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本實用新型公開一種預(yù)制裝配鋼結(jié)構(gòu)可修復(fù)的抗震耗能連接節(jié)點，包括設(shè)置為四角柱形狀的預(yù)制柱以及分別安裝在預(yù)制柱的豎直四個側(cè)面的四個預(yù)制梁，所述每個預(yù)制梁均分為兩段式，其兩段式包括內(nèi)梁以及相對應(yīng)的與內(nèi)梁連接的外梁，所述內(nèi)梁的一端安裝在預(yù)制柱內(nèi)，內(nèi)梁的另一端設(shè)置在預(yù)制柱外；所述內(nèi)梁的兩側(cè)側(cè)壁以及與內(nèi)梁相對應(yīng)的外梁的兩側(cè)側(cè)壁上均安裝有鋼板，所述鋼板上均設(shè)置有若干個固定孔；所述內(nèi)梁內(nèi)部預(yù)設(shè)有穿出內(nèi)梁側(cè)端面的工字鋼，所述外梁內(nèi)部設(shè)置有工字孔，所述外梁通過工字鋼插入工字孔從而與內(nèi)梁連接一起。本實用新型綜合強(qiáng)度高，抗

1. 高壓IGBT器件封裝絕緣測試系統(tǒng) 針對高壓IGBT器件內(nèi)部承受的正極性重復(fù)方波電壓以及高溫工況，研制了針對高壓IGBT器件、芯片及封裝絕緣材料絕緣特性的測試系統(tǒng)（如圖1所示），可實現(xiàn)電壓波形參數(shù)、溫度和氣壓的靈活調(diào)控，用于研究電壓類型（交、直流、重復(fù)方波電壓）、波形參數(shù)、氣體種類、氣體壓力等因素對絕緣特性，具備放電脈沖電流測量、局部放電測量、放電光信號測量、漏電流測量及紫外光子測量等功能（如圖2所示），平臺相關(guān)參數(shù)：頻率：DC~20kHz，電壓：0~20kV，上升沿/下降沿：150ns可調(diào)，占空比：1%~99%，溫度：25℃~150℃，氣壓：真空~3個大氣壓。  2.壓接型IGBT器件并聯(lián)均流實驗系統(tǒng) 針對高壓大功率壓接型IGBT器件內(nèi)部的芯片間電流均衡問題，研制了針對壓接型IGBT器件的多芯片并聯(lián)均流實驗系統(tǒng)（如圖3所示），平臺具有靈活調(diào)節(jié)IGBT芯片布局，柵極布線，溫度和壓力分布的能力，可開展芯片參數(shù)、寄生參數(shù)以及壓力和溫度等多物理量對壓接型IGBT器件在開通/關(guān)斷過程芯片-封裝支路瞬態(tài)電流分布影響規(guī)律的研究，以及瞬態(tài)電流不均衡調(diào)控方法的研究；平臺相關(guān)參數(shù)：電壓：0~6.5kV，電流：0~3kA，溫度：25℃~150℃，壓力：0~50kN。   圖3 壓接型IGBT多芯片并聯(lián)均流實驗 3.高壓大功率IGBT器件可靠性實驗系統(tǒng) 隨著高壓大功率 IGBT 器件容量的進(jìn)一步提升，對其可靠性考核裝備在測量精度、測試效率等方面提出了挑戰(zhàn)。針對柔性直流輸電用高壓大功率 IGBT 器件的測試需求，自主研制了 90 kW /3 000 A 功率循環(huán)測試裝備和100V/200°C高溫柵偏測試裝備（如圖4所示）。功率循環(huán)測試裝備可針對柔性直流輸電中壓接型和焊接式兩種不同封裝形式的IGBT開展功率循環(huán)測試，最多可實現(xiàn)12個IGBT器件的同時測試。電流等級、波形參數(shù)、壓力均獨立可調(diào)，功率循環(huán)周期為秒級，極限測試能力可達(dá) 300 ms，最高壓力達(dá)220 kN，虛擬結(jié)溫測量精度達(dá)±1°C，導(dǎo)通壓降測量精度達(dá)±2mV。高溫柵偏測試裝備可實現(xiàn)漏電流和閾值電壓的實時在線監(jiān)測，最多可實現(xiàn)32個IGBT器件的同時測試。 4. 壓接器件內(nèi)部并聯(lián)多芯片電流及結(jié)溫測量方法及實現(xiàn) 高壓大功率壓接型IGBT器件內(nèi)部芯片瞬態(tài)電流及結(jié)溫測量是器件多物理量均衡調(diào)控及狀態(tài)監(jiān)測的基本手段，針對器件內(nèi)部密閉封裝以及密集分布鄰近支路引起的干擾問題，提出了PCB羅氏線圈互電感的等效計算方法，實現(xiàn)了任意形狀PCB羅氏線圈繞線結(jié)構(gòu)設(shè)計，設(shè)計了針對器件電流測量的方形PCB羅氏線圈（如圖5所示），實現(xiàn)臨近芯片電流造成的測量誤差小于1%；針對器件內(nèi)部多芯片并聯(lián)芯片結(jié)溫測量，提出了壓接型IGBT器件結(jié)溫分布測量的時序溫敏電參數(shù)法，通過各芯片柵極的時序單獨控制（如圖6所示），在各周期分別進(jìn)行單顆IGBT芯片結(jié)溫的測量，進(jìn)而等效獲得一個周期內(nèi)各IGBT芯片的結(jié)溫分布。在此基礎(chǔ)上，完成了集成于高壓大功率器件內(nèi)部的多芯片并聯(lián)電流測試PCB羅氏線圈以及時序溫敏電參數(shù)測量驅(qū)動板的設(shè)計（如圖7所示）。 5. 自主研制高壓大功率電力電子器件 面向電力系統(tǒng)用高壓大功率電力電子器件自主研制的需求，開展了芯片建模與篩選、芯片并聯(lián)電流均衡調(diào)控、封裝絕緣特性及電場建模以及器件多物理場調(diào)控等方面工作，相關(guān)成果支撐了國家電網(wǎng)公司全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院有限公司3.3kV/1500A、3.3kV/3000A以及4.5kV/3000A硅基IGBT器件的自主研制，并通過柔直換流閥用器件的應(yīng)用驗證實驗，同時也支撐了世界首個18kV 壓接型SiC IGBT器件的自主研制。

