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本發(fā)明公開了一種實現 TD-LTE-Advanced 中多流波束賦形的方法，包括：從 TD-LTE-Advanced 基站的上行探測參考信號獲取 4×8的信道矩陣，將信道矩陣 A1進行分解，以得到兩個 4×4子信道矩陣，對每個子信道矩陣進行 Household 變換，以生成上Hessenberg 矩陣，對上 Hessenberg 矩陣 J(1)進行 Givens 旋轉，以將該矩陣 J(1)變換成對角矩陣，重復上述運算達至少 5 次，其中上一次計算得到的矩陣又會作為下一次計算中所使用的Hessenberg 矩陣，將得到的右乘 Household 變換矩陣和得到的右乘Givens 矩陣疊乘，以得到一個 4*4 的矩陣。利用最大比傳輸算法對生成的矩陣 V 的每一列進行加權處理，以生成最終的波束賦形權矢量。本發(fā)明能夠克服現有 EBB 算法的不足，準確地計算多流波束賦形權矢量，并有效降低誤碼率。

本發(fā)明公開了一種用于偏癱患者的多自由度拇指康復訓練裝置，包括支撐底座以及固定在支撐底座上的驅動傳感機構Ｉ和驅動傳感機構ＩＩ，驅動傳感機構Ｉ和驅動傳感機構ＩＩ由光電編碼器、直流力矩電機、磁流變液阻尼器和力矩傳感器組成；其中，驅動傳感機構Ｉ的輸出端通過聯軸器Ｉ連接弧形導軌的一端，弧形導軌的另一端依次通過連接桿Ｉ、連接桿ＩＩ、連接桿ＩＩＩ固定在支撐板Ｉ上，連接桿ＩＩＩ通過軸承Ｉ固定在支撐板Ｉ上，支撐板Ｉ固定在支撐底座上；驅動傳感機構ＩＩ的輸出端通過聯軸器ＩＩ連接手機訓練機構的驅動軸，手指訓練機構包括訓練桿、前指套、后指套、驅動連接件和驅動軸，驅動軸通過驅動連接件與訓練桿傳動連接；訓練桿的前端部嵌入弧形導軌中沿著弧形導軌滑動。

碳化硅的工業(yè)生產，國內外一直沿用 100 多年前 Acheson 發(fā)明的單爐芯技術，該法能耗高、產品品質差、環(huán)境污染大、生產不安全、單爐產量小，因而生產效率低，產品市場競爭力差。高品質 SiC 新材料市場奇缺，嚴重制約了其在諸多高新技術領域的應用。 1995 年以來，課題組對以往國內外 SiC 生產爐的結構、生產技術和工藝進行了全面深入的調查、經多年潛心研究，創(chuàng)立了多熱源多向流合成碳化硅理論體系，發(fā)明了 “ 冶煉碳化硅的多爐芯爐及其生產碳化硅的方法 ” 新技術。該技術獲國家發(fā)明專利授權 1 項，獲西安市科技進步一等獎、陜西省科技進步三等獎以及陜西省職工優(yōu)秀發(fā)明創(chuàng)新成果金獎。已在國內陜西、青海、寧夏、新疆、福建等地建成生產線 10 余條，占據我國 SiC 產能的 1/4 ，創(chuàng)產值 30 億余元，有力地推動了行業(yè)技術進步。

本技術成果涉及一類具有抗腫瘤作用的多芳乙烯取代β-二酮類化合物。

本發(fā)明為一種具有多生長因子次第釋放特性的組織工程支架，屬于藥物劑型改變及制備方法技術領域。本發(fā)明中，結合微球緩釋系統(tǒng)和支架的特點，采用復乳法分別制備BMP-2、VEGF和bFGF等生長因子的PLLA/PEG緩釋微球，再利用超臨界二氧化碳發(fā)泡技術將微球載入PLGA多孔支架中，構建具有可控次第釋放特性的組織工程支架。本方法藥物活性保持度高，有機溶劑殘留量低，操作簡單。所制備微球粒度分布窄，具有良好的緩釋效果。復合支架孔徑分布在150~300μm，連通性好，孔隙率為76.84%，抗壓強度為5.11MPa，21天累計釋放量為60.6%。本發(fā)明制備的支架在組織工程修復體中具有應用前景。

