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北京科技大學(xué)特種陶瓷研究室開發(fā)出一種自蔓延反應(yīng)燒結(jié)氮化硅/氮化硼復(fù)相可加工陶瓷材料，其應(yīng)用前景極其廣闊。 Si和N2合成Si3N4反應(yīng)的絕熱燃燒溫度高，體積有所增加，生成棒狀的b-Si3N4相相互交叉，提高了自蔓延反應(yīng)燒結(jié)氮化硅多孔陶瓷的強(qiáng)度，但氮化硅加工性能差。h-BN陶瓷可加工性能好，但燒結(jié)性能差。本項(xiàng)目利用h-BN相在氮化硅陶瓷中形成弱界面，當(dāng)加工時(shí)，弱界面上會(huì)形成微裂紋，并沿弱界面發(fā)生偏轉(zhuǎn)，耗散裂紋擴(kuò)展的能量使裂紋擴(kuò)展終止；當(dāng)載荷繼續(xù)上升時(shí)，在下層的弱結(jié)合界面處將產(chǎn)生新的臨界裂紋再擴(kuò)展；如此反復(fù)，使裂紋成為跳躍式階梯狀擴(kuò)展，斷裂漸次發(fā)生而非瞬間脆斷，使氮化硅/氮化硼多孔陶瓷材料具有了好的可加工性能。 本項(xiàng)目原料中采用了一定比例的Si粉，比完全以Si3N4粉為原料的普通燒結(jié)工藝節(jié)約了原料成本。產(chǎn)品的基本工藝為自蔓延高溫合成（燃燒合成）工藝，在氣體高壓反應(yīng)器中進(jìn)行，燒結(jié)所需要的能量完全由原料自身放熱提供，與其他制備方法（常壓燒結(jié)、熱壓燒結(jié)、反應(yīng)燒結(jié)）相比較，不需要高溫?zé)Y(jié)爐長時(shí)間燒結(jié)，大大節(jié)省了能源。本項(xiàng)目工藝簡單，燒結(jié)速度快，效率高。可制作復(fù)雜形狀一維，二維的大尺寸陶瓷材料。抗彎強(qiáng)度已做到188MPa，材料可加工性能優(yōu)良。 已獲中國發(fā)明專利《ZL 200610089013.6自蔓延反應(yīng)燒結(jié)Si3N4/BN復(fù)相可加工陶瓷的方法》。

項(xiàng)目成果/簡介:福州大學(xué)化學(xué)學(xué)院/能源與環(huán)境光催化國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室創(chuàng)新團(tuán)隊(duì)的研究論文“Molecular-level insights on the reactive facet of carbon nitride single crystals photocatalysing overall water splitting”在國際頂級刊物《Nature Catalysis》在線發(fā)表。 氫氣由于其能量密度高，燃燒后生成水清潔無污染，是未來能源的理想載體。太陽能光催化分解水制氫氣被認(rèn)為是獲取氫能源的理想途徑之一。開發(fā)高效廉價(jià)的光催化劑是光解水技術(shù)的核心。近年來，氮化碳光催化劑由于其制備工藝簡單，價(jià)格低廉，無毒無污染等優(yōu)點(diǎn)，受到了廣泛的關(guān)注。 該工作以具有高結(jié)晶度的氮化碳光催化劑polytriazine imides（PTI）單晶為模型，研究了其在光催化全解水反應(yīng)中的活性面。光催化全解水實(shí)驗(yàn)表明，PTI的性能與其{10-10}/{0001}晶面的面積比呈近似線性關(guān)系，進(jìn)一步證實(shí)了{(lán)10-10}晶面是光催化反應(yīng)的活性面。此外，{10-10}晶面比例最大的光催化劑在全解水中的產(chǎn)氫與產(chǎn)氧速率分別達(dá)到了１８６μmol／h和９１μmol／h，在３６５ｎｍ單色光照下的量子效率達(dá)到了８％，高于之前報(bào)道的結(jié)果。該論文從分子尺度上研究了氮化碳光催化劑的反應(yīng)活性面，為高性能氮化碳光催化劑的發(fā)展提供了重要的研究基礎(chǔ)。

