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研制開(kāi)發(fā)并形成具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)、環(huán)保、高效、可靠的廢棄線(xiàn)路板無(wú)損拆解技術(shù)、粉碎技術(shù)、分離技術(shù)、再利用技術(shù)等相關(guān)技術(shù)，設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā)具有中國(guó)特色的廢棄線(xiàn)路板回收處理及再利用整體工藝及生產(chǎn)線(xiàn)，實(shí)現(xiàn)對(duì)廢棄線(xiàn)路板的無(wú)污染回收處理及再利用。該設(shè)備是一種環(huán)保、節(jié)能、高效的廢棄線(xiàn)路板元器件無(wú)損拆解設(shè)備，由傳動(dòng)、加熱、振動(dòng)、除煙味等單元構(gòu)成，該設(shè)備主機(jī)長(zhǎng)為3.5m，寬0.8m，高為1.5m，生產(chǎn)能力為300～700塊線(xiàn)路板/小時(shí)。在第三屆北京發(fā)明創(chuàng)新大賽中，“線(xiàn)路板無(wú)損拆解設(shè)備”獲得節(jié)能環(huán)保專(zhuān)項(xiàng)獎(jiǎng)和大賽銀獎(jiǎng)。拆解效率高，溫度可控，節(jié)能效果好，元器件無(wú)損拆解率高；設(shè)備環(huán)保；功率小，便于中小規(guī)模生產(chǎn)；加工操作簡(jiǎn)單；故障診斷、自我保護(hù)和聲光報(bào)警功能。主要性能指標(biāo)如下。1. 功率：4KW 2. 拆解率：98%3. 電壓：220 4. 煙塵、氣味：過(guò)濾效率99.9%5. 產(chǎn)量： 100~200 kg/h 6. 主機(jī)外形尺寸： 3500×80×1500 7. 整機(jī)重量：1.0臺(tái)/t 廢棄線(xiàn)路板基板的主要組成是纖維強(qiáng)化熱固性樹(shù)脂，由于熱固性塑料本身的特點(diǎn)，除了焚燒回收熱值，還有作為粉末用于涂料、鋪路材料等重新利用，這些再生品質(zhì)量低下、檔次不高，而且在經(jīng)濟(jì)投資和資源利用方面也是不合理的。本項(xiàng)目根據(jù)廢棄線(xiàn)路板基板原材料的不同，進(jìn)行分別粉碎處理，將粉碎后的PCB粉末作為填料或增強(qiáng)體，以不飽和聚酯、環(huán)氧樹(shù)脂等熱固性材料作為基體，采用熱壓成型工藝，最終生產(chǎn)出多種復(fù)合材料，根據(jù)復(fù)合材料的不同性能，可以制成多種產(chǎn)品應(yīng)用在廣泛的領(lǐng)域里，代木、代鋼、代塑、代瓷制品，所以具有明顯的社會(huì)效益。該技術(shù)解決了固體廢棄物帶來(lái)的環(huán)境污染問(wèn)題，又節(jié)約了一次資源，降低了制造成本，具有良好的環(huán)境、社會(huì)、經(jīng)濟(jì)三大效益。主要性能指標(biāo)如下。抗彎強(qiáng)度/MPa 沖擊強(qiáng)度/ Kg?m-2密度/ g?cm-3使用溫度/℃ 成本價(jià)格/元/噸 廢棄PCB粉體/短切玻璃纖維/不飽和聚酯150 17.92 1.59 50 4000 廢棄線(xiàn)路板粉體/環(huán)氧樹(shù)脂/偶聯(lián)劑134.1 11.67 1.54 139.1 7000 申請(qǐng)專(zhuān)利：1. 吳國(guó)清，張宗科. 一種應(yīng)用于廢棄線(xiàn)路板無(wú)損拆解的處理設(shè)備及方法，專(zhuān)利號(hào)：200810224887.7 2. 吳國(guó)清，張宗科. 一種線(xiàn)路板夾具體，200810224853.8 3. 吳國(guó)清，張宗科，趙玉振. 廢棄線(xiàn)路板的回收及再利用方法. 200910091996.0 4. 吳國(guó)清，趙玉振. 廢棄電子元器件的回收及再利用方法. 200910091995.6 

一種半橋LLC諧振變換器中的高頻中間抽頭平面變壓器，采用八層結(jié)構(gòu)，原邊繞組位于第一、三、六、八層，兩個(gè)副邊繞組分別位于第二、七層和四、五層，原邊附加繞組包括兩個(gè)矩形的附加繞組，第一、三、五、七層的繞組串聯(lián)構(gòu)成一個(gè)附加繞組，第二、四、六、八層的繞組串聯(lián)構(gòu)成另一個(gè)附加繞組，相鄰兩層之間的附加繞組交叉設(shè)置，且相鄰兩層之間的附加繞組之間采用完全正對(duì)繞制，使兩個(gè)附加繞組之間的等效電感Lr’和等效電容Cr’替代諧振網(wǎng)絡(luò)中分立的諧振電感Lr和諧振電容Cr，勵(lì)磁電感Lm由中間抽頭平面變壓器提供，通過(guò)磨磁芯的氣隙來(lái)獲得需要的勵(lì)磁電感值；原邊繞組或副邊繞組分別位于該層相應(yīng)的矩形附加繞組之內(nèi)。

