一種摻雜硅量子點(diǎn)發(fā)光二極管器件及其制備方法
本發(fā)明公開了一種摻雜硅量子點(diǎn)發(fā)光二極管,包括硅襯底,沉 積銀納米顆粒層,以及在銀納米顆粒結(jié)構(gòu)上沉積多層分布均勻且包含 摻雜硅量子點(diǎn)的 SiNx 薄膜,透明導(dǎo)電薄膜 AZO 層以及 Si3N4 鈍化層。 還公開了該發(fā)光二極管的制備方法,利用摻雜硅量子點(diǎn)-SiNx 薄膜的電 致發(fā)光特性,構(gòu)成發(fā)光二極管的發(fā)光有源層;利用摻雜可以鈍化量子 點(diǎn),同時(shí)摻雜硅量子點(diǎn)與硅襯底形成的 p-n 結(jié)增強(qiáng)電子空穴的輻射復(fù) 合。此外,利用銀納
華中科技大學(xué)
2021-04-14