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XM/ALS900A高級(jí)心肺復(fù)蘇、創(chuàng)傷模擬人 （計(jì)算機(jī)控制/無(wú)線版） ? 執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：執(zhí)行美國(guó)心臟學(xué)會(huì)(AHA)2015國(guó)際心肺復(fù)蘇(CPR)＆心血管急救(ECC)指南標(biāo)準(zhǔn)。 XM/ALS900A高級(jí)心肺復(fù)蘇創(chuàng)傷模擬人（無(wú)線版）由全身模擬人、計(jì)算機(jī)控制系統(tǒng)、創(chuàng)傷模塊組成，可進(jìn)行CPR訓(xùn)練考核、創(chuàng)傷止血包扎等操作。 一、產(chǎn)品特點(diǎn)： ■ 本模型為成年男性整體人，采用高分子材質(zhì)，膚質(zhì)仿真度高。 ■ 解剖標(biāo)志明顯，具有仿真的頭頸部，頭部可水平轉(zhuǎn)動(dòng)，有利于清除異物。 ■ 胸部體表標(biāo)志明顯（胸骨角、乳頭、劍突等），便于胸外按壓的操作定位。 ■ 可觸及頸動(dòng)脈搏動(dòng)，死亡狀態(tài)下，頸動(dòng)脈搏動(dòng)消失，搶救成功后，頸動(dòng)脈搏動(dòng)恢復(fù)，頸動(dòng)脈搏動(dòng)與有效按壓相關(guān)聯(lián)。 ■ 心肺復(fù)蘇術(shù)：仰臥位，頭可后仰，便于清除呼吸道異物，可進(jìn)行胸外按壓。 ■ 可進(jìn)行口對(duì)口人工呼吸或者使用簡(jiǎn)易呼吸器輔助呼吸，有效人工呼吸可見(jiàn)胸廓起伏。 ■ 瞳孔示教：死亡狀態(tài)下，模擬人瞳孔散大，搶救成功后，雙側(cè)瞳孔由散大變?yōu)檎！? ■ 模擬人和計(jì)算機(jī)之間通信方式：藍(lán)牙無(wú)線通信。 ■ 模擬人手臂關(guān)節(jié)靈活，可進(jìn)行搬運(yùn)練習(xí)。 二、軟件功能： ■ 軟件依據(jù)《美國(guó)心臟學(xué)會(huì)2015國(guó)際心肺復(fù)蘇心血管急救指南標(biāo)準(zhǔn)》的操作標(biāo)準(zhǔn)對(duì)心肺復(fù)蘇操作進(jìn)行評(píng)價(jià)。 ■ 軟件形象的展示了心肺復(fù)蘇急救流程，圖文并茂的介紹了急救鏈中的每項(xiàng)操作要點(diǎn)。 ■ 操作模式：訓(xùn)練、考核、實(shí)戰(zhàn)三種操作模式，每種模式均可自行設(shè)置操作時(shí)間、按壓次數(shù)、按壓深度、吹氣次數(shù)、吹氣量、CPR循環(huán)次數(shù)等，老師也可調(diào)節(jié)和變更按壓和通氣的考核標(biāo)準(zhǔn)值，建立符合當(dāng)次考核狀態(tài)的心肺復(fù)蘇標(biāo)準(zhǔn)。 ■ 學(xué)員管理：可自由編輯學(xué)員名稱及編號(hào)，用于存檔。 ■ 人工口對(duì)口呼吸(吹氣)時(shí)： · 動(dòng)態(tài)條碼指示燈顯示潮氣量大小：吹入的潮氣量正確由條碼綠燈顯示，吹入的潮氣量過(guò)小由條碼黃燈顯示，吹入的潮氣量過(guò)大由條碼紅色指示燈動(dòng)態(tài)反饋顯示潮氣量大小。 · 電子計(jì)數(shù)顯示：詳細(xì)記錄吹氣正確和錯(cuò)誤的次數(shù)（吹氣量過(guò)大、吹氣力量過(guò)小）。 · 語(yǔ)音提示：中文語(yǔ)音提示，詳細(xì)提示吹氣錯(cuò)誤的具體原因以便訓(xùn)練者及時(shí)改正。 ■ 人工手位胸外按壓時(shí)： · 動(dòng)態(tài)條碼指示燈顯示按壓深度：按壓深度正確由條碼綠燈顯示，按壓深度過(guò)小由條碼黃燈顯示，按壓深度過(guò)大由條碼紅色指示燈動(dòng)態(tài)反饋顯示按壓深度。 · 電子計(jì)數(shù)顯示：詳細(xì)記錄按壓正確和錯(cuò)誤的次數(shù)（按壓力量過(guò)大、按壓力量過(guò)小、按壓位置錯(cuò)誤）。 · 語(yǔ)音提示：中文語(yǔ)音提示，詳細(xì)提示按壓錯(cuò)誤的具體原因，以便訓(xùn)練者及時(shí)改正。 ■ 全程心電圖顯示： · 搶救前：顯示為瀕臨死亡的心電圖, 呼吸圖消失。 · 搶救中：進(jìn)行按壓操作時(shí)，顯示按壓心電圖，頻率與按壓頻率一致，呼吸監(jiān)護(hù)顯示潮氣操作圖形。 · 搶救成功后：顯示為竇性心律，呼吸恢復(fù)正常。 ■ 依據(jù)《2015年美國(guó)心臟協(xié)會(huì)心肺復(fù)蘇及心血管急救指南》的操作標(biāo)準(zhǔn)，對(duì)心肺復(fù)蘇操作進(jìn)行評(píng)價(jià)，操作達(dá)標(biāo)，模擬人復(fù)活，操作未達(dá)標(biāo)，模擬人死亡。 ■ 模擬人3D動(dòng)畫：正常狀態(tài)時(shí)，模擬人3D動(dòng)畫有瞬目，休克或死亡狀態(tài)時(shí)3D動(dòng)畫為閉眼。 ■ 成績(jī)單所有操作結(jié)果數(shù)據(jù)以表格形式清晰顯示，并可保存成績(jī)單，可連接通用打印機(jī)對(duì)成績(jī)單進(jìn)行打印。 ■ 按壓與人工呼吸比：30：2（單人或雙人）。 ■ 操作周期：先30次按壓再2次人工吹氣，30：2五個(gè)循環(huán)周期CPR操作。 ■ 操作頻率：100-120次/分。 ■ 操作時(shí)間：以秒為單位計(jì)時(shí)。 三、創(chuàng)傷功能： ■ 面部燒傷Ⅰ Ⅱ Ⅲ度 ■ 前額撕裂傷口 ■ 頜前創(chuàng)傷口 ■ 鎖骨開(kāi)放性骨折與胸膛挫傷 ■ 腹部創(chuàng)傷伴有小腸突露 ■ 右上臂肱骨開(kāi)放性骨折 ■ 右手開(kāi)放性骨折、軟組織撕裂傷口、骨組織暴露 ■ 右手掌槍彈傷口 ■ 右大腿股骨開(kāi)放性骨折 ■ 右大腿復(fù)合形股骨骨折 ■ 右大腿金屬異物刺傷 ■ 右小腿脛骨開(kāi)放性骨折 ■ 右足開(kāi)放性骨折右小指截?cái)鄤?chuàng)傷 ■ 左前臂燒傷Ⅰ Ⅱ Ⅲ度 ■ 左大腿截?cái)鄤?chuàng)傷 ■ 左小腿脛骨閉合性骨折以及踝關(guān)節(jié)和足挫傷 四、標(biāo)準(zhǔn)配置： ■ 心肺復(fù)蘇全身人體模型：1臺(tái) ■ 手拉推式硬塑箱：1只 ■ 計(jì)算機(jī)：用戶自配或選配 ■ 藍(lán)牙適配器：1個(gè) ■ 電源適配器：1個(gè) ■ CPR安裝操作軟件：1套 ■ 復(fù)蘇操作墊：1條 ■ 一次性呼吸面膜(50張/盒)：1盒 ■ 可換肺囊裝置：4套 ■ 可換面皮：1張 ■ 創(chuàng)傷模塊：1套 ■ 操作指南光盤：1張 ■ 急救手冊(cè)：1本 ■ 說(shuō)明書：1冊(cè) ■ 保修卡合格證：1張

