新葡京娱乐场-大陆娱乐场开户注册

冷陰極離子源：研制的冷陰極離子源具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，引出束流大的特點(diǎn)。目前已有引出口徑為6 ，9 和20 ×5 的離子源產(chǎn)品提供給客戶(hù)，引出束流分別有幾十到幾百 ，放電電流幾百 到幾 ，引出電壓可以提供有100 -1500 可調(diào)和500 -30 可調(diào)的2種電源，在離子束照射的有效范圍內(nèi)不均勻性小于10%，穩(wěn)定度為10%。該源被廣泛應(yīng)用于輔助鍍膜，離子刻蝕，離子清

發(fā)榜企業(yè)：韶關(guān)鑫山塑料有限公司 懸賞金額：60萬(wàn)元 需求領(lǐng)域：固體、土壤與廢水污染防治 技術(shù)關(guān)鍵詞：廢舊塑料，涂層，脫除，廢水，再生

金屬表面處理的研發(fā)、生產(chǎn)

產(chǎn)品概述：由特種環(huán)氧樹(shù)脂、滲透劑、活性防銹顏料、聚酰胺樹(shù)脂等制成的雙組份防腐底漆。   特    點(diǎn)：  優(yōu)異的防銹、防腐性能  減輕帶銹底材的除銹勞動(dòng)強(qiáng)度  優(yōu)異的附著力、耐沖擊性能  優(yōu)異的柔韌性  良好的配套性   用    途：可直接用于有殘余銹蝕但必須除去松動(dòng)浮銹的鋼鐵表面，用于石油化工裝置、采油設(shè)施、重型機(jī)械、管道外壁等鋼結(jié)構(gòu)的帶銹涂裝。

XM-BCX表面血管結(jié)扎止血操作模型 ? 功能特點(diǎn)： ■ XM-BCX表面血管結(jié)扎止血操作模型采用高分子材料制成，仿真度高。 ■ 模型上有16個(gè)出血點(diǎn)，當(dāng)訓(xùn)練或考核時(shí)，16個(gè)出血點(diǎn)同時(shí)向外涌血，模擬真實(shí)流血狀態(tài)，練習(xí)多處血管出血時(shí)的結(jié)扎止血操作。

XM-BCX表面血管結(jié)扎止血操作模型 ? 功能特點(diǎn)： ■ XM-BCX表面血管結(jié)扎止血操作模型采用高分子材料制成，仿真度高。 ■ 模型上有16個(gè)出血點(diǎn)，當(dāng)訓(xùn)練或考核時(shí)，16個(gè)出血點(diǎn)同時(shí)向外涌血，模擬真實(shí)流血狀態(tài)，練習(xí)多處血管出血時(shí)的結(jié)扎止血操作。

金埃譜科技是國(guó)內(nèi)率先推出集完全自動(dòng)化、智能化、高精度、高穩(wěn)定性及高性?xún)r(jià)比于一體的比表面積及孔徑分析設(shè)備供應(yīng)商，相繼推出F-Sorb X400（動(dòng)態(tài)法）及V-Sorb X800（靜態(tài)法）兩大系列產(chǎn)品，不僅符合國(guó)家及國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)，而且創(chuàng)建了國(guó)內(nèi)齊全、完善的比表面積及孔徑分析儀產(chǎn)品線(xiàn)。此外，隨著真密度儀G-DenPyc X900系列和高溫高壓吸附儀H-Sorb X600系列的問(wèn)世，使得我司氣體吸附儀領(lǐng)域的產(chǎn)品線(xiàn)更加完善。

成果描述：本發(fā)明公開(kāi)了一種柴油機(jī)微粒捕集器DPF碳累積量估計(jì)方法，通過(guò)壓差傳感器測(cè)得DPF前后總壓力差，根據(jù)DPF前后總壓力差和廢氣體積流量得到DPF的總流阻，根據(jù)灰分質(zhì)量和廢氣體積流量得到DPF殘余碳產(chǎn)生的流阻，總流阻減去白載體流阻及殘余碳產(chǎn)生的流阻即可得到積碳所產(chǎn)生的流阻，根據(jù)積碳產(chǎn)生的流阻與廢氣體積流量即可得到碳積累量；所述灰分質(zhì)量通過(guò)廢氣質(zhì)量流量和發(fā)動(dòng)機(jī)轉(zhuǎn)速經(jīng)過(guò)積分計(jì)算得到。本發(fā)明提出了碳積累量增量估計(jì)方法，可以基于當(dāng)前總流阻、當(dāng)前灰分質(zhì)量和當(dāng)前廢氣體積流量計(jì)算出碳積累量的增量，然后得到當(dāng)前的碳積累量。本發(fā)明方法得到的DPF碳累積量估計(jì)精度更高，而且避免了使用現(xiàn)有估計(jì)方法中物理意義不明確的參數(shù)，估計(jì)過(guò)程更加快速精確，從而大大提高了判斷DPF再生時(shí)機(jī)的準(zhǔn)確性。市場(chǎng)前景分析：內(nèi)燃機(jī)技術(shù)領(lǐng)域。與同類(lèi)成果相比的優(yōu)勢(shì)分析：技術(shù)先進(jìn)，性?xún)r(jià)比較高。