200610112778本發(fā)明涉及一種固體氧化物燃料電池用封接材料及其制備方法，屬于燃料電池技術(shù)領(lǐng)域。其特征在于所述材料主要組成為ＢａＯ１５～８０ｗｔ％、ＭｇＯ０～３０ｗｔ％、Ａｌ↓［２］Ｏ↓［３］０～１５ｗｔ％、ＳｉＯ↓［２］３～４５ｗｔ％、Ｂ↓［２］Ｏ↓［３］０～２５ｗｔ％、ＭｇＦ↓［２］０～１５ｗｔ％、Ｋ↓［２］Ｏ０～１０ｗｔ％、Ｆｅ↓［２］Ｏ↓［３］０～１０ｗｔ％、Ｙ↓［２］Ｏ↓［３］０～１ｗｔ％，優(yōu)選該組成為：ＢａＯ１７～６０ｗｔ％、ＭｇＯ２～１８ｗｔ％、Ａｌ↓［２］Ｏ↓［３］７～１２ｗｔ％、ＳｉＯ↓［２］１０～４０ｗｔ％、Ｂ↓［２］Ｏ↓［３］０～１７ｗｔ％、ＭｇＦ↓［２］２～１４ｗｔ％、Ｋ↓［２］Ｏ０～５ｗｔ％、Ｆｅ↓［２］Ｏ↓［３］０～７ｗｔ％、Ｙ↓［２］Ｏ↓［３］０～０．５ｗｔ％；其制備方法包括壓制素坯，在空氣氣氛下加熱熔融，驟冷獲得玻璃熔塊，破碎、分級等，或采用其它方法得到玻璃粉。該材料與氧化鈰基電解質(zhì)材料、鎵酸鑭基電解質(zhì)材料在浸潤性能、熱膨脹系數(shù)和化學(xué)穩(wěn)定性方面匹配良好，適用于封接金屬、陶瓷部件，特別適用于封接固體氧化物燃料電池的玻璃基封接材料。

“5.12”汶川地震后，國家對《防震減災(zāi)法》進(jìn)行修訂，提高了學(xué)校、醫(yī)院等人員密集場所的抗震設(shè)防水平。2009年，國務(wù)院辦公廳宣布將實施全國中小學(xué)校舍安全工程，對存在安全隱患的校舍進(jìn)行抗震加固，提高綜合防災(zāi)能力。同年10月，我校共承擔(dān)了蘇州市54所中小學(xué)總計80萬平方米的校舍安全排查及抗震鑒定項目。 在上述工作的基礎(chǔ)上，2012年，蘇州市實施了中小學(xué)校舍安全工程。我校負(fù)責(zé)了蘇州市共計10.4萬平方米校舍的加固設(shè)計工作，并保證了校舍安全加固與歷史建筑風(fēng)貌保護(hù)完美統(tǒng)一。蘇州市教育局對我校參與的校園安全工程設(shè)計及現(xiàn)場服務(wù)予以充分肯定，并在蘇南片區(qū)推廣與交流。蘇州市中小學(xué)校安工程項目被評為2012年蘇州十大民心工程。