本技術(shù)可以獲取各種單一氧化物和多元氧化物納米薄膜，以及疊層氧化物納米薄膜。可用于提高金屬的抗腐蝕性能以及獲得多種特殊功能，如鐵電性能、磁性能、電致變色、化學(xué)催化、超導(dǎo)、光電轉(zhuǎn)換等。 本技術(shù)可以獲得Mg、Ca、Sr、Ba、Y、La、Ce、Yb、Ti、Zr、Hf、Ta、Cr、W、Mo、Mn、Fe、Co、Ni、Ir、Pd、Cu、Zn、Cd、Al、In、Si、Sn、Pb等元素的單一氧化物或它們的多元氧化物納米薄膜，厚度<0.2um。氧化物薄膜質(zhì)量?jī)?yōu)于溶膠凝膠法，厚度均勻，根據(jù)需要可以控制厚度膜。先后沉積不同的氧化物薄膜可以獲得疊層氧化物納米薄膜。制備過(guò)程簡(jiǎn)單，重現(xiàn)性好是本技術(shù)的優(yōu)勢(shì)。

南開(kāi)大學(xué) 1978 年在國(guó)內(nèi)率先開(kāi)展非晶硅材料及其電池的研究，該技術(shù)獲得天津市技術(shù)發(fā)明二等獎(jiǎng)。自“六五”至“九五”期間，連續(xù) 4個(gè)五年國(guó)家科技攻關(guān)計(jì)劃，獲科技部重點(diǎn)攻關(guān)和天津市科委的支持，經(jīng)過(guò) 20 余年潛心研發(fā)，硅基薄膜太陽(yáng)電池性能躋身世界先進(jìn)行列。于 2003 實(shí)現(xiàn)非晶硅電池產(chǎn)業(yè)化。 2000 年始，在國(guó)內(nèi)率先開(kāi)展新一代硅薄膜電池的研究。2007 年，該成果實(shí)現(xiàn)技術(shù)轉(zhuǎn)移生產(chǎn)。 2009 年，研制成功我國(guó)首套基于自主專利技術(shù)的、襯底面積0.79m2、線列式 5 室連續(xù) VHF-PECVD 系統(tǒng)及相應(yīng)中試生產(chǎn)線及其組件制造技術(shù)。成為國(guó)際上為數(shù)不多可開(kāi)展大面積新一代硅基薄膜太陽(yáng) 電池研究的單位。 2011 年，開(kāi)發(fā)出年產(chǎn)能 2 兆瓦、具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的、我國(guó)首條年產(chǎn)能 2 兆瓦的非晶硅/非晶硅鍺/微晶硅疊層電池生產(chǎn)線及其組件生產(chǎn)技術(shù)。生產(chǎn)出的太陽(yáng)電池組件效率達(dá) 9.59%，將新一代硅薄膜電池技術(shù)推向產(chǎn)業(yè)化。

南開(kāi)大學(xué) 1978 年在國(guó)內(nèi)率先開(kāi)展非晶硅材料及其電池的研究，該技術(shù)獲得天津市技術(shù)發(fā)明二等獎(jiǎng)。自“六五”至“九五”期間，連續(xù) 4 個(gè)五年國(guó)家科技攻關(guān)計(jì)劃，獲科技部重點(diǎn)攻關(guān)和天津市科委的支持， 經(jīng)過(guò) 20 余年潛心研發(fā)，硅基薄膜太陽(yáng)電池性能躋身世界先進(jìn)行列。 于 2003 實(shí)現(xiàn)非晶硅電池產(chǎn)業(yè)化。 2000 年始，在國(guó)內(nèi)率先開(kāi)展新一代硅薄膜電池的研究。2007 年， 該成果實(shí)現(xiàn)技術(shù)轉(zhuǎn)移生產(chǎn)。 2009 年，研制成功我國(guó)首套基于自主專利技術(shù)的、襯底面積 0.79m2、線列式 5 室連續(xù) VHF-PECVD 系統(tǒng)及相應(yīng)中試生產(chǎn)線及其 組件制造技術(shù)。成為國(guó)際上為數(shù)不多可開(kāi)展大面積新一代硅基薄膜太 陽(yáng)電池研究的單位。 2011 年，開(kāi)發(fā)出年產(chǎn)能 2 兆瓦、具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的、我國(guó)首條 年產(chǎn)能 2 兆瓦的非晶硅/非晶硅鍺/微晶硅疊層電池生產(chǎn)線及其組件生 產(chǎn)技術(shù)。生產(chǎn)出的太陽(yáng)電池組件效率達(dá) 9.59%，將新一代硅薄膜電池 技術(shù)推向產(chǎn)業(yè)化。

