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是一種介于蝶式和塔式系統(tǒng)之間的新型聚光太陽(yáng)能集熱技術(shù)，相當(dāng)于將塔式系統(tǒng)搬遷到旋轉(zhuǎn)平臺(tái)上，效率比傳統(tǒng)塔式系統(tǒng)高 20%，接近蝶式；系統(tǒng)所有反射鏡共用一臺(tái)方位跟蹤裝置，而且平行排列，每排反射鏡共用一臺(tái)高度跟蹤裝置，跟蹤裝置數(shù)量不到普通塔式系統(tǒng) 3%，從而大幅度提高系統(tǒng)可靠性，也使成本下降 30%左右。 目前已成功開發(fā)由 96 面反射鏡組成的小型聚光集熱系統(tǒng)；研究和優(yōu)化了反射面積為 2000 平米的工業(yè)化系統(tǒng)；改進(jìn)了聚光太陽(yáng)能光學(xué)系統(tǒng)性能計(jì)算精度；，第一次實(shí)現(xiàn)高精度計(jì)算聚光太陽(yáng)能系統(tǒng)年性能；全面研究了各種聚光太陽(yáng)能集熱技術(shù)性能，申請(qǐng)聚光太陽(yáng)能技術(shù)專利十余項(xiàng)。

基于有機(jī)-無(wú)機(jī)納米復(fù)合材料制備了一種柔性 的太赫茲完美吸收器，吸收頻寬 0.1-20 THz，平均吸收率超過 95%，工作頻寬達(dá) 到世界領(lǐng)先水平。適用于太赫茲隱身、太赫茲黑體等設(shè)備的制備。

 1、主要功能和應(yīng)用領(lǐng)域 針對(duì)太赫茲高分辨雷達(dá)和通信系統(tǒng)應(yīng)用需求，研究了常溫固態(tài)太赫茲連續(xù)波發(fā)射和接收的總體方案和實(shí)現(xiàn)技術(shù)，研究了太赫茲平面肖特基勢(shì)壘二極管非線性模型的精確模型，提出了太赫茲高效倍頻電路和低損耗分諧波接收電路的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，掌握了太赫茲倍頻器和分諧波混頻器的優(yōu)化方法，解決了固態(tài)太赫茲關(guān)鍵技術(shù)的工藝難題，突破太赫茲連續(xù)波發(fā)射和接收的關(guān)鍵技術(shù)，打破國(guó)外技術(shù)封鎖，提高自主創(chuàng)新能力，形成自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)，相關(guān)技術(shù)水平達(dá)到國(guó)際先進(jìn)，為我國(guó)太赫茲技術(shù)的發(fā)展和太赫茲系統(tǒng)的應(yīng)用奠定技術(shù)基礎(chǔ)，提供技術(shù)支撐。 2、特色和先進(jìn)性 1）國(guó)內(nèi)首次報(bào)道了400GHz以上頻段的太赫茲源，輸出功率大于5mW 2）首次開展了太赫茲高功率多管芯二極管的三維電磁模型研究； 3）國(guó)內(nèi)首次報(bào)道了220GHz、380GHz和664GHz分諧波混頻器，變頻損耗指標(biāo)由于10dB； 4）國(guó)內(nèi)首次開展了基于光電結(jié)合的太赫茲高速無(wú)線通信系統(tǒng)實(shí)驗(yàn)，通信速率大于12.5Gbps； 5）太赫茲核心模塊已應(yīng)用于太赫茲成像和通信系統(tǒng)中。 3、技術(shù)指標(biāo) 太赫茲倍頻器指標(biāo)對(duì)比 頻段 國(guó)外研究機(jī)構(gòu) 電子科技大學(xué) 美國(guó)VDI FARRAN 仿真 實(shí)測(cè) 59GHz 26dBm 20dBm 23dBm 17dBm 91.5GHz 22dBm 15dBm 16dBm 13dBm 110GHz 20dBm 12dBm 16dBm 12.5dBm 212.5GHz 15dBm 4dBm 13dBm 7dBm 340GHz 15dBm 4dBm 13dBm 4.5dBm 420GHz 9.5dBm 無(wú) 12dBm 4dBm 太赫茲分諧波混頻器指標(biāo)對(duì)比

