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多陣列憶阻
器
存
算一體系統(tǒng)
隨著人工智能、大數(shù)據(jù)、物聯(lián)網(wǎng)、區(qū)塊鏈等新一代信息技術興起,數(shù)據(jù)量呈現(xiàn)爆炸式增長,傳統(tǒng)計算系統(tǒng)的算力難以滿足海量數(shù)據(jù)的計算需求。與此同時,摩爾定律逐漸放緩,單純依靠提高集成度、縮小晶體管尺寸來提升芯片及系統(tǒng)性能的路徑正面臨技術極限,通過引入憶阻器新器件、模擬計算新范式、存算一體新架構,將拓展出全新的高性能人工智能芯片與系統(tǒng),實現(xiàn)計算能力的飛躍。 目前被廣泛使用的經(jīng)典馮·諾依曼計算架構下數(shù)據(jù)存儲與處理是分離的,存儲器與處理器之間通過數(shù)據(jù)總線進行數(shù)據(jù)傳輸,在面向大數(shù)據(jù)分析等應用場景中,這種計算架構已成為高性能低功耗計算系統(tǒng)的主要瓶頸之一:數(shù)據(jù)總線的有限帶寬嚴重制約了處理器的性能與效率,且存儲器與處理器之間存在嚴重性能不匹配問題。憶阻器存算一體系統(tǒng)把傳統(tǒng)以計算為中心的架構轉變?yōu)橐詳?shù)據(jù)為中心的架構,其直接利用阻變器件進行數(shù)據(jù)存儲與處理,通過將器件組織成為交叉陣列形式,實現(xiàn)存算一體的矩陣向量乘計算。憶阻器存算一體系統(tǒng)可以避免數(shù)據(jù)在存儲和計算中反復搬移帶來的時間和能量開銷,消除了傳統(tǒng)計算系統(tǒng)中的“存儲墻”與“功耗墻”問題,可以高效、并行的完成基礎的矩陣向量乘計算,未來極有潛力成為支撐人工智能等新興應用的核心技術。 清華大學吳華強教授團隊實現(xiàn)了材料與器件、電路設計、架構和算法的軟硬件協(xié)同等多方面原始創(chuàng)新,解決了系統(tǒng)精度損失等被廣泛關注的難題: 材料與器件創(chuàng)新。科研團隊選擇了電學特性穩(wěn)定的二氧化鉿作為憶阻層核心材料,提出了通過插入少量氧化鋁層來固定離子分布、抑制晶粒間界形成的新理論,提出了引入熱增強層的新原理器件結構,成功抑制了憶阻器非理想特性的產(chǎn)生。 電路設計創(chuàng)新。開發(fā)了一套憶阻器與晶體管的混合電路設計方法,提出“差分電阻”設計思想,采取源線電流鏡限流設計,抑制了憶阻器電路中可能產(chǎn)生的各種計算誤差。 算法創(chuàng)新。提出了混合訓練算法,僅用小數(shù)據(jù)量訓練神經(jīng)網(wǎng)絡并只更新最后一層網(wǎng)絡的權重,即可將存算一體硬件系統(tǒng)的計算精度達到與軟件理論值相同的水平。 “技術鏈”創(chuàng)新。從“單點技術突破”拓展到“技術鏈突破”,開發(fā)了針對憶阻器存算一體芯片的電子設計自動化(EDA)工具,打通了從電路模塊設計到系統(tǒng)綜合再到芯片驗證的設計全流程。 上述理論和方法發(fā)表于《自然》《自然·納米技術》《自然·通訊》等國際頂級期刊,以及被譽為“集成電路奧林匹克”的“國際固態(tài)電路大會”等頂級學術會議。研究成果被“國際半導體技術路線圖”和30多部綜述文章長篇幅引用。團隊已在該研究方向申請國內(nèi)外專利72項,其中30項已獲得授權,知識產(chǎn)權完全自主可控。 團隊已研制出全球首款憶阻器存算一體芯片和系統(tǒng),集成了8個憶阻器陣列和完整的外圍控制電路,以更小的功耗和更低的硬件成本大幅提升了計算設備的算力。全系統(tǒng)的計算能效比當前主流的人工智能計算平臺——圖形處理器(GPU)高兩個數(shù)量級。團隊還設計了一款基于130nm工藝研制的完整憶阻器存算一體芯片,在MNIST數(shù)據(jù)集上計算速度已超過市面上28nm工藝的四核CPU產(chǎn)品近20倍,能效有近千倍的優(yōu)勢。
清華大學
2021-02-01
多陣列憶阻
器
存
算一體系統(tǒng)
