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1. 高壓IGBT器件封裝絕緣測(cè)試系統(tǒng) 針對(duì)高壓IGBT器件內(nèi)部承受的正極性重復(fù)方波電壓以及高溫工況，研制了針對(duì)高壓IGBT器件、芯片及封裝絕緣材料絕緣特性的測(cè)試系統(tǒng)（如圖1所示），可實(shí)現(xiàn)電壓波形參數(shù)、溫度和氣壓的靈活調(diào)控，用于研究電壓類型（交、直流、重復(fù)方波電壓）、波形參數(shù)、氣體種類、氣體壓力等因素對(duì)絕緣特性，具備放電脈沖電流測(cè)量、局部放電測(cè)量、放電光信號(hào)測(cè)量、漏電流測(cè)量及紫外光子測(cè)量等功能（如圖2所示），平臺(tái)相關(guān)參數(shù)：頻率：DC~20kHz，電壓：0~20kV，上升沿/下降沿：150ns可調(diào)，占空比：1%~99%，溫度：25℃~150℃，氣壓：真空~3個(gè)大氣壓。  2.壓接型IGBT器件并聯(lián)均流實(shí)驗(yàn)系統(tǒng) 針對(duì)高壓大功率壓接型IGBT器件內(nèi)部的芯片間電流均衡問(wèn)題，研制了針對(duì)壓接型IGBT器件的多芯片并聯(lián)均流實(shí)驗(yàn)系統(tǒng)（如圖3所示），平臺(tái)具有靈活調(diào)節(jié)IGBT芯片布局，柵極布線，溫度和壓力分布的能力，可開(kāi)展芯片參數(shù)、寄生參數(shù)以及壓力和溫度等多物理量對(duì)壓接型IGBT器件在開(kāi)通/關(guān)斷過(guò)程芯片-封裝支路瞬態(tài)電流分布影響規(guī)律的研究，以及瞬態(tài)電流不均衡調(diào)控方法的研究；平臺(tái)相關(guān)參數(shù)：電壓：0~6.5kV，電流：0~3kA，溫度：25℃~150℃，壓力：0~50kN。   圖3 壓接型IGBT多芯片并聯(lián)均流實(shí)驗(yàn) 3.高壓大功率IGBT器件可靠性實(shí)驗(yàn)系統(tǒng) 隨著高壓大功率 IGBT 器件容量的進(jìn)一步提升，對(duì)其可靠性考核裝備在測(cè)量精度、測(cè)試效率等方面提出了挑戰(zhàn)。針對(duì)柔性直流輸電用高壓大功率 IGBT 器件的測(cè)試需求，自主研制了 90 kW /3 000 A 功率循環(huán)測(cè)試裝備和100V/200°C高溫柵偏測(cè)試裝備（如圖4所示）。功率循環(huán)測(cè)試裝備可針對(duì)柔性直流輸電中壓接型和焊接式兩種不同封裝形式的IGBT開(kāi)展功率循環(huán)測(cè)試，最多可實(shí)現(xiàn)12個(gè)IGBT器件的同時(shí)測(cè)試。電流等級(jí)、波形參數(shù)、壓力均獨(dú)立可調(diào)，功率循環(huán)周期為秒級(jí)，極限測(cè)試能力可達(dá) 300 ms，最高壓力達(dá)220 kN，虛擬結(jié)溫測(cè)量精度達(dá)±1°C，導(dǎo)通壓降測(cè)量精度達(dá)±2mV。高溫柵偏測(cè)試裝備可實(shí)現(xiàn)漏電流和閾值電壓的實(shí)時(shí)在線監(jiān)測(cè)，最多可實(shí)現(xiàn)32個(gè)IGBT器件的同時(shí)測(cè)試。 4. 壓接器件內(nèi)部并聯(lián)多芯片電流及結(jié)溫測(cè)量方法及實(shí)現(xiàn) 高壓大功率壓接型IGBT器件內(nèi)部芯片瞬態(tài)電流及結(jié)溫測(cè)量是器件多物理量均衡調(diào)控及狀態(tài)監(jiān)測(cè)的基本手段，針對(duì)器件內(nèi)部密閉封裝以及密集分布鄰近支路引起的干擾問(wèn)題，提出了PCB羅氏線圈互電感的等效計(jì)算方法，實(shí)現(xiàn)了任意形狀PCB羅氏線圈繞線結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，設(shè)計(jì)了針對(duì)器件電流測(cè)量的方形PCB羅氏線圈（如圖5所示），實(shí)現(xiàn)臨近芯片電流造成的測(cè)量誤差小于1%；針對(duì)器件內(nèi)部多芯片并聯(lián)芯片結(jié)溫測(cè)量，提出了壓接型IGBT器件結(jié)溫分布測(cè)量的時(shí)序溫敏電參數(shù)法，通過(guò)各芯片柵極的時(shí)序單獨(dú)控制（如圖6所示），在各周期分別進(jìn)行單顆IGBT芯片結(jié)溫的測(cè)量，進(jìn)而等效獲得一個(gè)周期內(nèi)各IGBT芯片的結(jié)溫分布。在此基礎(chǔ)上，完成了集成于高壓大功率器件內(nèi)部的多芯片并聯(lián)電流測(cè)試PCB羅氏線圈以及時(shí)序溫敏電參數(shù)測(cè)量驅(qū)動(dòng)板的設(shè)計(jì)（如圖7所示）。 5. 自主研制高壓大功率電力電子器件 面向電力系統(tǒng)用高壓大功率電力電子器件自主研制的需求，開(kāi)展了芯片建模與篩選、芯片并聯(lián)電流均衡調(diào)控、封裝絕緣特性及電場(chǎng)建模以及器件多物理場(chǎng)調(diào)控等方面工作，相關(guān)成果支撐了國(guó)家電網(wǎng)公司全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院有限公司3.3kV/1500A、3.3kV/3000A以及4.5kV/3000A硅基IGBT器件的自主研制，并通過(guò)柔直換流閥用器件的應(yīng)用驗(yàn)證實(shí)驗(yàn)，同時(shí)也支撐了世界首個(gè)18kV 壓接型SiC IGBT器件的自主研制。