本發(fā)明公開一種用于電力電子系統(tǒng)的多通道隔離高速智能收發(fā)裝置及方法。其裝置包括發(fā)送單元、接收單元以及隔離傳輸媒質。發(fā)送單元包括數據采樣及信號調理模塊、A/D轉換模塊、發(fā)送主控單元以及發(fā)送單元信號轉換模塊;接收單元包括接收單元信號轉換模塊、接收單元信號調理模塊、接收主控單元以及存儲輸出模塊;本發(fā)明裝置可對多通道模擬量采樣及開關量采樣進行數字編碼,并通過隔離傳輸媒質傳輸。每個接收單元可連接多個發(fā)送單元同時解碼。本發(fā)明裝置具有突出的高可靠電氣隔離性、實時性和智能化特點。

該專利技術在多直流饋入電網動態(tài)無功補償裝置和控制方法方面都做了技術創(chuàng)新，研制的動態(tài)無功補償裝置響應速度快、控制精準和可靠性高，解決了現有技術中多直流饋入系統(tǒng)中動態(tài)無功補償裝置經濟性和可靠性不能兼顧的問題，提出的高壓直流動態(tài)無功精準控制方法突破了現有技術中高壓直流不能參加電網動態(tài)無功補償的技術瓶頸，滿足了多直流饋入受端電網電壓穩(wěn)定對動態(tài)無功支撐能力的要求。專利技術在南方電網進行實施，實際應用效果表明該技術能高效利用系統(tǒng)中的動態(tài)無功資源，顯著提高了南方電網動態(tài)無功支持能力和電壓穩(wěn)定性，為多直流饋入電網的安全穩(wěn)定運行提供了保障，確保了國家“西電東送”戰(zhàn)略的順利實施，促進了東西部的合作共贏，推動了國民經濟和社會的發(fā)展。基于對該專利技術貢獻率的測算，截至2017年12月底，累計新增銷售額超過5億元，累計新增利潤超過4000萬元。在第二十屆中國專利獎評審中獲得銀獎。

本發(fā)明包括一種多枝樹形等離激元波導復合納米結構的合成及其光學操控方法，該合成方法包括多個步驟，每個步驟均可精確控制。樹形納米結構的主干和在其上生長的枝狀納米結構的粗細均可精確控制，在樹形納米結構表面疊加有殼或無殼的量子點形成量子點復合樹形納米結構，無殼量子點可用于化學催化、環(huán)境監(jiān)測、生物傳感等應用。光從納米線一端入射，經納米線及枝狀結構，激勵有殼量子點發(fā)光，可用于遙感拉曼、新型激光器等應用。通過光學操控可改變入射光的強度和偏振態(tài)，控制特定區(qū)域的量子點發(fā)光，可消除散射中心之間干涉衍射效應產生的串擾效應，從而可用于亞波長的高分辨率探測。

本發(fā)明公開了俯仰多視角的懸浮式360度視場空間三維顯示裝置，包括復合式偏折型散射屏、高速投影機、圖像發(fā)生器、探測模塊和旋轉傳動機構。高速投影機將三維物體不同俯仰角度水平360度全景視場的組合圖像投影到高速旋轉的復合式偏折型散射屏上。復合式偏折型散射屏可對不同角度入射光的垂直偏折及發(fā)散角度和水平發(fā)散角度進行控制，使環(huán)繞觀看的不同高度的觀察者的雙眼觀察到對應于其視點位置的圖像，實現顯示的三維物體懸浮于復合式偏折型散射屏的上面，且其位置不隨視點的高低變化而改變。俯仰多視角的懸浮式360度視場空間三維顯示可供多人俯仰多角度、水平360度全視場裸眼同時觀看，實現空間遮擋消隱并可探入觸摸交互。

