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產(chǎn)品詳細(xì)介紹QSX-17型抗穿孔性儀(力特) 利用重錘從高處落下沖擊PVC防水卷材，以測(cè)定其抗穿孔性 技術(shù)參數(shù)： 1、金屬導(dǎo)管刻度長(zhǎng)為：500mm,分度值10mm 2、重錘重為：500g±1g 3、沖桿端鋼球?yàn)椋?12.7mm 4、墊塊：150mm*150mm*50mm 密度為25kg/立方米的泡沫聚苯乙烯 5、墊板：150mm*150mm*5mm鋁板 6、凈重：11kg 7、儀器外型尺寸：280mm*155mm*832mm   

產(chǎn)品詳細(xì)介紹WZY-120型防水卷材彎折儀(力特) 用于高分子卷材和防水涂料的低溫彎折性試驗(yàn)   技術(shù)參數(shù)： 試件尺寸：100＊50mm 彎折角度：180

產(chǎn)品詳細(xì)介紹金鑰匙科教設(shè)備有限公司基礎(chǔ)結(jié)構(gòu)件都經(jīng)過匠心獨(dú)具的幾何設(shè)計(jì)，看似千差萬別，但都存在長(zhǎng)度倍數(shù)關(guān)系、高度倍數(shù)關(guān)系、立體結(jié)構(gòu)關(guān)系。無論結(jié)構(gòu)型材件、鉸接頭還是齒輪，上千種零件之間的縱橫斜穿都隱藏著無窮繁多的巧妙連接方法，可以實(shí)現(xiàn)任何造型的搭建。除此之外，基礎(chǔ)型材件可以根據(jù)用戶需求來截取不同規(guī)格長(zhǎng)度。①比較不同結(jié)構(gòu)的拱橋模型承受壓力的大小。②對(duì)橋的受力情況進(jìn)行分析。電話：0513-8160127181601272EMAIL：ntjyskj@yahoo.com.cn網(wǎng)址：www.ntjys.com.cnQQ:979322621

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本項(xiàng)目屬于電子信息功能材料技術(shù)領(lǐng)域。 特色及先進(jìn)性：為了實(shí)現(xiàn)同一種單晶薄膜即可應(yīng)用于磁光器件，又可應(yīng)用于微波器件中，本項(xiàng)目提出了鉍镥鐵石榴石（BiLuIG）薄膜的設(shè)計(jì)體系，為了使其同時(shí)具有良好的磁光和微波特性，本項(xiàng)目很好的根據(jù)晶格匹配原則設(shè)計(jì)了材料配方，并選用無鉛液相外延技術(shù)，大大提高了薄膜的性能。本項(xiàng)目提出了在釓鎵石榴石（GGG）襯底上直接外延大口徑磁光BiLuIG單晶體的思路，解決我國(guó)無大晶格常數(shù)摻雜釓鎵石榴石（SGGG）晶圓片技術(shù)、無鉛液相外延大尺寸BiLuIG晶體圓片的不足，突破純GGG基片上外延超厚（1-20μm）磁光晶體這一難點(diǎn)科學(xué)問題。研究?jī)?nèi)容包括：（1）BiLuIG薄膜材料的配方設(shè)計(jì)研究：基于四能級(jí)躍遷模型，并結(jié)合離子替代規(guī)律和多離子摻雜技術(shù)，尋找最佳配方；（2）液相外延單晶薄膜材料的工藝技術(shù)研究：包括薄膜均勻性、缺陷控制、無鉛配方、生長(zhǎng)速率和薄膜鏡面條件控制等；（3）材料在器件中的驗(yàn)證研究，設(shè)計(jì)制備平面波導(dǎo)型磁光開關(guān)對(duì)材料磁光性能的驗(yàn)證。 技術(shù)指標(biāo)：（1）建成了我國(guó)第一條大尺寸磁光單晶薄膜液相外延的生產(chǎn)線，最大尺寸達(dá)到3英寸，單面薄膜厚度達(dá)到1μm－20μm。（2）單晶薄膜具體微波和磁光參數(shù)：4πMs=1500-1750Gs，△H=0.6-2.0Oe，Θf≥1.6-2.1度/μm＠633nm。（3） 掌握了進(jìn)行單晶薄膜材料在磁光和微波器件中的設(shè)計(jì)、制備和測(cè)試工作。 促進(jìn)科技進(jìn)步作用意義：本項(xiàng)目突破了我國(guó)在3英寸石榴石系列單晶體材料以及相關(guān)器件研究上的瓶頸技術(shù)，獲得了高法拉第效應(yīng)和低鐵磁共振線寬的大尺寸高質(zhì)量石榴石單晶薄膜材料。滿足了國(guó)內(nèi)在磁光、微波及毫米波集成器件方面對(duì)石榴石系晶體材料的需求，擺脫了完全依賴進(jìn)口、受制于人的不利局面。該項(xiàng)目研制的材料已提供給中電集團(tuán)41所、美國(guó)Delaware大學(xué)、天津大學(xué)、中國(guó)工程物理研究院、深圳市通能達(dá)電子科技有限公司（中電九所下屬）、陜西金山電器有限公司（4390廠）等單位使用，并為中電集團(tuán)9所、33所等單位提供批量樣品，用于制備磁光和微波器件，受到好評(píng)。

本項(xiàng)目提出了在釓鎵石榴石（GGG）襯底上直接外延大口徑磁光BiLuIG單晶體的思路，解決我國(guó)無大晶格常數(shù)摻雜釓鎵石榴石（SGGG）晶圓片技術(shù)、無鉛液相外延大尺寸BiLuIG晶體圓片的不足，突破純GGG基片上外延超厚（1-20μm）磁光晶體這一難點(diǎn)科學(xué)問題。