200610112778本發(fā)明涉及一種固體氧化物燃料電池用封接材料及其制備方法，屬于燃料電池技術(shù)領(lǐng)域。其特征在于所述材料主要組成為ＢａＯ１５～８０ｗｔ％、ＭｇＯ０～３０ｗｔ％、Ａｌ↓［２］Ｏ↓［３］０～１５ｗｔ％、ＳｉＯ↓［２］３～４５ｗｔ％、Ｂ↓［２］Ｏ↓［３］０～２５ｗｔ％、ＭｇＦ↓［２］０～１５ｗｔ％、Ｋ↓［２］Ｏ０～１０ｗｔ％、Ｆｅ↓［２］Ｏ↓［３］０～１０ｗｔ％、Ｙ↓［２］Ｏ↓［３］０～１ｗｔ％，優(yōu)選該組成為：ＢａＯ１７～６０ｗｔ％、ＭｇＯ２～１８ｗｔ％、Ａｌ↓［２］Ｏ↓［３］７～１２ｗｔ％、ＳｉＯ↓［２］１０～４０ｗｔ％、Ｂ↓［２］Ｏ↓［３］０～１７ｗｔ％、ＭｇＦ↓［２］２～１４ｗｔ％、Ｋ↓［２］Ｏ０～５ｗｔ％、Ｆｅ↓［２］Ｏ↓［３］０～７ｗｔ％、Ｙ↓［２］Ｏ↓［３］０～０．５ｗｔ％；其制備方法包括壓制素坯，在空氣氣氛下加熱熔融，驟冷獲得玻璃熔塊，破碎、分級(jí)等，或采用其它方法得到玻璃粉。該材料與氧化鈰基電解質(zhì)材料、鎵酸鑭基電解質(zhì)材料在浸潤(rùn)性能、熱膨脹系數(shù)和化學(xué)穩(wěn)定性方面匹配良好，適用于封接金屬、陶瓷部件，特別適用于封接固體氧化物燃料電池的玻璃基封接材料。

產(chǎn)品詳細(xì)介紹IGBT模塊 型號(hào)：F4-75R12KS4　　特點(diǎn)：.最高耐壓 1200V.額定電流 100A @25度.4單元H橋.開(kāi)關(guān)時(shí)間<0.2微秒典型應(yīng)用：.逆變電源.UPS.直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)器

VKV 型真空有載分接開(kāi)關(guān)(以下簡(jiǎn)稱分接開(kāi)關(guān)）是一種典型的復(fù)合式分接開(kāi)關(guān)，它把切換開(kāi)關(guān)和分接選擇器的功能合二為一，分接開(kāi)關(guān)借助于開(kāi)關(guān)頭部法蘭安裝于變壓器箱蓋上。分接開(kāi)關(guān)上還可加裝轉(zhuǎn)換選擇器，有載分接開(kāi)關(guān)不帶轉(zhuǎn)換選擇器時(shí)，分接工作位置最多為12 個(gè)，帶轉(zhuǎn)換選擇器時(shí)，分接工作位置最多為23 個(gè)。 VKV 型真空有載分接開(kāi)關(guān)適用于設(shè)備最高電壓40.5～126kV，最大額定通過(guò)電流600A，頻率為50Hz～60Hz，三相接法為D接或Y接中性點(diǎn)調(diào)壓的電力或工業(yè)變壓器，在帶負(fù)載的情況下變換變壓器接頭，來(lái)改變變壓器的輸出電壓，以達(dá)到輸出端電壓穩(wěn)定在規(guī)定范圍之內(nèi);或根據(jù)載荷要求來(lái)達(dá)到增加或減少輸出電壓，以實(shí)現(xiàn)調(diào)整線路上的電壓的目的。