項目成果/簡介:隨著人工智能、大數(shù)據(jù)、物聯(lián)網(wǎng)、區(qū)塊鏈等新一代信息技術興起,數(shù)據(jù)量呈現(xiàn)爆炸式增長,傳統(tǒng)計算系統(tǒng)的算力難以滿足海量數(shù)據(jù)的計算需求。與此同時,摩爾定律逐漸放緩,單純依靠提高集成度、縮小晶體管尺寸來提升芯片及系統(tǒng)性能的路徑正面臨技術極限,通過引入憶阻器新器件、模擬計算新范式、存算一體新架構,將拓展出全新的高性能人工智能芯片與系統(tǒng),實現(xiàn)計算能力的飛躍。
清華大學
2021-01-12
長電進銷
存
系統(tǒng)
南京工程學院
2021-04-13
凌云進銷
存
零售版
凌云多店鋪進銷存系統(tǒng)零售版主要針對零售店鋪日常業(yè)務的商品入庫、采購退貨、銷售出庫、銷售退換貨、盤點、財務管理等工作。全面反映門店的采購、銷售、損耗、財務情況,為多店鋪的決策提供了正確的支持平臺,幫助門店更有效、更全面地管理商品,是一款適合零售型的服裝、箱包、裝飾品、童裝、內(nèi)衣店等單店鋪或多店鋪使用的零售店鋪進銷存。
青島一凌網(wǎng)集成有限公司
2021-09-09
油茶蒲提取物
的
用途
本發(fā)明公開了一種油茶蒲提取物的用途,作為5α-還原酶抑制劑。油茶蒲提取物可用于制備治療前列腺炎的藥物,用于制備治療前列腺增生的藥物,用于制備治療前列腺癌的藥物,用于制備治療痤瘡的藥物或日化產(chǎn)品,或者用于制備治療雄激素依賴性脫發(fā)的藥物或日化產(chǎn)品。
浙江大學
2021-04-13
基于相變材料
的
片上光電
存
算一體化器件
的
研發(fā)
現(xiàn)階段所設計的存算一體器件單元結構如圖 1 所示: 器件的基本結構由波導和功能層(由下到上分為加熱層、電極層、保護層、相變材料(硫系化合物)層)所構成。擬通過在當前流行的絕緣層上硅(SOI)光子平臺上集成四氮化三硅光波導的方式實現(xiàn)器件的光學讀取功能,即在非常厚的硅襯底層上生長一層絕緣層二氧化硅和波導層,然后在基片上通過光刻、顯影、刻蝕等工藝制備四氮化三硅波導。功能層主要用于實現(xiàn)器件的電學寫入功能。加熱器層的主要用途是與相變材料層形成電接觸,通過較小的接觸面積使接觸處的熱量集中,從而可以在較小的電壓或電流下使相變材料發(fā)生相變。因此需要加熱器層具備較好的導熱和導電性能,同時在近 C 波段具有較低的光損耗,可采用石墨烯。電極層可用于提供相變材料器件單元所需要的編程電脈沖。當前擬采用硒摻雜的相變材料合金(如 GSST)作為器件的核心功能層的相變材料。該材料在通信/非通信波段顯示了極低的光損耗和更高的品質因數(shù),且相變前后在通信 C 波段具有足夠大的光學常數(shù)反差,可在更惡劣的高溫環(huán)境下進行操作,適用于硅基光子器件應用。 采用的主要技術手段包括: ① 依托于相變材料的電致和光致相變特性,通過電學編程、光學讀取的方法實現(xiàn)器件的存儲、算術運算和邏輯運算功能: 存儲功能的實現(xiàn):擬利用相變材料晶態(tài)低透過率和非晶態(tài)高透過率分別代表二進制中的‘1’和‘0’,實現(xiàn)數(shù)據(jù)存儲(編程)功能。例如在電極兩端施加合適的電脈沖,所產(chǎn)生電流流經(jīng)加熱層時,生成的熱量主要集中在加熱層和相變材料層接觸處,使得接觸處的相變材料發(fā)生相變,實現(xiàn)存儲功能。在完成上述編程操作后,從器件波導輸入端輸入讀取連續(xù)光。由于相變材料功能層對光強的吸收能力在編程和非編程區(qū)域間存在著顯著的差異,因此當輸入光經(jīng)過波導后,其能量會因為相變材料編程區(qū)域的吸收而發(fā)生改變,進而顯著改變輸出光強能量。所以通過測量輸入輸出光強的能量之比(即透過率),可實現(xiàn)對先前編程區(qū)域的讀取。 算術和邏輯功能的實現(xiàn):通過調整編程電脈沖的幅度和寬度可以動態(tài)調控相變材料的相變程度,使得器件的中間透過率值可用于代表不同的數(shù)值,實現(xiàn)多級存儲功能。所以擬采用輸入脈沖數(shù)量對應加數(shù)的方法實現(xiàn)標量加法計算。