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本發(fā)明公開(kāi)了一種嵌入式微處理器非可克隆函數(shù)密鑰認(rèn)證系統(tǒng)， 包括嵌入式端、燒寫設(shè)備端和 PC 端，嵌入式端包括 PUF 待分析數(shù)據(jù) 提取模塊以及 IAP 模塊，燒寫設(shè)備端包括待燒寫程序處理模塊，PC 端 包括嵌入式認(rèn)證程序生成模塊、PUF 分析模塊、數(shù)據(jù)庫(kù)模塊、散列數(shù) 據(jù)生成模塊、以及幫助數(shù)據(jù)生成模塊，PUF 待分析數(shù)據(jù)提取模塊用于 多次提取 SRAM 中的初始上電數(shù)據(jù)，并將數(shù)據(jù)發(fā)送到 PUF 分析模塊， PUF 分析

本發(fā)明公開(kāi)了一種高速銑削-激光切焊復(fù)合加工工藝及可重組多 軸數(shù)控加工系統(tǒng)?？捎糜诮饘偌胺墙饘俨牧霞庸?，是將高速銑削、激 光切割、激光焊接以刀具更換的形式集成于數(shù)控機(jī)床上，期間無(wú)需更 換設(shè)備及工裝夾具，從而完成對(duì)材料的切割-銑削-焊接一體化的加工。 該系統(tǒng)包括控制平臺(tái)、數(shù)控系統(tǒng)、激光器、數(shù)控機(jī)床、工裝夾具、五 軸加工頭(銑頭、激光切割動(dòng)力頭和激光焊接動(dòng)力頭頭)。五軸加工頭可 以實(shí)現(xiàn)加工頭之間的快速切換，實(shí)現(xiàn)對(duì)工件的不同

本發(fā)明提供一種基于微波感應(yīng)技術(shù)的可移動(dòng)側(cè)滑式自動(dòng)開(kāi)蓋垃圾桶，包括滑蓋，桶體和帶四輪的底 盤，桶體安裝在帶四輪的底盤上，桶體上安裝有滑蓋，滑蓋包括兩層固定支架和可滑動(dòng)蓋面，可滑動(dòng)蓋 面夾在兩層固定支架之間，滑蓋上安裝有微波定位裝置和電磁機(jī)械控制裝置，帶四輪的底盤內(nèi)安裝有微 處理器、電源裝置、移動(dòng)裝置，桶體內(nèi)安裝有射頻識(shí)別裝置、藍(lán)牙裝置和智能提醒裝置，微波定位裝置、 電磁機(jī)械控制裝置、電源裝置、移動(dòng)裝

本專利公布了一種防止光纖纏繞的多軸數(shù)控加工系統(tǒng)可更換兩 坐標(biāo)激光加工頭，包括旋轉(zhuǎn)軸 C 軸、擺動(dòng)軸 A 軸和激光加工光學(xué)組件， 其中：C 軸可以帶動(dòng) A 軸進(jìn)行轉(zhuǎn)動(dòng)；A 軸可以帶動(dòng)激光加工光學(xué)組件 進(jìn)行擺動(dòng)；激光加工光學(xué)組件主要用來(lái)引導(dǎo)激光對(duì)工件進(jìn)行加工。將 本專利公布的兩坐標(biāo)激光加工頭與機(jī)床相結(jié)合，可以實(shí)現(xiàn)大幅面、高 速度的激光加工。當(dāng)工件需要進(jìn)行銑削加工時(shí)，只需將 A 軸拆下，然 后將銑頭通過(guò)快速連接端面與 C

本發(fā)明公開(kāi)一種產(chǎn)生寬譜帶可連續(xù)調(diào)諧相干極紫外光源的方法及裝置，所述方法為：產(chǎn)生飛秒激光光束,將激光光束聚焦于工作氣體處，在真空環(huán)境下所述激光光束與所述工作氣體相互作用產(chǎn)生高次諧波；調(diào)整所述激光光束的入射能量或所述工作氣體的氣壓，以改變高次諧波的相位匹配條件，使得高次諧波頻率發(fā)生紅移或藍(lán)移，從而實(shí)現(xiàn)極紫外光源各階次諧波輻射波長(zhǎng)的連續(xù)調(diào)諧。本發(fā)明還提供了實(shí)現(xiàn)上述方法的裝置。實(shí)施本發(fā)明可實(shí)現(xiàn)極紫外光源各階次諧波輻射波長(zhǎng)的連續(xù)調(diào)諧。

本發(fā)明公開(kāi)了一種 3D 打印用金屬基陶瓷相增強(qiáng)合金工具鋼粉末 的制備方法，該合金工具鋼粉末所含元素及質(zhì)量百分含量為：C， 0.2-5％；Si，0.2-1％；Mn，0.1-1％；Ni，0.3-1％；Cr，3-25％；Mo， 0.2-15％；V，0.2-14.5％；W，0.3-15％；Co，1-18％；Nb，0.2-1％； 金屬基陶瓷相金屬元素，0.2-8％；鐵，余量，所述制備方法如下：1) 將原料混合粉末熔化；2)脫氧處理；3)脫硫

