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輕質(zhì)碳酸鎂，輕質(zhì)氧化鎂，阻燃劑型氫氧化鎂等鎂鹽系列產(chǎn)品是重要的無(wú)機(jī)鹽產(chǎn)品，不僅用途廣泛，而且用量很大，是當(dāng)前備受重視的商業(yè)產(chǎn)品之一。過(guò)去生產(chǎn)這些產(chǎn)品一般是以制鹽業(yè)后的苦鹵水及純堿或碳銨為原料生產(chǎn)，由于原材料價(jià)格較高，生產(chǎn)能力受到成本的限制，為滿足市場(chǎng)的需要，一些科研人員和生產(chǎn)商家們開(kāi)始研究以白云石為原料來(lái)生產(chǎn)這些產(chǎn)品，經(jīng)過(guò)幾年的努力攻關(guān)，已經(jīng)開(kāi)發(fā)成立了多級(jí)碳化法，由白云石來(lái)制備輕質(zhì)碳酸鎂等鎂系列產(chǎn)品。產(chǎn)品主要用于橡膠，陶瓷，耐火材料，耐火坩堝，油漆，造紙，醫(yī)藥，玻璃，染料，塑料，日用化妝品，無(wú)機(jī)新型阻燃劑氫氧化鎂大量用于橡膠，塑料生產(chǎn)中，它們還用于現(xiàn)代工業(yè)中作為高效排煙脫硫劑廣泛使用，作為阻燃劑使用，氫氧化鎂具有降低，抑煙阻燃等多種功能，而受到用戶(hù)的歡迎。上述產(chǎn)品由于原料來(lái)源方便，價(jià)格低廉，生產(chǎn)中無(wú)或低“三廢”排放，產(chǎn)品用途廣泛，用量大，應(yīng)用功效高等特點(diǎn)，因而具有十分美好的應(yīng)用前景。

浙江大學(xué)FEI Titan球差矯正透射電鏡用高分辨原位高速相機(jī)競(jìng)爭(zhēng)性磋商

集成電路是微電子技術(shù)的核心，與國(guó)防和國(guó)民經(jīng)濟(jì)現(xiàn)代化, 乃至人們的文化生活都息息相關(guān)。集成電路由芯片和框架經(jīng)封裝而成, 其中框架既是骨架又是半導(dǎo)體芯片與外界的聯(lián)接電路, 是芯片的散熱通道, 又是連結(jié)電路板的橋梁, 因此框架在集成電路器件和各組裝程序中占有極其重要的地位，目前，由于集成電路向高密度, 高集成化方向發(fā)展, 芯片的散熱問(wèn)題已成為突出矛盾。集成電路大規(guī)模和超大規(guī)模的迅速推進(jìn)，對(duì)集成電路框架及材料提出了高、精、尖、短、小、輕、薄的要求，過(guò)去廣泛使用的鐵鎳42合金已不能滿足要求。而銅合金框架材料, 利用銅合金優(yōu)良的傳熱性能, 加入少量強(qiáng)化元素, 通過(guò)固溶強(qiáng)化和彌散強(qiáng)化提高其強(qiáng)度, 同時(shí)僅稍微損失導(dǎo)熱性能。目前，銅合金框架已成為主體，形成了中強(qiáng)中導(dǎo)、高強(qiáng)中導(dǎo)、高強(qiáng)高導(dǎo)合金系列。以前，由于在合金的熔煉工藝、軋制和熱處理工藝以及板型控制等關(guān)鍵技術(shù)與國(guó)外先進(jìn)水平有較大差距，我國(guó)所使用的大規(guī)模集成電路引線框架材料長(zhǎng)期以來(lái)都是依靠進(jìn)口。目前，本課題組通過(guò)一系列研究，開(kāi)發(fā)了具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的Cu-Ni-Si系合金，并實(shí)現(xiàn)了Cu-Fe-P 系合金銅帶和異型帶的國(guó)產(chǎn)化大規(guī)模生產(chǎn)。 一、Cu-Ni-Si系銅合金主要性能指標(biāo) 1.抗拉強(qiáng)度σb：650～750MPa； 2.延伸率>8%； 3.導(dǎo)電率：45～60%IACS。 二、Cu-Fe-P系銅合金主要性能指標(biāo) 1.抗拉強(qiáng)度σb：450～600MPa； 2.延伸率>7%； 3.導(dǎo)電率：60～80%IACS。

