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課題組與加州大學(xué)洛杉磯分校的倪霓課題組聯(lián)合研究了Mn-Bi-Te家族的另一成員，MnBi 4

一種納米Ti4O7粉末的制備方法，各原料的重量百分?jǐn)?shù)如下：納米二氧化鈦粉末96％～97％，納米炭黑粉末2.9％～3.9％，芳香醛0.1～1％；工藝步驟如下：(1)將按上述重量百分?jǐn)?shù)計(jì)量的納米二氧化鈦粉末、納米炭黑粉末和芳香醛放入球磨機(jī)中，加入研磨球體和研磨介質(zhì)在常壓、室溫下進(jìn)行濕磨分散，當(dāng)納米二氧化鈦粉末、納米炭黑粉末和芳香醛混合均勻后，分離出研磨球體，得混合漿料，繼后將混合漿料在60～80℃進(jìn)行干燥，干燥時(shí)間1～3h；(2)將步驟(1)制備的混合料裝入加熱爐中，在真空條件或通流動(dòng)惰性氣體的條件下加熱到800℃～1150℃并在該溫度進(jìn)行還原反應(yīng)，還原反應(yīng)的時(shí)間為1～4小時(shí)，反應(yīng)時(shí)間屆滿后隨爐冷卻至室溫。

“一種化學(xué)浴沉積擇優(yōu)取向生長(zhǎng)的納米晶Cu2O薄膜的制備方法”屬于半導(dǎo)體領(lǐng)域。現(xiàn)有方法一般對(duì)設(shè)備要求較高，需要比較復(fù)雜的程序，而最終難以控制成本，這會(huì)嚴(yán)重影響Cu2O薄膜的應(yīng)用范圍。本發(fā)明提供的納米晶Cu2O薄膜的制備方法，其特征在于包括以下步驟：分別按照硫酸銅與檸檬酸三鈉的摩爾濃度比范圍為12∶8～12∶36，硫酸銅與抗壞血酸鈉的摩爾范圍為1∶3～5∶6，將抗壞血酸鈉、檸檬酸三鈉溶液依次加入硫酸銅溶液中，使充分絡(luò)合；調(diào)節(jié)溶液pH值至7.0～10.0；置于50°C～95°C水浴溫度中反應(yīng)1.0h～3.

該技術(shù)是用鐵泥制備納米尺度 α-Fe 2 O 3 ， 首先，對(duì)鐵泥進(jìn)行改性，使之全部轉(zhuǎn)化為Fe 2 O 3 ，經(jīng)酸浸后制得到FeCl 3 ·6H 2 O，然后再進(jìn)入合成與晶化過(guò)程，控制參數(shù)得到納米 α-Fe 2 O 3 產(chǎn)品。工藝路線如下：該技術(shù)采用水熱法制備 α-Fe 2 O 3 ，可有效控制反應(yīng)過(guò)程，保證成核的均勻性，產(chǎn)品均為納米粒子，輔加表面活性劑會(huì)合成不同形貌的納米 α-Fe 2 O 3 。用于多種高端材料的制作原料。

LT 灰中主要含有鐵氧化物（磁鐵礦與赤鐵礦）和硅酸鹽（鐵橄欖石和鈣鐵輝石、透輝石），它們物性差異較大，比磁化率在不同量級(jí)，利用其物性差異通過(guò)強(qiáng)磁場(chǎng)將鐵氧化物和硅酸鹽等雜質(zhì)分離，實(shí)現(xiàn)氧化鐵的富集與提取。提取后的氧化物再經(jīng)過(guò)低溫改性，即可制備α-Fe 2 O 3 產(chǎn)品。

首次 實(shí)現(xiàn) 將水汽遷移反應(yīng)與費(fèi)托合成反應(yīng)成功 耦合 ， 構(gòu)建了水汽遷移反應(yīng)活性中心 Pt-Mo 2 C/C 和費(fèi)托合成反應(yīng)活性中心 Ru/C 。將兩種催化劑 進(jìn)行簡(jiǎn)單的物理混合，通過(guò)調(diào)節(jié)兩種活性中心的 結(jié)構(gòu)和 比例調(diào)控各自的反應(yīng)速率。 實(shí)現(xiàn)了在低溫 200 o C 的條件下，將 CO 和水 一步 直接轉(zhuǎn)化制備油品的過(guò)程 。 該過(guò)程中費(fèi)托反應(yīng)的活性高達(dá) 8.7 mol -CH2-  mol Ru -1  h -1 ，與在合成氣（ H 2 /CO=2 ） 條件下 Ru/C 催化劑 的費(fèi)托活性相當(dāng)，且費(fèi)托產(chǎn)物中 C5+ 油相產(chǎn)物的選擇性接近 70% 。 對(duì)比雙金屬催化劑 RuPt-Mo 2 C/C 和物理混合催化劑的結(jié)果，發(fā)現(xiàn)兩種活性金屬 Pt 和 Ru 的結(jié)合形式在催化反應(yīng)中起了十分重要的影響。當(dāng) Pt 和 Ru 形成 PtRu 合金后會(huì)同時(shí)削弱 WGS 和 FTS 兩個(gè)反應(yīng)的的活性，進(jìn)而打破兩個(gè)反應(yīng)之間的動(dòng)力學(xué)平衡。而當(dāng)兩種活性中心分別作用的時(shí)候則剛好使兩個(gè)反應(yīng)的動(dòng)力學(xué)速率達(dá)到平衡，實(shí)現(xiàn)最優(yōu)的 CO 和水轉(zhuǎn)化制備油品的活性和選擇性。

