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本發(fā)明公開了一種實(shí)現(xiàn) TD-LTE-Advanced 中多流波束賦形的方法，包括：從 TD-LTE-Advanced 基站的上行探測(cè)參考信號(hào)獲取 4×8的信道矩陣，將信道矩陣 A1進(jìn)行分解，以得到兩個(gè) 4×4子信道矩陣，對(duì)每個(gè)子信道矩陣進(jìn)行 Household 變換，以生成上Hessenberg 矩陣，對(duì)上 Hessenberg 矩陣 J(1)進(jìn)行 Givens 旋轉(zhuǎn)，以將該矩陣 J(1)變換成對(duì)角矩陣，重復(fù)上述運(yùn)算達(dá)至少 5 次，其中上一次計(jì)算得到的矩陣又會(huì)作為下一次計(jì)算中所使用的Hessenberg 矩陣，將得到的右乘 Household 變換矩陣和得到的右乘Givens 矩陣疊乘，以得到一個(gè) 4*4 的矩陣。利用最大比傳輸算法對(duì)生成的矩陣 V 的每一列進(jìn)行加權(quán)處理，以生成最終的波束賦形權(quán)矢量。本發(fā)明能夠克服現(xiàn)有 EBB 算法的不足，準(zhǔn)確地計(jì)算多流波束賦形權(quán)矢量，并有效降低誤碼率。

本發(fā)明公開了一種用于偏癱患者的多自由度拇指康復(fù)訓(xùn)練裝置，包括支撐底座以及固定在支撐底座上的驅(qū)動(dòng)傳感機(jī)構(gòu)Ｉ和驅(qū)動(dòng)傳感機(jī)構(gòu)ＩＩ，驅(qū)動(dòng)傳感機(jī)構(gòu)Ｉ和驅(qū)動(dòng)傳感機(jī)構(gòu)ＩＩ由光電編碼器、直流力矩電機(jī)、磁流變液阻尼器和力矩傳感器組成；其中，驅(qū)動(dòng)傳感機(jī)構(gòu)Ｉ的輸出端通過聯(lián)軸器Ｉ連接弧形導(dǎo)軌的一端，弧形導(dǎo)軌的另一端依次通過連接桿Ｉ、連接桿ＩＩ、連接桿ＩＩＩ固定在支撐板Ｉ上，連接桿ＩＩＩ通過軸承Ｉ固定在支撐板Ｉ上，支撐板Ｉ固定在支撐底座上；驅(qū)動(dòng)傳感機(jī)構(gòu)ＩＩ的輸出端通過聯(lián)軸器ＩＩ連接手機(jī)訓(xùn)練機(jī)構(gòu)的驅(qū)動(dòng)軸，手指訓(xùn)練機(jī)構(gòu)包括訓(xùn)練桿、前指套、后指套、驅(qū)動(dòng)連接件和驅(qū)動(dòng)軸，驅(qū)動(dòng)軸通過驅(qū)動(dòng)連接件與訓(xùn)練桿傳動(dòng)連接；訓(xùn)練桿的前端部嵌入弧形導(dǎo)軌中沿著弧形導(dǎo)軌滑動(dòng)。

碳化硅的工業(yè)生產(chǎn)，國內(nèi)外一直沿用 100 多年前 Acheson 發(fā)明的單爐芯技術(shù)，該法能耗高、產(chǎn)品品質(zhì)差、環(huán)境污染大、生產(chǎn)不安全、單爐產(chǎn)量小，因而生產(chǎn)效率低，產(chǎn)品市場(chǎng)競爭力差。高品質(zhì) SiC 新材料市場(chǎng)奇缺，嚴(yán)重制約了其在諸多高新技術(shù)領(lǐng)域的應(yīng)用。 1995 年以來，課題組對(duì)以往國內(nèi)外 SiC 生產(chǎn)爐的結(jié)構(gòu)、生產(chǎn)技術(shù)和工藝進(jìn)行了全面深入的調(diào)查、經(jīng)多年潛心研究，創(chuàng)立了多熱源多向流合成碳化硅理論體系，發(fā)明了 “ 冶煉碳化硅的多爐芯爐及其生產(chǎn)碳化硅的方法 ” 新技術(shù)。該技術(shù)獲國家發(fā)明專利授權(quán) 1 項(xiàng)，獲西安市科技進(jìn)步一等獎(jiǎng)、陜西省科技進(jìn)步三等獎(jiǎng)以及陜西省職工優(yōu)秀發(fā)明創(chuàng)新成果金獎(jiǎng)。已在國內(nèi)陜西、青海、寧夏、新疆、福建等地建成生產(chǎn)線 10 余條，占據(jù)我國 SiC 產(chǎn)能的 1/4 ，創(chuàng)產(chǎn)值 30 億余元，有力地推動(dòng)了行業(yè)技術(shù)進(jìn)步。

