn)，科技創(chuàng)新”的思路，彰顯業(yè)務(wù)的核心優(yōu)勢(shì)，共創(chuàng)新的戰(zhàn)略制高點(diǎn)。