本發(fā)明提供一種變壓器有載分接開關(guān)的參數(shù)測試方法及裝置，該方法包括獲取變壓器有載分接開關(guān)的交流電壓波形以及過渡電流波形；通過對過渡電流波形進(jìn)行派克變換，計算電流幅值，根據(jù)電流幅值變化數(shù)據(jù)通過離線辨識算法，判定變壓器有載分接開關(guān)切換過程各階段，得出相應(yīng)的過渡時間，計算變壓器有載分接開關(guān)過渡電阻瞬時值。本發(fā)明通過對交流過渡電流信號進(jìn)行派克變換，并設(shè)計離線辨識算法，準(zhǔn)確計算出過渡電阻瞬時值，作為變壓器有載分接開關(guān)是否正常的判據(jù)。保障了變壓器有載分接開關(guān)的安全使用。與傳統(tǒng)的交流測試法相比較，本發(fā)明能夠準(zhǔn)確辨識有載分接開關(guān)過渡過程各個階段并計算出過渡電阻值，誤差小，符合國家電力行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。

產(chǎn)品詳細(xì)介紹 PANIO卓普KCF104 4口PS2+USB Combo Free自由雙界面KVM電腦切換器 KCF104為Combo Free KVM控制端及電腦PC端都支持PS/2和USB接口的鍵盤與鼠標(biāo),可支持PC、MAC、SUN等多種主機(jī)且不需透過任何轉(zhuǎn)換接頭以及線材, PANIO KCF104是通過一組鍵盤鼠標(biāo)顯示器來操作管理4臺電腦，在桌面型KVM切換器中有很高的性價比。帶自動偵測信號功能，自動掃描。 功能特點 PANIO卓普KCF104的控制端和PC端雙接口-支持PS/2或USB接口鍵盤鼠標(biāo)  PANIO卓普KCF104是通過一組鍵盤鼠標(biāo)顯示器來操作管理4臺電腦 支持多功能鍵盤及鼠標(biāo)(最高7鍵) ，具備串接功能，最高串接層級 3 層，  專利OTG技術(shù)-各口獨立運算能使切換過程無延遲  支持PC、MAC、SUN電腦主機(jī)-專用雙接口線材無須另購任何轉(zhuǎn)換線  自動偵測功能,新接入信號自動顯示,信號消失自動跳轉(zhuǎn)到下一正常信號  分辨率可達(dá)2048 x 1536@85Hz并支持DDC2B  無需任何軟件-端口的選擇可以通過:① 前面板按鈕,② 鍵盤熱鍵 自動掃描模式-可監(jiān)控電腦操作，無須外接電源  支持熱插拔,即在切換器不關(guān)機(jī)的情況下,可以任意添加或移去所控制的電腦主機(jī),每端   口均能仿真屏幕/鍵盤/鼠標(biāo)訊號,可同時開機(jī) 可支持操作系統(tǒng)：DOS、WIN、Windows Vista、LINUX、MAC、SUN。 PANIO KCF102雙介面4口KVM切換器由深圳市卓普科技有限公司生產(chǎn)制造.   示意圖

產(chǎn)品詳細(xì)介紹 況 包裝配件   1xKF08  8x四合一1.8米長KVM連接線,(PS/2+USB+VGA KVM Cable)  1x機(jī)架面板  1x變壓器  1x使用手冊 詳細(xì)規(guī)格

一種水泥瀝青砂漿分離度快速評價方法，a、上料：將水泥瀝青砂漿倒入燒杯中，砂漿高度為10cm；b、上層的電導(dǎo)率的測量：將電導(dǎo)率儀的電極插入燒杯的水泥瀝青砂漿漿體，并使電極保持在漿體的5cm以上的高度，讀取出上層漿體的電導(dǎo)率；c、下層的電導(dǎo)率的測量：將電極下移5cm，再使其保持在該位置；讀取出下層漿體的電導(dǎo)率；d、分離度的計算：算出下層漿體與上層漿體的電導(dǎo)率差，并將其乘以1.43得到下層漿體與上層漿體的密度差，再將該密度差除以2倍砂漿密度，即得到待測水泥瀝青砂漿的分離度。該方法能在水泥瀝青砂漿硬化前，實時測出砂漿的分離度，能更好的保證施工質(zhì)量，避免工程返工，減少工期，節(jié)約材料，降低工程成本。

針對北斗衛(wèi)星導(dǎo)航系統(tǒng)（CNSS）等衛(wèi)星定位系統(tǒng)在高樓林立的 城市和室內(nèi)難以定位的問題，提出將地面數(shù)字電視廣播（DTMB）信 號與 CNSS 或調(diào)頻廣播（FM）信號相結(jié)合，研究一種適用于城市及 室內(nèi)環(huán)境的高精度混合定位系統(tǒng)。項目研究成果可用于：提高可接收 CNSS 衛(wèi)星數(shù)目不足的城市樓宇地區(qū)定位精度；實現(xiàn)多徑信道復(fù)雜的 室內(nèi)環(huán)境下高精度定位；為室內(nèi)外無縫定位技術(shù)產(chǎn)品化奠定基礎(chǔ)。