小試階段/n針對(duì)多孔介質(zhì)燃燒器用泡沫陶瓷目前存在的常溫強(qiáng)度以及熱震穩(wěn)定性能差等問(wèn)題，本發(fā)明制備了一種Al2O3-SiC復(fù)合泡沫陶瓷。該陶瓷克服現(xiàn)有技術(shù)缺陷，具有強(qiáng)度高、抗氧化性能好和抗熱震性能優(yōu)良等優(yōu)點(diǎn)。

產(chǎn)品詳細(xì)介紹迷你型氧氣傳感器O2S-XX-T3   一、產(chǎn)品簡(jiǎn)介： 氧氣傳感器采用兩個(gè)氧化鋯盤(pán)，在其中間是一個(gè)密封空間。其中一個(gè)盤(pán)起的功能是可逆氧氣泵，依次充滿樣品氣和抽空此小空間。另一個(gè)盤(pán)用于測(cè)量氧分壓差比率，得到相對(duì)應(yīng)的傳感電壓。氧化鋯盤(pán)作為氧氣泵運(yùn)行時(shí)，需要的700 °C 的溫度由加熱元件產(chǎn)生。氧氣泵使小空間范圍內(nèi)達(dá)到額定的最小和最大壓力所花的時(shí)間和環(huán)境中氧分壓值具有對(duì)應(yīng)關(guān)系。   二、產(chǎn)品特性： 1)       非消耗性的氧化鋯傳感元件 2)       氧壓范圍 2 mbar...3 bar 3)       高穩(wěn)定性和精度，可測(cè)量0…100% 氧 4)       對(duì)于其他氣體無(wú)交叉干擾 5)       無(wú)需溫度穩(wěn)定 6)       內(nèi)置加熱元件 7)       加熱器電壓： 4.35 ±0.1 VDC (1.85 A) 8)       允許氣體溫度： -100...250 °C ；   三、產(chǎn)品參數(shù) 特性 最小 典型 最大 單位 氧壓范圍 2   3000 mbar 精度      5 操作溫度（O2S-T3）   700（4.00V）   °C 操作溫度（O2S-FR-T3）   700（4.35V）     響應(yīng)時(shí)間(10-90%，O2S-T3)      15 S 響應(yīng)時(shí)間(10-90%，O2S-FR-T3)     4 預(yù)熱時(shí)間(s)      100 預(yù)熱時(shí)間（從準(zhǔn)備開(kāi)始s）      20   四、典型應(yīng)用： 排放控制 - 柴油機(jī)/鍋爐/加熱系統(tǒng)；生物能源/生物氣；醫(yī)療；空氣質(zhì)量監(jiān)控MOT 車檢排放測(cè)試設(shè)備；堆制肥料；農(nóng)業(yè)；水果或氧氣敏感型食物運(yùn)輸；OBOGS(機(jī)上氧氣發(fā)生器)； OBIGGS(機(jī)上惰性氣體發(fā)生器)；儀器儀表生產(chǎn)商    

本發(fā)明公開(kāi)了一種 SRAM 型 FPGA 的配置、刷新與程序上注一體化系統(tǒng)，屬于航天技術(shù)領(lǐng)域，目的是克服在空間輻照環(huán)境下 SRAM型 FPGA 的 SEU(Single-Event-Upset，單粒子翻轉(zhuǎn))問(wèn)題，具備對(duì)長(zhǎng)時(shí)間在軌工作的 SRAM 型 FPGA 進(jìn)行程序升級(jí)的能力。本發(fā)明包括現(xiàn)場(chǎng)可編程邏輯門陣列 SRAM 型 FPGA、綜合管理反熔絲 FPGA、配置程序存儲(chǔ)芯片 PROM、在軌升級(jí)程序存放芯片 EEPORM、RS42