本技術(shù)成果涉及一類具有抗腫瘤作用的多芳乙烯取代β-二酮類化合物。

本發(fā)明為一種具有多生長因子次第釋放特性的組織工程支架，屬于藥物劑型改變及制備方法技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明中，結(jié)合微球緩釋系統(tǒng)和支架的特點(diǎn)，采用復(fù)乳法分別制備BMP-2、VEGF和bFGF等生長因子的PLLA/PEG緩釋微球，再利用超臨界二氧化碳發(fā)泡技術(shù)將微球載入PLGA多孔支架中，構(gòu)建具有可控次第釋放特性的組織工程支架。本方法藥物活性保持度高，有機(jī)溶劑殘留量低，操作簡單。所制備微球粒度分布窄，具有良好的緩釋效果。復(fù)合支架孔徑分布在150~300μm，連通性好，孔隙率為76.84%，抗壓強(qiáng)度為5.11MPa，21天累計(jì)釋放量為60.6%。本發(fā)明制備的支架在組織工程修復(fù)體中具有應(yīng)用前景。

本發(fā)明公開一種用于電力電子系統(tǒng)的多通道隔離高速智能收發(fā)裝置及方法。其裝置包括發(fā)送單元、接收單元以及隔離傳輸媒質(zhì)。發(fā)送單元包括數(shù)據(jù)采樣及信號(hào)調(diào)理模塊、A/D轉(zhuǎn)換模塊、發(fā)送主控單元以及發(fā)送單元信號(hào)轉(zhuǎn)換模塊;接收單元包括接收單元信號(hào)轉(zhuǎn)換模塊、接收單元信號(hào)調(diào)理模塊、接收主控單元以及存儲(chǔ)輸出模塊;本發(fā)明裝置可對(duì)多通道模擬量采樣及開關(guān)量采樣進(jìn)行數(shù)字編碼,并通過隔離傳輸媒質(zhì)傳輸。每個(gè)接收單元可連接多個(gè)發(fā)送單元同時(shí)解碼。本發(fā)明裝置具有突出的高可靠電氣隔離性、實(shí)時(shí)性和智能化特點(diǎn)。

該專利技術(shù)在多直流饋入電網(wǎng)動(dòng)態(tài)無功補(bǔ)償裝置和控制方法方面都做了技術(shù)創(chuàng)新，研制的動(dòng)態(tài)無功補(bǔ)償裝置響應(yīng)速度快、控制精準(zhǔn)和可靠性高，解決了現(xiàn)有技術(shù)中多直流饋入系統(tǒng)中動(dòng)態(tài)無功補(bǔ)償裝置經(jīng)濟(jì)性和可靠性不能兼顧的問題，提出的高壓直流動(dòng)態(tài)無功精準(zhǔn)控制方法突破了現(xiàn)有技術(shù)中高壓直流不能參加電網(wǎng)動(dòng)態(tài)無功補(bǔ)償?shù)募夹g(shù)瓶頸，滿足了多直流饋入受端電網(wǎng)電壓穩(wěn)定對(duì)動(dòng)態(tài)無功支撐能力的要求。專利技術(shù)在南方電網(wǎng)進(jìn)行實(shí)施，實(shí)際應(yīng)用效果表明該技術(shù)能高效利用系統(tǒng)中的動(dòng)態(tài)無功資源，顯著提高了南方電網(wǎng)動(dòng)態(tài)無功支持能力和電壓穩(wěn)定性，為多直流饋入電網(wǎng)的安全穩(wěn)定運(yùn)行提供了保障，確保了國家“西電東送”戰(zhàn)略的順利實(shí)施，促進(jìn)了東西部的合作共贏，推動(dòng)了國民經(jīng)濟(jì)和社會(huì)的發(fā)展?；趯?duì)該專利技術(shù)貢獻(xiàn)率的測(cè)算，截至2017年12月底，累計(jì)新增銷售額超過5億元，累計(jì)新增利潤超過4000萬元。在第二十屆中國專利獎(jiǎng)評(píng)審中獲得銀獎(jiǎng)。

