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工信部：預計今年汽車芯片供應形勢持續向好
考慮到全球主要芯片企業加大車規級芯片的生產供應，新建產能將于今年陸續釋放，國內部分芯片產品供給能力逐步提升，預計今年汽車芯片供應形勢還會持續向好。
人民網
2022-03-09
基于微流控芯片的血液多指標分析儀
已有樣品/n養老產業是未來的黃金產業，養老院的常規體檢和快速診斷是一個痛點。基于微流控芯片的體液多參數分析儀滿足了這個需求，市場需求在50 億人民幣以上，目前還沒有同類產品。該成果針對社區醫院和養老院的常規體檢和疾病診斷，開發了于微流控芯片的體液多參數分析儀，更換芯片可以檢測血常規、血生化、尿液、免疫等多個項目。實現一臺儀器檢測多種常見疾病。目前階段性成果或結題成果獲得：專利1 項、SCI 論文11 篇、湖北省自然科
武漢大學
2021-01-12
一種安全存儲器芯片、系統及其認證方法
本發明公開了一種安全存儲器芯片、系統及其認證方法；該安 全存儲器芯片包括總線接口模塊、存儲器模塊、控制模塊、加密模塊 和私鑰；控制模塊和存儲器模塊共用一個總線接口模塊，加密模塊和 存儲器模塊均與控制模塊相連，私鑰與加密模塊相連；存儲器模塊的 存儲區域包括通用區域和受保護區域，通用區域用于存儲軟件程序， 受保護區域用于存儲敏感數據；公鑰存儲于通用區域內。本發明提供 的安全存儲器芯片具備更高的安全性；安全存儲器芯片中的存
華中科技大學
2021-01-12
微流控芯片通道成形與自動對準裝配系統
在國際上率先開展了塑料微流控芯片通道成形與自動對準裝配系統的研究，研制成功國內外首臺塑料微流控芯片自動化制造裝備，采用并發展了新技術，研制了包括塑料微流控芯片微通道熱壓成形機、熱鍵合機、光電對準系統、操作機器人、上下料裝置等設備所構成的芯片制作裝備，取得了熱壓鍵合溫度循環控制方法與裝置、芯片預聯接方法與裝置、芯片對準鍵合全自動卡盤裝置以及芯片檢測器等一批具有自主知識產權的關鍵技術。
大連理工大學
2021-04-13
超高分辨率圖像增強與顯示芯片（產品）
成果簡介：超分辨率圖像重建技術是近年來發展迅速的圖像處理新技術，其 目的是超越成像傳感器、成像和信道的分辨極限，利用所獲低分辨率圖像， 實現高分辨率圖像的重建。超高分辨率圖像增強與顯示芯片項目利用超分辨 率圖像實時處理技術，實現從一幅或多幅低分辨率視頻圖像處理獲得高分辨率圖像，在圖像被放大的同時增強圖像更多的細節，提高圖像的清晰度和分 辨率，實現攝像傳感器的低分辨率與顯示器高分辨率之間的匹配，解決目前 圖像獲取與顯示分辨率不匹配的瓶頸問題，在現有圖
北京理工大學
2021-04-14
國產首款腦機編解碼集成芯片——“腦語者”
由中電云腦（天津）科技有限公司（簡稱“中電云腦”）聯合天津大學共同研發的國產首款腦機編解碼集成芯片——“腦語者”是一款擁有完全自主知識產權的國產高集成腦-機交互芯片，可適用于特種醫學、康復醫學、腦認知、神經反饋、信號處理等腦-機混合智能的重點應用領域。“腦語者”芯片是中國電子信息產業集團（簡稱“中國電子”）和天津大學
天津大學
2021-04-14
一種基于波矢測量的紅外成像探測芯片
本發明公開了一種基于波矢測量的紅外成像探測芯片，包括面陣紅外折射微透鏡、面陣非制冷紅外探測器和驅控預處理模塊；其中，面陣非制冷紅外探測器位于所述面陣紅外折射微透鏡的焦面處，被劃分成多個陣列分布的子面陣非制冷紅外探測器，每個子面陣非制冷紅外探測器包括數量和排布方式相同的多個陣列分布的光敏元；面陣紅外折射微透鏡包括多個陣列分布的單元紅外折射微透鏡，每單元紅外折射微透鏡與一個子面陣非制冷紅外探測器對應。本發明的紅外成像
華中科技大學
2021-04-14
多模式可重構超寬帶通信及雷達集成收發芯片
面向日益復雜多樣的電子產品應用場景，電子設備的小型化進程不斷加快，對于高集成、多模式、多功能的芯片需求飛速高漲。本項研究成果針對生物醫療電子、個人無線體域網、近距離無感支付、車載定位、戰場實時感知、無人機導航等應用需求，提出一種超寬帶無線通信兼具FMCW雷達測距的復合型收發機創新性結構。收發機采用超寬帶射頻調頻+可再生型鑒頻技術，實現通信及雷達的共架構方案；提出多相中頻時差測距機理，將分辨率提高2個數量級，達到mm級精確測距，動態范圍擴大4倍；射頻前端基于電流共享技術，實現射頻振蕩器+功放、低噪放+鑒頻+混頻的一體化實現，系統功耗優化40%；提出子載波發生器+頻率校正環路的數字化復用結構，發射機可半數字化實現，從而得到一款支持無線數據傳輸、時差/頻差/相差雷達測距的極低功耗復用型收發芯片。
圖1.研制的通信+雷達集成收發機芯片顯微照片
北京理工大學
2023-03-13
一種三維量子阱結構光電裸芯片
一種三維量子阱結構光電裸芯片，屬于一種量子阱結構光電裸芯片，解決現有三維量子阱結構光電裸芯片工作面積有限、工藝復雜、成本高的問題。本實用新型自下而上包括：襯底層、緩沖層、n 型層、量子阱層、p 型層，所述襯底層、緩沖層、n 型層、量子阱層和 p 型層表面形狀走向一致，均為均勻分布的凸臺陣列或者均勻分布的凹槽陣列，或者均勻分布的相間的凸臺和凹槽所構成的陣列。本實用新型增大了襯底層工作面積，在其上直接生長一層緩沖層來進行應力與晶格匹配，克服了工作面積與襯底面積之比較低所帶來的量子轉換效率低的問題；本實用
華中科技大學
2021-04-14
一種 LED 倒裝芯片的圓片級封裝結構
本實用新型公開了一種 LED 倒裝芯片的圓片級封裝結構，包括LED 倒裝芯片、硅基板、透鏡、印刷電路板和熱沉；硅基板正面加工有放置芯片的凹腔，凹腔底部的長度與芯片的長度相同；硅基板的反面加工有兩組通孔，兩通孔與凹腔相連通；在凹腔和兩通孔的表面沉積有絕緣層；凹腔表面的絕緣層上沉積有散熱金屬層和反光金屬層；兩通孔內填充有金屬體，通孔內的金屬體與凹腔表面的散熱金屬層相接；凹腔內底部的兩金屬層存在一開口，用于將該金屬層隔離為兩部分；硅基板的反面沉積有絕緣層，該絕緣層表面布線用于電極連接的金屬層；凹腔內涂覆有
華中科技大學
2021-04-14