同時由于所設計器件的讀取連續(xù)光輸出功率可視為讀取連續(xù)光輸入功率和器件透過率的乘積,因此可采用將輸入功率和透過率作為被乘數(shù)和乘數(shù)的方法實現(xiàn)基本乘法運算。除此之外還可以將器件功能層的初始狀態(tài)設置為非晶相,把晶化脈沖幅值和不足以產(chǎn)生晶化的脈沖幅值分別作為輸入邏輯‘1’和‘0’;同時設定一個判定閾值并與編程后器件透過率的變化率進行對比,把高于和低于閾值的透過率變化率分別作為輸出邏輯 ‘1’和‘0’;通過合理選擇編程脈沖有望實現(xiàn)各種邏輯功能輸出。 ② 基于器件透射率可調特性驗證其實現(xiàn)神經(jīng)突觸的可行性。并依托所設計人工突觸構建人工神經(jīng)網(wǎng)絡芯片,實現(xiàn)圖像、語音和文本識別功能: 突觸可塑性是大腦記憶和學習的神經(jīng)生物學基礎,也是人工類腦器件需要實現(xiàn)的首要功能。為實現(xiàn)突觸可塑性,擬把相變材料和波導之間的耦合區(qū)域視為仿生神經(jīng)突觸,左右兩端電極分別代表突觸前和突觸后,分別施加在兩端電極上的電脈沖則作為突觸前和突觸后刺激。通過調節(jié)從左右兩端電極輸入耦合區(qū)域的電脈沖時間差對耦合區(qū)域的光透過率進行連續(xù)調控,進而依托于上述存算理論模型和實物器件仿真和實驗實現(xiàn)仿生神經(jīng)突觸的脈沖時序依賴可塑性(Spike-Timing-Dependent-Plasticity, STDP)。 將不同波長的光脈沖序列輸入所設計的突觸單元, 經(jīng)過相變材料的作用,脈沖強度發(fā)生變化,對應于乘法器。進而借助于微環(huán)結構,將不同波長的脈沖導入進同一波導中,該功能類似加法器。相加后的脈沖光強較小時,讀取光與微環(huán)發(fā)生共振,在輸出端口沒有光強輸出。當光強達到一定的閾值后,讀取信號不再和微環(huán)發(fā)生共振,而是傳播到輸出端口。這一過程類似神經(jīng)元脈沖信號的激發(fā),實現(xiàn)了非線性激活函數(shù)的功能。利用上述的單個神經(jīng)元結構,驗證其監(jiān)督式機器學習和非監(jiān)督式機器學習。對于監(jiān)督式機器學習,權重的數(shù)值通過外部管理器設置;對于非監(jiān)督式機器學習,不再需要外部管理器來設置權重值,而是通過輸出光脈沖進行反饋控制,調整權重值。在單個神經(jīng)元結構的基礎上,更復雜的光學脈沖神經(jīng)網(wǎng)絡結構,證明該結構的可擴展性。擬設計的神經(jīng)網(wǎng)絡中的每一層結構包括三個功能單元,即收集器、分發(fā)器和神經(jīng)突觸結構。收集器將上一層不同波長的光脈沖信號收集到同一根波導中,分發(fā)器將光脈沖分發(fā)給多個神經(jīng)元,神經(jīng)突觸結構則產(chǎn)生光脈沖信號,輸入給下一層結構。基于上述結構實現(xiàn)圖片、語音和文本的識別。 創(chuàng)新性分析:①首次研究了一款基于“電學編程、光學讀取”模式的光電混合存算一體化器件。與傳統(tǒng)電學存算一體化器件相比,擬研發(fā)的器件可以進行長距離的信息傳輸,具有傳輸帶寬高、信號間延遲低、損耗低、抗干擾、集成密度高等優(yōu)點。②采用硒(Se)摻雜的相變材料作為存算一體化器件的核心功能材料。與采用其他相變材料的存算一體器件相比,以硒參雜的相變材料作為功能材料的存算一體器件有望展現(xiàn)出極低的光損耗。③提出了一種基于“電學脈沖刺激、光學權重調節(jié)”的人工神經(jīng)突觸。該突觸器件有望成為未來通用型人工神經(jīng)突觸,填補了光電混合型人工突觸的技術空白。 先進性分析:①所提出的光電混合工作模式使得該存算一體化器件不但具有傳統(tǒng)集成電路的高密度特性,且兼具光通信技術的寬頻帶、低延遲、抗干擾的優(yōu)越性能。②所采用硒參雜的相變材料不但繼承了傳統(tǒng)材料具有的快速相變轉化速度、低功耗和穩(wěn)定性強等特性,且本身在通信波段非晶態(tài)透明的同時還保持了相變前后足夠大的光學性能差異的特點。③所設計的突觸繼承了人工電子突觸和全光突觸的優(yōu)點,具有高集成度、低功耗、超快響應時間、穩(wěn)定性強等優(yōu)點。 獨占性分析:根據(jù)已取得成果正在撰寫專利,以獲得該關鍵技術的獨有權。
