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近年來，超強(qiáng)激光技術(shù)的迅速發(fā)展，尤其是10-100PW超強(qiáng)激光時代的到來，為量子電動力學(xué)（QED）的理論驗證提供了前所未有的極端實驗條件。

華中科技大學(xué)真空物理系統(tǒng)（定制）采購項目競爭性磋商

北京大學(xué)物理學(xué)院、納光電子前沿科學(xué)中心、人工微結(jié)構(gòu)和介觀物理國家重點(diǎn)實驗室“極端光學(xué)團(tuán)隊”胡小永教授和龔旗煌院士等在非厄密拓?fù)涔庾訉W(xué)研究中取得重要進(jìn)展：發(fā)展出一種研究新型增益-損耗疇壁拓?fù)涔鈱W(xué)體系的有效哈密頓量新方法，揭示了由增益-損耗疇壁誘導(dǎo)的拓?fù)鋺B(tài)的產(chǎn)生機(jī)制。

針對高缺陷炭負(fù)極電化學(xué)儲鉀容量與穩(wěn)定性難以兼顧的問題，報道一種原位缺陷選擇性調(diào)變與導(dǎo)電骨架搭建策略，通過熱力學(xué)與動力學(xué)雙重調(diào)控，提高缺陷炭負(fù)極電化學(xué)儲鉀綜合性能。

近日，東南大學(xué)物理學(xué)院王金蘭教授與美國德克薩斯大學(xué)奧斯汀分校劉遠(yuǎn)越教授團(tuán)隊合作，基于第一性原理的多尺度模擬方法，結(jié)合真實電催化反應(yīng)條件，在單原子穩(wěn)定性方面取得了最新研究進(jìn)展。

(東北師范大學(xué)物理學(xué)院無掩膜光刻機(jī)（進(jìn)口）設(shè)備采購)的潛在供應(yīng)商應(yīng)在（長春市二道區(qū)東南湖大路3030號，中資國際工程咨詢集團(tuán)有限責(zé)任公司一樓）獲取采購文件，并于2020年12月14日13點(diǎn)30分（北京時間）前提交響應(yīng)文件。

利用有機(jī)發(fā)光二極管(OLEDs)中激發(fā)態(tài)的指紋式磁效應(yīng)曲線作為一種靈敏高效的探測工具，物理科學(xué)與技術(shù)學(xué)院熊祖洪課題組在有機(jī)半導(dǎo)體明星材料¾紅熒烯（Rubrene）中發(fā)現(xiàn)了一個有利于增強(qiáng)器件發(fā)光效率的激子演化通道，即激子的高能態(tài)反向系間竄越（High-Level Reverse Intersystem Crossing (HL-RISC)，T2®S­1®S0+hn）過程，并通過調(diào)控器件載流子濃度、工作溫度、客體摻雜濃度以及控制器件結(jié)構(gòu)對該HL-RISC通道的產(chǎn)生條件、正常與反常的物理行為表現(xiàn)以及如何實現(xiàn)高效率發(fā)光和低效率滾降等方面進(jìn)行了詳細(xì)探究。 OLEDs在平板顯示和固態(tài)照明領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景，盡管基于有機(jī)發(fā)光的手機(jī)顯示屏和電視已開始市場化，但進(jìn)一步提升其發(fā)光效率和延長其使用壽命仍然是該領(lǐng)域的兩大研究方向。因理論上能夠?qū)崿F(xiàn)100%的內(nèi)量子效率，具有常規(guī)RISC (T1®S­1)通道的熱活化延遲熒光(Thermally-assisted delayed fluorescence, TADF)有機(jī)材料和具有HL-RISC (T2®S­1)過程的有機(jī)半導(dǎo)體是目前OLEDs領(lǐng)域的熱點(diǎn)研究體系，這是由于無論是RISC還是HL-RISC都可以將占激子總數(shù)3/4的不發(fā)光三重態(tài)T激子轉(zhuǎn)變成發(fā)光的單重態(tài)S激子，從而實現(xiàn)發(fā)光效率的成倍增強(qiáng)。顯然，研究這些激子及其前驅(qū)體(precursor, 如極化子對(polaron-pair))和TADF材料以及激基復(fù)合物材料中電荷轉(zhuǎn)移態(tài)(charge-transfer states)激子的形成機(jī)制及其演化規(guī)律對進(jìn)一步認(rèn)識OLEDs的器件物理和設(shè)計制造高效率OLEDs具有重要的科學(xué)意義和應(yīng)用價值。近年來，熊祖洪課題組一直致力于采用有機(jī)半導(dǎo)體光電子器件中多種微觀過程具有的指紋式磁效應(yīng)(包括magneto-conductance、magneto-electroluminescence、magneto-photoluminescence以及magneto-photocurrent)曲線，系統(tǒng)深入地研究了多種有機(jī)光電子體系的器件物理并取得了一系列研究成果。

郭鵬飛課題組發(fā)展了一種源移動式納米線生長技術(shù)，通過材料在微納尺度的能帶設(shè)計和生長控制，可控制備了一種一維半導(dǎo)體鈣鈦礦CsPbCl3/CsPbI3異質(zhì)結(jié)構(gòu)，解決了由于單納米結(jié)構(gòu)帶隙不可控導(dǎo)致的鈣鈦礦納米線激光器發(fā)射波長單一的問題。