1. 高壓IGBT器件封裝絕緣測(cè)試系統(tǒng) 針對(duì)高壓IGBT器件內(nèi)部承受的正極性重復(fù)方波電壓以及高溫工況，研制了針對(duì)高壓IGBT器件、芯片及封裝絕緣材料絕緣特性的測(cè)試系統(tǒng)（如圖1所示），可實(shí)現(xiàn)電壓波形參數(shù)、溫度和氣壓的靈活調(diào)控，用于研究電壓類(lèi)型（交、直流、重復(fù)方波電壓）、波形參數(shù)、氣體種類(lèi)、氣體壓力等因素對(duì)絕緣特性，具備放電脈沖電流測(cè)量、局部放電測(cè)量、放電光信號(hào)測(cè)量、漏電流測(cè)量及紫外光子測(cè)量等功能（如圖2所示），平臺(tái)相關(guān)參數(shù)：頻率：DC~20kHz，電壓：0~20kV，上升沿/下降沿：150ns可調(diào)，占空比：1%~99%，溫度：25℃~150℃，氣壓：真空~3個(gè)大氣壓。  2.壓接型IGBT器件并聯(lián)均流實(shí)驗(yàn)系統(tǒng) 針對(duì)高壓大功率壓接型IGBT器件內(nèi)部的芯片間電流均衡問(wèn)題，研制了針對(duì)壓接型IGBT器件的多芯片并聯(lián)均流實(shí)驗(yàn)系統(tǒng)（如圖3所示），平臺(tái)具有靈活調(diào)節(jié)IGBT芯片布局，柵極布線(xiàn)，溫度和壓力分布的能力，可開(kāi)展芯片參數(shù)、寄生參數(shù)以及壓力和溫度等多物理量對(duì)壓接型IGBT器件在開(kāi)通/關(guān)斷過(guò)程芯片-封裝支路瞬態(tài)電流分布影響規(guī)律的研究，以及瞬態(tài)電流不均衡調(diào)控方法的研究；平臺(tái)相關(guān)參數(shù)：電壓：0~6.5kV，電流：0~3kA，溫度：25℃~150℃，壓力：0~50kN。   圖3 壓接型IGBT多芯片并聯(lián)均流實(shí)驗(yàn) 3.高壓大功率IGBT器件可靠性實(shí)驗(yàn)系統(tǒng) 隨著高壓大功率 IGBT 器件容量的進(jìn)一步提升，對(duì)其可靠性考核裝備在測(cè)量精度、測(cè)試效率等方面提出了挑戰(zhàn)。針對(duì)柔性直流輸電用高壓大功率 IGBT 器件的測(cè)試需求，自主研制了 90 kW /3 000 A 功率循環(huán)測(cè)試裝備和100V/200°C高溫柵偏測(cè)試裝備（如圖4所示）。功率循環(huán)測(cè)試裝備可針對(duì)柔性直流輸電中壓接型和焊接式兩種不同封裝形式的IGBT開(kāi)展功率循環(huán)測(cè)試，最多可實(shí)現(xiàn)12個(gè)IGBT器件的同時(shí)測(cè)試。電流等級(jí)、波形參數(shù)、壓力均獨(dú)立可調(diào)，功率循環(huán)周期為秒級(jí)，極限測(cè)試能力可達(dá) 300 ms，最高壓力達(dá)220 kN，虛擬結(jié)溫測(cè)量精度達(dá)±1°C，導(dǎo)通壓降測(cè)量精度達(dá)±2mV。高溫柵偏測(cè)試裝備可實(shí)現(xiàn)漏電流和閾值電壓的實(shí)時(shí)在線(xiàn)監(jiān)測(cè)，最多可實(shí)現(xiàn)32個(gè)IGBT器件的同時(shí)測(cè)試。 4. 壓接器件內(nèi)部并聯(lián)多芯片電流及結(jié)溫測(cè)量方法及實(shí)現(xiàn) 高壓大功率壓接型IGBT器件內(nèi)部芯片瞬態(tài)電流及結(jié)溫測(cè)量是器件多物理量均衡調(diào)控及狀態(tài)監(jiān)測(cè)的基本手段，針對(duì)器件內(nèi)部密閉封裝以及密集分布鄰近支路引起的干擾問(wèn)題，提出了PCB羅氏線(xiàn)圈互電感的等效計(jì)算方法，實(shí)現(xiàn)了任意形狀PCB羅氏線(xiàn)圈繞線(xiàn)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，設(shè)計(jì)了針對(duì)器件電流測(cè)量的方形PCB羅氏線(xiàn)圈（如圖5所示），實(shí)現(xiàn)臨近芯片電流造成的測(cè)量誤差小于1%；針對(duì)器件內(nèi)部多芯片并聯(lián)芯片結(jié)溫測(cè)量，提出了壓接型IGBT器件結(jié)溫分布測(cè)量的時(shí)序溫敏電參數(shù)法，通過(guò)各芯片柵極的時(shí)序單獨(dú)控制（如圖6所示），在各周期分別進(jìn)行單顆IGBT芯片結(jié)溫的測(cè)量，進(jìn)而等效獲得一個(gè)周期內(nèi)各IGBT芯片的結(jié)溫分布。在此基礎(chǔ)上，完成了集成于高壓大功率器件內(nèi)部的多芯片并聯(lián)電流測(cè)試PCB羅氏線(xiàn)圈以及時(shí)序溫敏電參數(shù)測(cè)量驅(qū)動(dòng)板的設(shè)計(jì)（如圖7所示）。 5. 自主研制高壓大功率電力電子器件 面向電力系統(tǒng)用高壓大功率電力電子器件自主研制的需求，開(kāi)展了芯片建模與篩選、芯片并聯(lián)電流均衡調(diào)控、封裝絕緣特性及電場(chǎng)建模以及器件多物理場(chǎng)調(diào)控等方面工作，相關(guān)成果支撐了國(guó)家電網(wǎng)公司全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院有限公司3.3kV/1500A、3.3kV/3000A以及4.5kV/3000A硅基IGBT器件的自主研制，并通過(guò)柔直換流閥用器件的應(yīng)用驗(yàn)證實(shí)驗(yàn)，同時(shí)也支撐了世界首個(gè)18kV 壓接型SiC IGBT器件的自主研制。