福州大學(xué)化學(xué)學(xué)院/能源與環(huán)境光催化國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室創(chuàng)新團(tuán)隊(duì)的研究論文“Molecular-level insights on the reactive facet of carbon nitride single crystals photocatalysing overall water splitting”在國際頂級刊物《Nature Catalysis》在線發(fā)表。 氫氣由于其能量密度高，燃燒后生成水清潔無污染，是未來能源的理想載體。太陽能光催化分解水制氫氣被認(rèn)為是獲取氫能源的理想途徑之一。開發(fā)高效廉價(jià)的光催化劑是光解水技術(shù)的核心。近年來，氮化碳光催化劑由于其制備工藝簡單，價(jià)格低廉，無毒無污染等優(yōu)點(diǎn)，受到了廣泛的關(guān)注。 該工作以具有高結(jié)晶度的氮化碳光催化劑polytriazine imides（PTI）單晶為模型，研究了其在光催化全解水反應(yīng)中的活性面。光催化全解水實(shí)驗(yàn)表明，PTI的性能與其{10-10}/{0001}晶面的面積比呈近似線性關(guān)系，進(jìn)一步證實(shí)了{(lán)10-10}晶面是光催化反應(yīng)的活性面。此外，{10-10}晶面比例最大的光催化劑在全解水中的產(chǎn)氫與產(chǎn)氧速率分別達(dá)到了１８６μmol／h和９１μmol／h，在３６５ｎｍ單色光照下的量子效率達(dá)到了８％，高于之前報(bào)道的結(jié)果。該論文從分子尺度上研究了氮化碳光催化劑的反應(yīng)活性面，為高性能氮化碳光催化劑的發(fā)展提供了重要的研究基礎(chǔ)。

1.項(xiàng)目簡介：本設(shè)計(jì)了一種制備結(jié)晶氮化碳薄膜的裝置，設(shè)有脈沖電弧放電的機(jī)構(gòu)及電路，該電路由高壓和電弧產(chǎn)生電路組成；該機(jī)構(gòu)包括基板和與之相連的電加熱器，設(shè)有半密封箱體，基板、電加熱器和電極位于半密封箱體腔內(nèi)，基板位于電極的下方或四周，設(shè)有2條帶有控制閥的管道，分別通氮?dú)夂腿芤海湎露松钊氚朊芊庀潴w腔內(nèi)，通溶液的管道下端出口處于電極的上方。該裝置能高效率、高質(zhì)量地制備出結(jié)晶氮化碳薄膜，能方便地將結(jié)晶氮化碳薄膜涂層制備到管徑較小的管道內(nèi)壁，從而有利于結(jié)晶氮化碳薄膜的推廣應(yīng)用。項(xiàng)目已獲實(shí)用國家新型專利權(quán)。2.技術(shù)特點(diǎn)：該發(fā)明解決了氮化碳薄膜低溫常壓沉積的困難，而且提供了能高效率、高質(zhì)量地制備結(jié)晶氮化碳薄膜的方法及裝置。與其它方法相比，該發(fā)明的顯著特點(diǎn)是：在常壓下合成的產(chǎn)品主要為結(jié)晶氮化碳薄膜；沉積速率快，在大氣環(huán)境下產(chǎn)生稠密的含碳、氮等離子體，從而提高了生產(chǎn)效率，利于推廣結(jié)晶氮化碳薄膜的應(yīng)用。

已有樣品/n中科院半導(dǎo)體所是國內(nèi)最早開展 GaN 基電子材料研發(fā)的單位，并一直在該領(lǐng)域起著引領(lǐng)、 示范和帶動(dòng)作用。經(jīng)過盡二十年的自主創(chuàng)新，攻克了 2 英寸和3英寸藍(lán)寶石、碳化硅和硅襯底上GaN 基電子材料外延生長的關(guān)鍵科學(xué)技術(shù)問題，在高阻 GaN 外延材料、高遷移率 GaN 外延材料、高遷移率 AlGaN/GaN 異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)材料等方面形成了系統(tǒng)的自主知識產(chǎn)權(quán)，設(shè)計(jì)并研制出了多種具有特色的 AlGaN/GaN 異質(zhì)結(jié)構(gòu)電子材料，并實(shí)現(xiàn)了批量供片。市場預(yù)期：該技術(shù)是采用金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積（MOCVD）

易燃品/毒害品存儲柜（外鋼內(nèi)PP系列）以合規(guī)、環(huán)境、健康、安全為產(chǎn)品理念，設(shè)計(jì)構(gòu)造采用了外鋼內(nèi)PP材質(zhì)，解決了在危險(xiǎn)化學(xué)品儲存過程中應(yīng)具備防盜、防火、防靜電、通風(fēng)、防腐、防泄漏、雙鎖管理、監(jiān)測、調(diào)溫、防爆、防潮燈的防范安全措施，滿足了危化品儲存要求。本產(chǎn)品符合Q/320205XBB001-2014標(biāo)準(zhǔn)，具有防盜、阻燃、耐腐蝕、通風(fēng)等功能。  