全可變氣門(mén)機(jī)構(gòu)（Fully Variable Valve System, 簡(jiǎn)稱(chēng) FVVS）可實(shí)現(xiàn)氣門(mén)最 大升程、氣門(mén)開(kāi)啟持續(xù)角和配氣相位三者的連續(xù)可變，對(duì)發(fā)動(dòng)機(jī)的節(jié)能減排具 有重要意義。FVVS 能夠采用進(jìn)氣門(mén)早關(guān)（EIVC）的方式控制進(jìn)入氣缸內(nèi)的工 質(zhì)數(shù)量，從而取消節(jié)氣門(mén)，這種無(wú)節(jié)氣門(mén)汽油機(jī)將大幅度地降低泵氣損失，使 中小負(fù)荷時(shí)的燃油耗降低 10-15%。此外，全可變氣門(mén)機(jī)構(gòu)與增壓系統(tǒng)匹配可實(shí) 現(xiàn)米勒循環(huán)（Miller cycle），大幅度改善發(fā)動(dòng)機(jī)熱效率；全可變氣門(mén)技術(shù)可以 拓展 HCCI 運(yùn)行范圍，并通過(guò)發(fā)動(dòng)機(jī)內(nèi)部 EGR 減少有害氣體的排放；因此 FVVS 技術(shù)已成為內(nèi)燃機(jī)新技術(shù)的重要發(fā)展方向之一。 目前，典型的全可變液壓氣門(mén)機(jī)構(gòu)是舍弗勒的 MultiAir 系統(tǒng)。該系統(tǒng)的工 作原理如下：由凸輪推動(dòng)液壓活塞，液壓活塞通過(guò)液壓腔與驅(qū)動(dòng)活塞相連，而 液壓腔則由一個(gè)開(kāi)關(guān)式電磁閥控制。通過(guò)對(duì)電磁閥開(kāi)閉時(shí)刻的控制，即可實(shí)現(xiàn) 各種不同的氣門(mén)運(yùn)動(dòng)規(guī)律，實(shí)現(xiàn)全可變氣門(mén)機(jī)構(gòu)的功能。舍弗勒 MultiAir 系統(tǒng) 被美國(guó)《汽車(chē)新聞》評(píng)為“2012 年度汽車(chē)供應(yīng)商杰出貢獻(xiàn)獎(jiǎng)”（2012 Automotive News PACE）。 山東大學(xué)車(chē)輛系多年來(lái)一直從事全可變液壓氣門(mén)機(jī)構(gòu)的研究工作，研發(fā)了 一種配氣凸輪驅(qū)動(dòng)的全可變液壓氣門(mén)機(jī)構(gòu)，簡(jiǎn)稱(chēng) SDFVVS 系統(tǒng)。該機(jī)構(gòu)通過(guò)設(shè) 置在配氣凸輪與進(jìn)氣門(mén)之間的液壓氣門(mén)驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)驅(qū)使進(jìn)氣門(mén)開(kāi)啟，用泄油控制 機(jī)構(gòu)釋放液壓系統(tǒng)中的油壓使進(jìn)氣門(mén)關(guān)閉，并采用落座緩沖機(jī)構(gòu)控制氣門(mén)落座 速度。SDFVVS 系統(tǒng)的工作原理與舍弗勒的 MultiAir 技術(shù)基本相同，都屬于電 控全可變液壓氣門(mén)機(jī)構(gòu)。但其核心技術(shù)卻有本質(zhì)的區(qū)別，MultiAir 技術(shù)采用高 頻電磁閥（200Hz 以上）作為液壓系統(tǒng)的油控開(kāi)關(guān)；而山大研制的 SDFVVS 系 統(tǒng)采用了泄油控制機(jī)構(gòu)作為液壓系統(tǒng)的油控開(kāi)關(guān)。SDFVVS 系統(tǒng)已在北汽福田 BJ486 汽油機(jī)上已成功實(shí)現(xiàn)了實(shí)現(xiàn)氣門(mén)最大升程、氣門(mén)開(kāi)啟持續(xù)角和配氣相位 三者的連續(xù)可變。