本發(fā)明包括一種多枝樹形等離激元波導(dǎo)復(fù)合納米結(jié)構(gòu)的合成及其光學(xué)操控方法，該合成方法包括多個(gè)步驟，每個(gè)步驟均可精確控制。樹形納米結(jié)構(gòu)的主干和在其上生長的枝狀納米結(jié)構(gòu)的粗細(xì)均可精確控制，在樹形納米結(jié)構(gòu)表面疊加有殼或無殼的量子點(diǎn)形成量子點(diǎn)復(fù)合樹形納米結(jié)構(gòu)，無殼量子點(diǎn)可用于化學(xué)催化、環(huán)境監(jiān)測(cè)、生物傳感等應(yīng)用。光從納米線一端入射，經(jīng)納米線及枝狀結(jié)構(gòu)，激勵(lì)有殼量子點(diǎn)發(fā)光，可用于遙感拉曼、新型激光器等應(yīng)用。通過光學(xué)操控可改變?nèi)肷涔獾膹?qiáng)度和偏振態(tài)，控制特定區(qū)域的量子點(diǎn)發(fā)光，可消除散射中心之間干涉衍射效應(yīng)產(chǎn)生的串?dāng)_效應(yīng)，從而可用于亞波長的高分辨率探測(cè)。

本發(fā)明公開了俯仰多視角的懸浮式360度視場(chǎng)空間三維顯示裝置，包括復(fù)合式偏折型散射屏、高速投影機(jī)、圖像發(fā)生器、探測(cè)模塊和旋轉(zhuǎn)傳動(dòng)機(jī)構(gòu)。高速投影機(jī)將三維物體不同俯仰角度水平360度全景視場(chǎng)的組合圖像投影到高速旋轉(zhuǎn)的復(fù)合式偏折型散射屏上。復(fù)合式偏折型散射屏可對(duì)不同角度入射光的垂直偏折及發(fā)散角度和水平發(fā)散角度進(jìn)行控制，使環(huán)繞觀看的不同高度的觀察者的雙眼觀察到對(duì)應(yīng)于其視點(diǎn)位置的圖像，實(shí)現(xiàn)顯示的三維物體懸浮于復(fù)合式偏折型散射屏的上面，且其位置不隨視點(diǎn)的高低變化而改變。俯仰多視角的懸浮式360度視場(chǎng)空間三維顯示可供多人俯仰多角度、水平360度全視場(chǎng)裸眼同時(shí)觀看，實(shí)現(xiàn)空間遮擋消隱并可探入觸摸交互。