1. 高壓IGBT器件封裝絕緣測試系統(tǒng) 針對高壓IGBT器件內部承受的正極性重復方波電壓以及高溫工況，研制了針對高壓IGBT器件、芯片及封裝絕緣材料絕緣特性的測試系統(tǒng)（如圖1所示），可實現電壓波形參數、溫度和氣壓的靈活調控，用于研究電壓類型（交、直流、重復方波電壓）、波形參數、氣體種類、氣體壓力等因素對絕緣特性，具備放電脈沖電流測量、局部放電測量、放電光信號測量、漏電流測量及紫外光子測量等功能（如圖2所示），平臺相關參數：頻率：DC~20kHz，電壓：0~20kV，上升沿/下降沿：150ns可調，占空比：1%~99%，溫度：25℃~150℃，氣壓：真空~3個大氣壓。  2.壓接型IGBT器件并聯均流實驗系統(tǒng) 針對高壓大功率壓接型IGBT器件內部的芯片間電流均衡問題，研制了針對壓接型IGBT器件的多芯片并聯均流實驗系統(tǒng)（如圖3所示），平臺具有靈活調節(jié)IGBT芯片布局，柵極布線，溫度和壓力分布的能力，可開展芯片參數、寄生參數以及壓力和溫度等多物理量對壓接型IGBT器件在開通/關斷過程芯片-封裝支路瞬態(tài)電流分布影響規(guī)律的研究，以及瞬態(tài)電流不均衡調控方法的研究；平臺相關參數：電壓：0~6.5kV，電流：0~3kA，溫度：25℃~150℃，壓力：0~50kN。   圖3 壓接型IGBT多芯片并聯均流實驗 3.高壓大功率IGBT器件可靠性實驗系統(tǒng) 隨著高壓大功率 IGBT 器件容量的進一步提升，對其可靠性考核裝備在測量精度、測試效率等方面提出了挑戰(zhàn)。針對柔性直流輸電用高壓大功率 IGBT 器件的測試需求，自主研制了 90 kW /3 000 A 功率循環(huán)測試裝備和100V/200°C高溫柵偏測試裝備（如圖4所示）。功率循環(huán)測試裝備可針對柔性直流輸電中壓接型和焊接式兩種不同封裝形式的IGBT開展功率循環(huán)測試，最多可實現12個IGBT器件的同時測試。電流等級、波形參數、壓力均獨立可調，功率循環(huán)周期為秒級，極限測試能力可達 300 ms，最高壓力達220 kN，虛擬結溫測量精度達±1°C，導通壓降測量精度達±2mV。高溫柵偏測試裝備可實現漏電流和閾值電壓的實時在線監(jiān)測，最多可實現32個IGBT器件的同時測試。 4. 壓接器件內部并聯多芯片電流及結溫測量方法及實現 高壓大功率壓接型IGBT器件內部芯片瞬態(tài)電流及結溫測量是器件多物理量均衡調控及狀態(tài)監(jiān)測的基本手段，針對器件內部密閉封裝以及密集分布鄰近支路引起的干擾問題，提出了PCB羅氏線圈互電感的等效計算方法，實現了任意形狀PCB羅氏線圈繞線結構設計，設計了針對器件電流測量的方形PCB羅氏線圈（如圖5所示），實現臨近芯片電流造成的測量誤差小于1%；針對器件內部多芯片并聯芯片結溫測量，提出了壓接型IGBT器件結溫分布測量的時序溫敏電參數法，通過各芯片柵極的時序單獨控制（如圖6所示），在各周期分別進行單顆IGBT芯片結溫的測量，進而等效獲得一個周期內各IGBT芯片的結溫分布。在此基礎上，完成了集成于高壓大功率器件內部的多芯片并聯電流測試PCB羅氏線圈以及時序溫敏電參數測量驅動板的設計（如圖7所示）。 5. 自主研制高壓大功率電力電子器件 面向電力系統(tǒng)用高壓大功率電力電子器件自主研制的需求，開展了芯片建模與篩選、芯片并聯電流均衡調控、封裝絕緣特性及電場建模以及器件多物理場調控等方面工作，相關成果支撐了國家電網公司全球能源互聯網研究院有限公司3.3kV/1500A、3.3kV/3000A以及4.5kV/3000A硅基IGBT器件的自主研制，并通過柔直換流閥用器件的應用驗證實驗，同時也支撐了世界首個18kV 壓接型SiC IGBT器件的自主研制。