本發(fā)明闡述了一種激光濺射法制備CsPbBr3薄膜的方法。具體步驟為：先通過(guò)DMF、DMSO、環(huán)己醇、PbBr2、CsBr材料以溶液加熱方法制備出足量的CsPbBr3單晶并壓成靶材，再采用脈沖激光沉積薄膜制備技術(shù)：調(diào)整激光能量和基底溫度，通過(guò)激光脈沖數(shù)控制薄膜厚度，真空沉積制備CsPbBr3薄膜。本發(fā)明利用脈沖激光沉積技術(shù)制備CsPbBr3薄膜，可實(shí)現(xiàn)均勻大面積薄膜的便捷制備，易于有效控制薄膜厚度并且節(jié)約材料，有利于該材料在太陽(yáng)能電池的工業(yè)化生產(chǎn)與應(yīng)用。

本成果包含如下內(nèi)容：高轉(zhuǎn)換效率的小面積碲化鎘太陽(yáng)電池制造技術(shù)，面積為1200mm×600mm 的碲化鎘太陽(yáng)電池組件規(guī)模化生產(chǎn)技術(shù)，年產(chǎn)30-50MW碲化鎘太陽(yáng)電池生產(chǎn)線及關(guān)鍵設(shè)備的設(shè)計(jì)。 主要技術(shù)指標(biāo)： 組件效率超過(guò)12%。 應(yīng)用范圍： 用于太陽(yáng)能直接發(fā)電，建立大規(guī)模光伏電站或小型戶用光伏發(fā)電系統(tǒng)。國(guó)家扶持光伏發(fā)電系統(tǒng)的建設(shè)，每年新建在10GW以上。由于是薄膜太陽(yáng)電池，出口不會(huì)受到限制。 項(xiàng)目目前已進(jìn)入產(chǎn)業(yè)化階段，成果權(quán)屬為我校獨(dú)自擁有。

一種柔性碲化鎘薄膜太陽(yáng)電池結(jié)構(gòu)，本項(xiàng)發(fā)明所屬領(lǐng)域?yàn)樾滦?能源。為了降低碲化鎘太陽(yáng)電池的成本，擴(kuò)大電池的應(yīng)用范圍，柔性 碲化鎘太陽(yáng)電池將是未來(lái)發(fā)展方向之一。柔性碲化鎘電池面臨的難題 之一是如何解決金屬背電極與碲化鎘薄膜歐姆接觸，即尋找一種材 料，加入到金屬電極與碲化鎘薄膜之間，有利于p載流子傳輸。本發(fā) 明是采用石墨烯作為碲化鎘層與金屬電極層的過(guò)渡層，充分利用石墨 烯載流子傳輸速度高、力學(xué)性能好的特點(diǎn)。將結(jié)晶石墨進(jìn)行化學(xué)清洗， 用帶膠的聚酰亞胺薄膜剝離石墨，使得一層石墨烯粘附于聚酰亞氨表 面。在此基礎(chǔ)上再濺射沉積碲化鎘，惰性氣體保護(hù)下CdCl2退火，濺 射沉積硫化鎘和ITO薄膜。制作出的柔性碲化鎘薄膜電池具有重量 輕、成本低的優(yōu)點(diǎn)。