一種通過(guò)用膠帶預(yù)處理基底來(lái)氣相沉積生長(zhǎng)單層MoS 2 枝晶的方法，有意在初始成核階段和/或生長(zhǎng)過(guò)程中引入孿晶缺陷，實(shí)現(xiàn)單層MoS 2 樹(shù)枝晶的形貌調(diào)控。所得的MoS 2 晶體具有六次對(duì)稱(chēng)的骨架，分枝數(shù)可調(diào)。其形狀的演化過(guò)程是由膠黏劑種子誘導(dǎo)的雙晶缺陷形核和局部硫/鉬源蒸氣比的協(xié)同效應(yīng)所引起的。此外，由于硫空位的富集，極大地增強(qiáng)了循環(huán)孿晶區(qū)的光致發(fā)光效率。該工作為合成可控形狀的單層MoS 2 提供了一種簡(jiǎn)便有效的策略，同時(shí)也為理解孿晶缺陷的生長(zhǎng)機(jī)制以及在其電催化和光電催化等領(lǐng)域的應(yīng)用做出了貢獻(xiàn)。

本發(fā)明公開(kāi)了一種 3D 打印用金屬基陶瓷相增強(qiáng)合金工具鋼粉末 的制備方法，該合金工具鋼粉末所含元素及質(zhì)量百分含量為：C， 0.2-5％；Si，0.2-1％；Mn，0.1-1％；Ni，0.3-1％；Cr，3-25％；Mo， 0.2-15％；V，0.2-14.5％；W，0.3-15％；Co，1-18％；Nb，0.2-1％； 金屬基陶瓷相金屬元素，0.2-8％；鐵，余量，所述制備方法如下：1) 將原料混合粉末熔化；2)脫氧處理；3)脫硫

本發(fā)明公開(kāi)了一種 3D 打印用金屬基陶瓷相增強(qiáng)合金工具鋼粉末 的制備方法，該合金工具鋼粉末所含元素及質(zhì)量百分含量為：C， 0.2-5％；Si，0.2-1％；Mn，0.1-1％；Ni，0.3-1％；Cr，3-25％；Mo， 0.2-15％；V，0.2-14.5％；W，0.3-15％；Co，1-18％；Nb，0.2-1％； 金屬基陶瓷相金屬元素，0.2-8％；鐵，余量，所述制備方法如下：1) 將原料混合粉末熔化；2)脫氧處理；3)脫硫

集成電路是微電子技術(shù)的核心，與國(guó)防和國(guó)民經(jīng)濟(jì)現(xiàn)代化，乃至人們的文化生活都息息相關(guān)。集成電路由芯片和框架經(jīng)封裝而成，其中框架既是骨架又是半導(dǎo)體芯片與外界的聯(lián)接電路，是芯片的散熱通道，又是連結(jié)電路板的橋梁，因此框架在集成電路器件和各組裝程序中占有極其重要的地位，目前，由于集成電路向高密度，高集成化方向發(fā)展，芯片的散熱問(wèn)題已成為突出矛盾。集成電路大規(guī)模和超大規(guī)模的迅速推進(jìn)，對(duì)集成電路框架及材料提出了高、精、尖、短、小、輕、薄的要求，過(guò)去廣泛使用的鐵鎳42合金已不能滿足要求。而銅合金框架材料，利用銅合金優(yōu)良的傳熱性能，加入少量強(qiáng)化元素，通過(guò)固溶強(qiáng)化和彌散強(qiáng)化提高其強(qiáng)度，同時(shí)僅稍微損失導(dǎo)熱性能。目前，銅合金框架已成為主體，形成了中強(qiáng)中導(dǎo)、高強(qiáng)中導(dǎo)、高強(qiáng)高導(dǎo)合金系列。以前，由于在合金的熔煉工藝、軋制和熱處理工藝以及板型控制等關(guān)鍵技術(shù)與國(guó)外先進(jìn)水平有較大差距，我國(guó)所使用的大規(guī)模集成電路引線框架材料長(zhǎng)期以來(lái)都是依靠進(jìn)口。目前，本課題組通過(guò)一系列研究，開(kāi)發(fā)了具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的Cu-Ni-Si系合金，并實(shí)現(xiàn)了Cu-Fe-P 系合金銅帶和異型帶的國(guó)產(chǎn)化大規(guī)模生產(chǎn)。