成果簡(jiǎn)介： 1、主要功能和應(yīng)用領(lǐng)域 針對(duì)太赫茲高分辨雷達(dá)和通信系統(tǒng)應(yīng)用需求，研究了常溫固態(tài)太赫茲連續(xù)波發(fā)射和接收的總體方案和實(shí)現(xiàn)技術(shù)，研究了太赫茲平面肖特基勢(shì)壘二極管非線性模型的精確模型，提出了太赫茲高效倍頻電路和低損耗分諧波接收電路的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，掌握了太赫茲倍頻器和分諧波混頻器的優(yōu)化方法，解決了固態(tài)太赫茲關(guān)鍵技術(shù)的工藝難題，突破太赫茲連續(xù)波發(fā)射和接收的關(guān)鍵技術(shù)，打破國(guó)外技術(shù)封鎖，提高自主創(chuàng)新能力，形成自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)，相關(guān)技術(shù)水平達(dá)到國(guó)際先進(jìn)，為我國(guó)太赫茲技術(shù)的發(fā)展和太赫茲系統(tǒng)的應(yīng)用奠定技術(shù)基礎(chǔ)，提供技術(shù)支撐。 2、特色和先進(jìn)性 1）國(guó)內(nèi)首次報(bào)道了400GHz以上頻段的太赫茲源，輸出功率大于5mW 2）首次開展了太赫茲高功率多管芯二極管的三維電磁模型研究； 3）國(guó)內(nèi)首次報(bào)道了220GHz、380GHz和664GHz分諧波混頻器，變頻損耗指標(biāo)由于10dB； 4）國(guó)內(nèi)首次開展了基于光電結(jié)合的太赫茲高速無(wú)線通信系統(tǒng)實(shí)驗(yàn)，通信速率大于12.5Gbps； 5）太赫茲核心模塊已應(yīng)用于太赫茲成像和通信系統(tǒng)中。 3、技術(shù)指標(biāo) 太赫茲倍頻器指標(biāo)對(duì)比 頻段 國(guó)外研究機(jī)構(gòu) 電子科技大學(xué) 美國(guó)VDI FARRAN 仿真 實(shí)測(cè) 59GHz 26dBm 20dBm 23dBm 17dBm 91.5GHz 22dBm 15dBm 16dBm 13dBm 110GHz 20dBm 12dBm 16dBm 12.5dBm 212.5GHz 15dBm 4dBm 13dBm 7dBm 340GHz 15dBm 4dBm 13dBm 4.5dBm 420GHz 9.5dBm 無(wú) 12dBm 4dBm 太赫茲分諧波混頻器指標(biāo)對(duì)比

本發(fā)明公開了一種對(duì)色散聚光型太陽(yáng)能發(fā)電系統(tǒng)的仿真建模方 法，包括：（1）利用簡(jiǎn)單太陽(yáng)大氣輻射傳輸模式，得到入射的太陽(yáng)光 譜和輻射強(qiáng)度數(shù)據(jù)；（2）進(jìn)行膜系設(shè)計(jì)，得到輸入光譜的輸出光譜范 圍和輸出透射/反射率；（3）對(duì)系統(tǒng)建模創(chuàng)建實(shí)際系統(tǒng)模型，得到各 個(gè)子太陽(yáng)能電池上的投射光譜數(shù)據(jù)和輻射強(qiáng)度數(shù)據(jù)；（4）創(chuàng)建系統(tǒng)所 使用的單結(jié)/多結(jié)太陽(yáng)能子電池模型，得到各個(gè)子電池的輸出響應(yīng)；（5） 根據(jù)各個(gè)子電池的輸出響應(yīng)和投射光譜數(shù)據(jù)分

本發(fā)明公開了一種紅外聚光芯片。該芯片包括圓柱形的液晶調(diào)相架構(gòu)，其包括液晶材料層，依次設(shè)置在液晶材料層上表面的第一液晶初始取向?qū)印⒌谝浑姼綦x層、圖形化電極層、第一基片和第一紅外增透膜，以及依次設(shè)置在液晶材料層下表面的第二液晶初始取向?qū)印⒌诙姼綦x層、公共電極層、第二基片和第二紅外增透膜；圖形化電極層由圓形導(dǎo)電膜和同心設(shè)置在圓形導(dǎo)電膜外圍的至少一個(gè)圓環(huán)形導(dǎo)電膜構(gòu)成，圓形導(dǎo)電膜的直徑大于與其相鄰的圓環(huán)形導(dǎo)電膜的徑向?qū)?