本發(fā)明公開(kāi)了一種 3D 打印用金屬基陶瓷相增強(qiáng)合金工具鋼粉末 的制備方法，該合金工具鋼粉末所含元素及質(zhì)量百分含量為：C， 0.2-5％；Si，0.2-1％；Mn，0.1-1％；Ni，0.3-1％；Cr，3-25％；Mo， 0.2-15％；V，0.2-14.5％；W，0.3-15％；Co，1-18％；Nb，0.2-1％； 金屬基陶瓷相金屬元素，0.2-8％；鐵，余量，所述制備方法如下：1) 將原料混合粉末熔化；2)脫氧處理；3)脫硫

產(chǎn)品詳細(xì)介紹AM300通用系列變頻器AM300通用系列變頻器性能概述?控制方式 開(kāi)環(huán)矢量控制（SVC）、V/F控制、閉環(huán)矢量（VC）、開(kāi)閉環(huán)轉(zhuǎn)矩控制、位置環(huán)控制?調(diào)速范圍 1：100 （SVC）、1：1000（VC）?穩(wěn)速精度 ±0.5%（SVC）?軟硬件抑制強(qiáng)干擾和誤報(bào)故障，確保無(wú)跳閘運(yùn)行?矢量化VF控制：自動(dòng)轉(zhuǎn)矩提升；手動(dòng)轉(zhuǎn)矩提升0.1% ~ 30.0%，可自定義VF曲線?自動(dòng)限流：對(duì)運(yùn)行期間電流自動(dòng)限制，防止頻繁過(guò)流故障跳閘，實(shí)現(xiàn)無(wú)跳閘運(yùn)行?矢量控制下低頻大轉(zhuǎn)矩穩(wěn)定運(yùn)行，無(wú)速度傳感器矢量控制下優(yōu)異的控制性能?可選擇LED、LCD鍵盤，支持雙鍵盤同時(shí)操作?雙繼電器輸出、兩路0(4)~ 20 mA ,0(2) ~ 10V模擬量可選輸出?可靠的轉(zhuǎn)速追蹤功能，可自動(dòng)識(shí)別旋轉(zhuǎn)電機(jī)速度和方向，用于旋轉(zhuǎn)風(fēng)機(jī)直接啟動(dòng)?完全自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)，可按照客戶要求定制開(kāi)發(fā)?電壓等級(jí) 220V、380V、690V、1140V?超大功率驅(qū)動(dòng)技術(shù)，單機(jī)380V、680KW，并機(jī)1400KW?電網(wǎng)瞬間掉電不停機(jī)?轉(zhuǎn)矩控制運(yùn)行：端子支持速度、轉(zhuǎn)矩控制模式切換?高可靠性：成熟可靠驅(qū)動(dòng)、保護(hù)電路設(shè)計(jì)、抗干擾設(shè)計(jì)?閉環(huán)矢量控制、帶速度環(huán)、電流環(huán)、位置環(huán)、可做零伺服控制?自動(dòng)載波調(diào)整：根據(jù)負(fù)載特性，自動(dòng)調(diào)整載波頻率?自動(dòng)電壓調(diào)整：當(dāng)電網(wǎng)電壓變化時(shí)，能自動(dòng)保持輸出電壓恒定?自動(dòng)節(jié)能運(yùn)行：根據(jù)負(fù)載情況，自動(dòng)優(yōu)化V/F曲線，實(shí)現(xiàn)節(jié)能運(yùn)行

本發(fā)明公開(kāi)了一種高性能光譜選擇性吸波元件及太陽(yáng)能熱光伏系統(tǒng)，包括金屬基底、低折射率介質(zhì)第一薄膜、高折射率半導(dǎo)體納米方塊陣列、低折射率介質(zhì)第二薄膜和低折射率介質(zhì)第三薄膜；低折射率介質(zhì)第一薄膜均勻覆蓋在金屬基底上，其上構(gòu)建棋盤狀周期排列的高折射率半導(dǎo)體納米方塊陣列，在高折射率半導(dǎo)體納米方塊陣列之間填充低折射率介質(zhì)第二薄膜，在其頂部覆蓋低折射率介質(zhì)第三薄膜。本發(fā)明通過(guò)對(duì)金屬表面介質(zhì)薄膜的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，獲得良好的光譜選擇性；通過(guò)選擇不同的金屬、半導(dǎo)體、介質(zhì)材料，和（或）改變結(jié)構(gòu)參數(shù)，實(shí)現(xiàn)靈活的截止波長(zhǎng)調(diào)控及光譜選擇性；本發(fā)明同樣適用于耐高溫的金屬、半導(dǎo)體、介質(zhì)材料，可在太陽(yáng)能熱光伏系統(tǒng)中得到廣泛應(yīng)用。

本發(fā)明涉及一種基于超表面的光偏振控制的透反射一體式轉(zhuǎn)換器，包括上層的納米二聚體陣列和下層的襯底，襯底平面為xy軸平面，x軸垂直于y軸，兩個(gè)結(jié)構(gòu)材質(zhì)完全相同的半導(dǎo)體圓柱體納米結(jié)構(gòu)間隔固定距離排列構(gòu)成納米二聚體，納米二聚體中兩個(gè)圓柱體中心連線方向?yàn)槎垠w軸方向，即x軸方向；襯底平面上的納米二聚體陣列為沿x軸、y軸周期排列的納米二聚體陣列。