產(chǎn)品詳細(xì)介紹1.規(guī)格1840*900*510（mm)。 2.易燃品毒害品儲存柜外殼體全部采用1.5mm的冷軋鋼板，柜體底座采用2.0mm的冷軋鋼板,內(nèi)外表面經(jīng)酸洗磷化環(huán)氧樹脂粉末噴涂，烘熱固化處理。 3.易燃品毒害品儲存柜體內(nèi)膽（上，下、左、右內(nèi)襯板）全部采用實(shí)芯理化板或pp（聚丙烯樹脂）板；柜底部設(shè)置90*50*145mm進(jìn)風(fēng)口，進(jìn)風(fēng)口底部有不銹鋼可調(diào)風(fēng)閥；柜體的底板中部有Φ10mm漏液孔，漏液孔上面蓋上60目304*不銹鋼網(wǎng)；柜體底部設(shè)h=160mm黃沙(防倒）擋板，柜體內(nèi)部最下層留有可以存放不少于120mm厚黃沙的填埋腔，用于埋放金屬鈉、黃磷（白磷）等的易燃物品；柜底裝有四個(gè)Φ60mm的移動(dòng)鋼輪，便于易燃品毒害品儲存柜移動(dòng)；前輪后有2個(gè)手動(dòng)調(diào)節(jié)羅桿，方便易燃品毒害品儲存柜定位。 4. 柜中部有3個(gè)三層階梯式的pp聚丙烯樹脂活動(dòng)擱板 5. 柜頂部中間有Φ150mm出風(fēng)口，柜頂風(fēng)口內(nèi)置一個(gè)AC220V、50HZ、0.18A軸流風(fēng)機(jī)，最大風(fēng)量326m3/h、轉(zhuǎn)速2550轉(zhuǎn)/min、環(huán)境溫度（-10~+70）℃，控制開關(guān)設(shè)置柜體頂部的右上角，當(dāng)風(fēng)機(jī)開機(jī)前要把柜門下面中間的進(jìn)風(fēng)口推置打開狀態(tài)。 6.保溫隔熱作用材料 柜體應(yīng)填充具有保溫隔熱作用的材料應(yīng)符合GB/T 11835-2007的要求，（密度100㎏/m3 ,厚度:40mm）。 7.密封件 柜體門與柜體之間應(yīng)安裝防火膨脹密封件，密封件應(yīng)符合GB 16807-2009的要求。（柜體門與柜體之間應(yīng)安裝環(huán)保熱膨脹密封條。當(dāng)溫度為150℃-180℃時(shí)密封條局部膨脹，溫度達(dá)到750℃時(shí)密封條全部膨脹，膨脹比例為1:5，以保證儲存藥品的安全性。） 8.機(jī)械鎖 存儲柜上安裝的磁鎖、機(jī)械密碼鎖等機(jī)械鎖應(yīng)符合GA/T 73的要求。 9電子鎖 應(yīng)符合GB 10409—2001中5.4的要求。 10.電源 應(yīng)符合GB 10409-2001中5.5的要求。 11.附加裝置 應(yīng)符合GB 10409-2001中5.6的要求。 12.柜體抗破壞要求 應(yīng)符合GB 10409-2001中5.7條A1類防盜保險(xiǎn)柜的要求。 13.通風(fēng)控制裝置 14.1　柜體底部應(yīng)設(shè)置進(jìn)風(fēng)口及可調(diào)風(fēng)閥，可調(diào)風(fēng)閥旋轉(zhuǎn)靈活，并能控制風(fēng)量大小。 14.2　柜體應(yīng)設(shè)置通風(fēng)口，通風(fēng)口最大風(fēng)速應(yīng)不小于0.5m/s。 14.3　應(yīng)有配有微電腦定時(shí)時(shí)控開關(guān)，能根據(jù)用戶設(shè)定的時(shí)間自動(dòng)打開和關(guān)閉風(fēng)機(jī)，電源開關(guān)應(yīng)有指示燈指示風(fēng)機(jī)是否正常工作，可自動(dòng)和手動(dòng)控制。 14.4　通風(fēng)管道口徑宜采用Φ160mm，通風(fēng)管應(yīng)耐高溫、阻燃、耐腐蝕，符合JGJ 141的要求。 15. 溫濕度控制報(bào)警裝置 柜體頂上應(yīng)配置溫濕度控制器，對柜內(nèi)相對溫濕度實(shí)時(shí)監(jiān)控，數(shù)字顯示設(shè)定和測量值，柜內(nèi)的溫濕度如超過設(shè)定的測量值即時(shí)報(bào)警提示。電源AC220V±10％50HZ,溫度啟控0~99.9℃（用戶設(shè)定），濕度啟控0~99.9％RH（用戶設(shè)定）。 16.特殊安全性要求 機(jī)械鎖鑰匙、電子密碼鎖密碼應(yīng)由兩人分別保管，開啟時(shí)兩人應(yīng)同時(shí)在場。

小試階段/n本發(fā)明專利采用一種新的合成方法制備了氮化硅或氮化硅/碳化硅粉體。與傳統(tǒng)制備方法相比，此工藝簡單，成本低，具有較大的市場前景，為非氧化物耐火材料原料的生產(chǎn)提供了一個(gè)新的思路。