南京郵電大學
2021-05-11
降解生物塑料
的
真菌菌株及其
用途
本發(fā)明公開了一株降解生物塑料的真菌菌株及其用途。本發(fā)明真菌菌株(Bionectria ochroleuca)的微生物保藏號是:CGMCCNo.3470。本發(fā)明真菌菌株對溫度、pH等自然環(huán)境條件的適應范圍廣,在pH4-11范圍內(nèi)都具有降解生物塑料的能力。本發(fā)明真菌菌株來源于普通土壤,容易培養(yǎng)和保存,可利用大豆油,甘油,或葡萄糖作為PBS的替代碳源物質對其進行發(fā)酵培養(yǎng)。本發(fā)明真菌菌株可以快速降解PBS、PBSA等生物塑料及其廢棄物,促進生物降解塑料的使用,減少白色污染,有利于環(huán)境保護。
北京林業(yè)大學
2021-02-01
基于同質器件架構
的
感算
存
一體化神經(jīng)形態(tài)硬件
該成果創(chuàng)新性地基于二維半導體的硅基同質器件,首次提出了類腦功能的“傳感-計算-存儲一體化”神經(jīng)形態(tài)芯片架構,實現(xiàn)了光電傳感、放大運算、信息存儲功能的一體化集成,為突破馮·諾依曼瓶頸和實現(xiàn)類腦智能提供了一種全新思路。 繆向水教授團隊,長期從事相變存儲器芯片、存算一體憶阻器芯片技術研究。2018年出版了國內(nèi)第一本憶阻器專著《憶阻器導論》,2019年團隊93項三維相變存儲器芯片專利許可給芯片公司并合作開發(fā)產(chǎn)品,并與行業(yè)龍頭企業(yè)合作建立了聯(lián)合實驗室,推動存儲器芯片技術的成果轉化以及未來引領技術的探索。曾榮獲國家科技進步獎2項、湖北省技術發(fā)明一等獎1項。 同質晶體管-存儲器架構的原理及器件結構 繆向水團隊長期從事相變存儲器芯片、存算一體憶阻器芯片技術研究。2018年出版了國內(nèi)第一本憶阻器專著《憶阻器導論》,2019年團隊93項三維相變存儲器芯片專利許可給芯片公司并合作開發(fā)產(chǎn)品,并與行業(yè)龍頭企業(yè)合作建立了聯(lián)合實驗室,推動存儲器芯片技術的成果轉化以及未來引領技術的探索。曾榮獲國家科技進步獎2項、湖北省技術發(fā)明一等獎1項。
華中科技大學
2022-08-12
糞產(chǎn)堿桿菌
的
用途
、糞產(chǎn)堿桿菌WZ-2及其制備
的
降解劑和
用途
本發(fā)明涉及一株糞產(chǎn)堿桿菌WZ?2,該降解菌從戊唑醇污染的菜地土壤中分離獲得。該菌株已于2018年1月25日保藏于中國微生物菌種保藏管理委員會普通微生物中心,保藏編號CGMCC NO.15301。本發(fā)明提供的降解菌WZ?2制成菌懸液后,可以通過直接加入土壤的方式應用于土壤中戊唑醇的降解,能快速的降解土壤中殘留的戊唑醇,從而降低戊唑醇對土壤環(huán)境的生態(tài)壓力,起到修復戊唑醇污染土壤,保護生態(tài)環(huán)境的作用。該菌株的菌劑制備工藝簡單,效率高,成本低,無二次污染,具有良好的應用前景。
青島農(nóng)業(yè)大學
2021-04-13
一種閾值電壓可調
的
薄膜晶體管作為非易失性存儲
器
的
用途
本發(fā)明公開了一種閾值電壓可調的薄膜晶體管作為非易失性存儲器的用途,薄膜晶體管的頂柵、阻擋層、存儲層、隧穿層及溝道層構成了頂柵型存儲器;薄膜晶體管的溝道層、底柵氧化層及底柵構成了底柵型TFT。通過對頂柵型存儲器進行操作實現(xiàn)非易失性存儲器的“編程/擦除”操作,通過對底柵型TFT進行操作實現(xiàn)非易失性存儲器的“讀”操作。“編程/擦除(Program/Erase,P/E)”和“讀”操作的分離,提升了存儲器的存儲窗口、可靠性以及工作速度等的性能。
東南大學
2021-04-11
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