北京大學(xué)物理學(xué)院寬禁帶半導(dǎo)體研究中心沈波和楊學(xué)林課題組與俞大鵬、劉開(kāi)輝課題組合作，成功實(shí)現(xiàn)了Si(100)襯底上單晶GaN薄膜的外延生長(zhǎng)，相關(guān)工作于2019年7月23日在Advanced Functional Materials上在線刊登 [doi.org/10.1002/adfm.201905056]。 GaN基寬禁帶半導(dǎo)體具有帶隙大、擊穿電場(chǎng)高、飽和電子漂移速度大等優(yōu)異，能夠滿足現(xiàn)代電子技術(shù)對(duì)高溫、高頻、高功率等性能的要求，對(duì)國(guó)家的高技術(shù)發(fā)展和國(guó)防建設(shè)具有重要意義。由于缺乏天然的GaN單晶襯底，GaN基半導(dǎo)體材料和器件主要在異質(zhì)襯底上外延生長(zhǎng)。因具有大尺寸、低成本及易于集成等優(yōu)點(diǎn)，Si襯底上外延GaN成為近年來(lái)學(xué)術(shù)界和產(chǎn)業(yè)界高度關(guān)注的熱點(diǎn)領(lǐng)域。 目前用于GaN外延生長(zhǎng)的Si襯底主要是Si(111)襯底，其表面原子結(jié)構(gòu)為三重排列，可為六方結(jié)構(gòu)的GaN外延提供六重對(duì)稱表面。然而，Si(100)襯底是Si集成電路技術(shù)的主流襯底，獲得Si(100)襯底上GaN外延薄膜對(duì)于實(shí)現(xiàn)GaN器件和Si器件的集成至關(guān)重要。但Si(100)表面原子為四重對(duì)稱，外延生長(zhǎng)時(shí)無(wú)法有效匹配；同時(shí)Si(100)表面存在二聚重構(gòu)體，導(dǎo)致GaN面內(nèi)同時(shí)存在兩種不同取向的晶疇。迄今國(guó)際上還未能實(shí)現(xiàn)標(biāo)準(zhǔn)Si(100)襯底上單晶GaN薄膜的外延生長(zhǎng)。圖 Si(100)襯底上單晶GaN薄膜的外延生長(zhǎng) 沈波和楊學(xué)林課題組創(chuàng)造性地使用單晶石墨烯作為緩沖層，在Si(100)襯底上實(shí)現(xiàn)了單晶GaN薄膜的外延生長(zhǎng)，并系統(tǒng)研究了石墨烯上GaN外延的成核機(jī)理和外延機(jī)制。該突破不僅為GaN器件與Si器件的集成奠定了科學(xué)基礎(chǔ)，而且對(duì)當(dāng)前國(guó)際上關(guān)注的非晶襯底上氮化物半導(dǎo)體外延生長(zhǎng)和GaN基柔性器件研制具有重要的指導(dǎo)價(jià)值。

本發(fā)明公開(kāi)了一種用于柔性薄膜卷繞工藝的雙驅(qū)動(dòng)精密脹軸， 包括支撐模塊、傳動(dòng)模塊、切換模塊、動(dòng)力模塊和脹軸模塊，其中傳 動(dòng)模塊能夠在僅使用單個(gè)驅(qū)動(dòng)電機(jī)的情況下，將動(dòng)力模塊的動(dòng)力傳遞 到脹軸模塊，并通過(guò)切換模塊使得同一個(gè)動(dòng)力模塊可以分別向脹軸的 兩種運(yùn)動(dòng)提供動(dòng)力；脹軸模塊包括轉(zhuǎn)動(dòng)軸、外軸、芯軸、滑塊端蓋和 膨脹塊等，其中轉(zhuǎn)動(dòng)軸和外軸彼此固定聯(lián)接，芯軸安裝在兩者的內(nèi)部， 并且膨脹塊可以在外軸上的通槽中徑向升降，從而對(duì)料卷執(zhí)行張緊操 作。通過(guò)本發(fā)明，能夠僅采用機(jī)械構(gòu)造即可實(shí)現(xiàn)料卷的張緊功能，同 時(shí)具備張力均

納米粒子由于具有非常小的顆粒尺寸和大的比表面積，通常顯示出許多不同于常規(guī)塊體材料的電、磁、光和化學(xué)特性，在現(xiàn)代工業(yè)、國(guó)防和高技術(shù)發(fā)展中充當(dāng)著重要的角色。隨著科學(xué)技術(shù)的迅速發(fā)展，對(duì)材料性能的要求也越來(lái)越高，因此尋找一種可替代液相法的真空氣相法來(lái)獲得表面清潔納米粒子的制備技術(shù)是開(kāi)發(fā)具有優(yōu)異性能新型納米結(jié)構(gòu)材料的迫切要求。特別是納米粒子組裝復(fù)合薄膜材料由于具有傳統(tǒng)復(fù)合材料和現(xiàn)代納米材料兩者的優(yōu)越性，成為一個(gè)重要的前沿研究熱點(diǎn)，它有望將“傳統(tǒng)功能材料”通過(guò)“納米復(fù)合化”達(dá)到進(jìn)一步提高和拓展材料性能的目的。