產(chǎn)品詳細(xì)介紹IGBT驅(qū)動(dòng)模塊   型號(hào)：SKHI22AH4 　　 特點(diǎn)： .半橋雙IGBT驅(qū)動(dòng) .與SKHI 21兼容 .輸入兼容COMS電平 .短路電流保護(hù) .驅(qū)動(dòng)高低邊互鎖 .使用變壓器隔離 .低電壓保護(hù)（13V） .故障輸出 .開(kāi)關(guān)時(shí)間1微秒 .可驅(qū)動(dòng)MOSFET Vds(on) <10V 典型應(yīng)用： .驅(qū)動(dòng)MOSFET模塊用于橋式電路，逆變器，UPS .直流總線電壓最高1200V

本發(fā)明成果包括一種快速響應(yīng)的光開(kāi)關(guān)，采用兩基板同為周期交替且相鄰區(qū)域取向方向相互垂直的水平取向液晶盒:液晶盒盒厚為5±2μm，兩個(gè)相鄰取向的寬度之比為1:1；包括上下二片ITO 玻璃基片及涂覆的光敏取向劑，并經(jīng)過(guò)線偏振紫外或藍(lán)光片對(duì)ITO 玻璃基片上光敏取向劑進(jìn)行曝光，賦予兩基片預(yù)設(shè)的取向方向；灌入雙頻液晶，制成一個(gè)可調(diào)節(jié)的液晶光柵，實(shí)現(xiàn)光開(kāi)關(guān)功能，具有

木質(zhì)，共13件，與教材一致。

1：電子式壓力控制器 內(nèi)容：專用于按壓力信號(hào)對(duì)制冷系統(tǒng)實(shí)施的各種控制。（1）電子式數(shù)字顯示，數(shù)字設(shè)定（2）微電腦控制器（3）可以對(duì)壓縮機(jī)進(jìn)行運(yùn)行，保護(hù)及調(diào)節(jié)方面的控制，如：壓縮機(jī)正常啟、停控制，高低壓力保護(hù)，油路控制，壓縮機(jī)制冷能力的程度控制（4）適用于各種制冷劑，如R22，R134A，R404A，R407C，R507，R717，…，等（5）針對(duì)

自動(dòng)封盒包裝系統(tǒng)，包括推盒機(jī)構(gòu)和折角機(jī)構(gòu)；所述推盒機(jī)構(gòu)包括一推動(dòng)待包裝工件的推手、一做為待包裝工件提供移動(dòng)平臺(tái)的承載平臺(tái)，推手底部可移動(dòng)安裝在滑動(dòng)軌道上，沿承載平臺(tái)長(zhǎng)度方向，承載平臺(tái)包括一平直推手行走縫，所述推手頂部從推手行走縫伸出；承載平臺(tái)的上方，平行于承載平臺(tái)的延伸方向，與承載平臺(tái)間隔設(shè)置有限位板；所述折角機(jī)構(gòu)排布在承載平臺(tái)延伸方向，順次包括背端面兩側(cè)折角器、側(cè)端面上折角器、側(cè)端面下折角器、前端面兩側(cè)折角器、前端面上折角器和前端面下折角器。本發(fā)明提供的自動(dòng)包裝系統(tǒng)用于為待包裝物外側(cè)加裝包裝紙，具體可用于為包裝盒加裝包裝紙，或?yàn)轭愃瓢b盒類的長(zhǎng)方體或正方體物體外加包裝紙，應(yīng)用范圍廣，自動(dòng)化程度高。

本發(fā)明公開(kāi)了一種用于串聯(lián)安裝 IGBT 的安裝架及 IGBT 串聯(lián)安 裝方法，其中，用于串聯(lián)安裝 IGBT 的安裝架為中空的正多邊體，每 個(gè)側(cè)面均沿豎直方向開(kāi)有兩道長(zhǎng)圓孔作為 IGBT 安裝槽； IGBT 固定于 散熱片上，散熱片穿過(guò)長(zhǎng)圓孔與固定夾板連接，由此安裝在安裝架上； IGBT 之間通過(guò)連接導(dǎo)線串聯(lián)連接；IGBT 在各側(cè)面的安裝高度延順時(shí) 針或逆時(shí)針?lè)较蛑饾u下降，呈螺旋形分布。采用本發(fā)明提供的安裝架 可靈活調(diào)整 IGBT 的對(duì)地安裝高度，通過(guò)對(duì) IGBT 對(duì)地安裝高度的靈活配置，實(shí)現(xiàn)了串聯(lián)