1. 高壓IGBT器件封裝絕緣測(cè)試系統(tǒng) 針對(duì)高壓IGBT器件內(nèi)部承受的正極性重復(fù)方波電壓以及高溫工況，研制了針對(duì)高壓IGBT器件、芯片及封裝絕緣材料絕緣特性的測(cè)試系統(tǒng)（如圖1所示），可實(shí)現(xiàn)電壓波形參數(shù)、溫度和氣壓的靈活調(diào)控，用于研究電壓類型（交、直流、重復(fù)方波電壓）、波形參數(shù)、氣體種類、氣體壓力等因素對(duì)絕緣特性，具備放電脈沖電流測(cè)量、局部放電測(cè)量、放電光信號(hào)測(cè)量、漏電流測(cè)量及紫外光子測(cè)量等功能（如圖2所示），平臺(tái)相關(guān)參數(shù)：頻率：DC~20kHz，電壓：0~20kV，上升沿/下降沿：150ns可調(diào)，占空比：1%~99%，溫度：25℃~150℃，氣壓：真空~3個(gè)大氣壓。  2.壓接型IGBT器件并聯(lián)均流實(shí)驗(yàn)系統(tǒng) 針對(duì)高壓大功率壓接型IGBT器件內(nèi)部的芯片間電流均衡問題，研制了針對(duì)壓接型IGBT器件的多芯片并聯(lián)均流實(shí)驗(yàn)系統(tǒng)（如圖3所示），平臺(tái)具有靈活調(diào)節(jié)IGBT芯片布局，柵極布線，溫度和壓力分布的能力，可開展芯片參數(shù)、寄生參數(shù)以及壓力和溫度等多物理量對(duì)壓接型IGBT器件在開通/關(guān)斷過程芯片-封裝支路瞬態(tài)電流分布影響規(guī)律的研究，以及瞬態(tài)電流不均衡調(diào)控方法的研究；平臺(tái)相關(guān)參數(shù)：電壓：0~6.5kV，電流：0~3kA，溫度：25℃~150℃，壓力：0~50kN。   圖3 壓接型IGBT多芯片并聯(lián)均流實(shí)驗(yàn) 3.高壓大功率IGBT器件可靠性實(shí)驗(yàn)系統(tǒng) 隨著高壓大功率 IGBT 器件容量的進(jìn)一步提升，對(duì)其可靠性考核裝備在測(cè)量精度、測(cè)試效率等方面提出了挑戰(zhàn)。針對(duì)柔性直流輸電用高壓大功率 IGBT 器件的測(cè)試需求，自主研制了 90 kW /3 000 A 功率循環(huán)測(cè)試裝備和100V/200°C高溫柵偏測(cè)試裝備（如圖4所示）。功率循環(huán)測(cè)試裝備可針對(duì)柔性直流輸電中壓接型和焊接式兩種不同封裝形式的IGBT開展功率循環(huán)測(cè)試，最多可實(shí)現(xiàn)12個(gè)IGBT器件的同時(shí)測(cè)試。電流等級(jí)、波形參數(shù)、壓力均獨(dú)立可調(diào)，功率循環(huán)周期為秒級(jí)，極限測(cè)試能力可達(dá) 300 ms，最高壓力達(dá)220 kN，虛擬結(jié)溫測(cè)量精度達(dá)±1°C，導(dǎo)通壓降測(cè)量精度達(dá)±2mV。高溫柵偏測(cè)試裝備可實(shí)現(xiàn)漏電流和閾值電壓的實(shí)時(shí)在線監(jiān)測(cè)，最多可實(shí)現(xiàn)32個(gè)IGBT器件的同時(shí)測(cè)試。 4. 壓接器件內(nèi)部并聯(lián)多芯片電流及結(jié)溫測(cè)量方法及實(shí)現(xiàn) 高壓大功率壓接型IGBT器件內(nèi)部芯片瞬態(tài)電流及結(jié)溫測(cè)量是器件多物理量均衡調(diào)控及狀態(tài)監(jiān)測(cè)的基本手段，針對(duì)器件內(nèi)部密閉封裝以及密集分布鄰近支路引起的干擾問題，提出了PCB羅氏線圈互電感的等效計(jì)算方法，實(shí)現(xiàn)了任意形狀PCB羅氏線圈繞線結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，設(shè)計(jì)了針對(duì)器件電流測(cè)量的方形PCB羅氏線圈（如圖5所示），實(shí)現(xiàn)臨近芯片電流造成的測(cè)量誤差小于1%；針對(duì)器件內(nèi)部多芯片并聯(lián)芯片結(jié)溫測(cè)量，提出了壓接型IGBT器件結(jié)溫分布測(cè)量的時(shí)序溫敏電參數(shù)法，通過各芯片柵極的時(shí)序單獨(dú)控制（如圖6所示），在各周期分別進(jìn)行單顆IGBT芯片結(jié)溫的測(cè)量，進(jìn)而等效獲得一個(gè)周期內(nèi)各IGBT芯片的結(jié)溫分布。在此基礎(chǔ)上，完成了集成于高壓大功率器件內(nèi)部的多芯片并聯(lián)電流測(cè)試PCB羅氏線圈以及時(shí)序溫敏電參數(shù)測(cè)量驅(qū)動(dòng)板的設(shè)計(jì)（如圖7所示）。 5. 自主研制高壓大功率電力電子器件 面向電力系統(tǒng)用高壓大功率電力電子器件自主研制的需求，開展了芯片建模與篩選、芯片并聯(lián)電流均衡調(diào)控、封裝絕緣特性及電場(chǎng)建模以及器件多物理場(chǎng)調(diào)控等方面工作，相關(guān)成果支撐了國家電網(wǎng)公司全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院有限公司3.3kV/1500A、3.3kV/3000A以及4.5kV/3000A硅基IGBT器件的自主研制，并通過柔直換流閥用器件的應(yīng)用驗(yàn)證實(shí)驗(yàn)，同時(shí)也支撐了世界首個(gè)18kV 壓接型SiC IGBT器件的自主研制。