本發(fā)明提出了一種基于自適應(yīng)半軟閾值小波變換的多路徑誤差提取方法，應(yīng)用于全球衛(wèi)星導(dǎo)航系統(tǒng)中多路徑誤差的消除。首先利用衛(wèi)星觀(guān)測(cè)值得到雙差偽距的殘差值，作為待處理信號(hào)；利用小波變換對(duì)待處理信號(hào)進(jìn)行多尺度分析，從中提取出待處理的多路徑信號(hào)；然后使用FIR濾波器對(duì)待處理的多路徑信號(hào)進(jìn)行過(guò)濾，得到最終的多路徑誤差信號(hào)。其中，小波變換中的閾值函數(shù)采用自定義的半軟閾值函數(shù)，并且采用自適應(yīng)法搜索閾值點(diǎn)。本發(fā)明方法計(jì)算量小，計(jì)算速度快，可實(shí)施性強(qiáng)。還可根據(jù)不同實(shí)驗(yàn)環(huán)境自適應(yīng)調(diào)節(jié)，以達(dá)到最好的抑制多路徑誤差的效果。

本成果首次成功合成了有機(jī)磷多面體低聚硅倍半氧烷(P-POSS)阻燃劑。P-POSS以硅、磷為主要阻燃元素，以籠型無(wú)機(jī)Si-O結(jié)構(gòu)為內(nèi)核、含磷有機(jī)基團(tuán)為外殼的獨(dú)特結(jié)構(gòu)，具有常溫下為固體、聚合物材料加工溫度下出現(xiàn)玻璃化轉(zhuǎn)變的良好加工性能，同時(shí)具有熱穩(wěn)定性高和與聚合物相容性好的特點(diǎn)，指向一類(lèi)新型高效阻燃劑分子的未來(lái)特征。前期研究結(jié)果表明，P-POSS在環(huán)氧樹(shù)脂和聚碳酸酯中均表現(xiàn)出優(yōu)異的阻燃性能，同時(shí)，使聚合物材料保持良好的綜合性能，具有廣闊的市場(chǎng)應(yīng)用前景。 在阻燃環(huán)氧樹(shù)脂應(yīng)用中，低含量的P-POSS（硅、磷元素含量為0.1——0.5wt%）即可使阻燃環(huán)氧樹(shù)脂的氧指數(shù)達(dá)到30%以上，獲得UL-94 V0級(jí)別。而且P-POSS 阻燃的環(huán)氧樹(shù)脂表現(xiàn)出獨(dú)特的“吹熄”現(xiàn)象，即樣條點(diǎn)燃后，點(diǎn)燃端明顯有氣流從炭層燃燒點(diǎn)噴射而出，將火焰吹離聚合物表面并迅速熄滅，正是這種“吹熄”現(xiàn)象實(shí)現(xiàn)P-POSS的高效阻燃環(huán)氧樹(shù)脂。P-POSS不但能夠提高環(huán)氧樹(shù)脂阻燃性能和熱穩(wěn)定性，還能保持環(huán)氧樹(shù)脂本身的透明性、機(jī)械性能和電性能。 在阻燃聚碳酸酯應(yīng)用中，P-POSS不但能夠保持POSS結(jié)構(gòu)熱穩(wěn)定性高的特點(diǎn)，而且還可以有效回避原料磷系阻燃劑的增塑作用。常溫下這種P-POSS的固體狀態(tài)使其更容易儲(chǔ)存和添加，而它們?cè)赑C加工溫度范圍內(nèi)存在的玻璃化轉(zhuǎn)變現(xiàn)象更是使其分散狀態(tài)較一般固體阻燃劑有著顯著的改善，甚至達(dá)到納米級(jí)分散。P-POSS在2wt%的添加量下就可以使聚碳酸酯達(dá)到UL-94 V0級(jí)別，同時(shí)熱變形溫度保持在140℃。

1. 高壓IGBT器件封裝絕緣測(cè)試系統(tǒng) 針對(duì)高壓IGBT器件內(nèi)部承受的正極性重復(fù)方波電壓以及高溫工況，研制了針對(duì)高壓IGBT器件、芯片及封裝絕緣材料絕緣特性的測(cè)試系統(tǒng)（如圖1所示），可實(shí)現(xiàn)電壓波形參數(shù)、溫度和氣壓的靈活調(diào)控，用于研究電壓類(lèi)型（交、直流、重復(fù)方波電壓）、波形參數(shù)、氣體種類(lèi)、氣體壓力等因素對(duì)絕緣特性，具備放電脈沖電流測(cè)量、局部放電測(cè)量、放電光信號(hào)測(cè)量、漏電流測(cè)量及紫外光子測(cè)量等功能（如圖2所示），平臺(tái)相關(guān)參數(shù)：頻率：DC~20kHz，電壓：0~20kV，上升沿/下降沿：150ns可調(diào)，占空比：1%~99%，溫度：25℃~150℃，氣壓：真空~3個(gè)大氣壓。  2.壓接型IGBT器件并聯(lián)均流實(shí)驗(yàn)系統(tǒng) 針對(duì)高壓大功率壓接型IGBT器件內(nèi)部的芯片間電流均衡問(wèn)題，研制了針對(duì)壓接型IGBT器件的多芯片并聯(lián)均流實(shí)驗(yàn)系統(tǒng)（如圖3所示），平臺(tái)具有靈活調(diào)節(jié)IGBT芯片布局，柵極布線(xiàn)，溫度和壓力分布的能力，可開(kāi)展芯片參數(shù)、寄生參數(shù)以及壓力和溫度等多物理量對(duì)壓接型IGBT器件在開(kāi)通/關(guān)斷過(guò)程芯片-封裝支路瞬態(tài)電流分布影響規(guī)律的研究，以及瞬態(tài)電流不均衡調(diào)控方法的研究；平臺(tái)相關(guān)參數(shù)：電壓：0~6.5kV，電流：0~3kA，溫度：25℃~150℃，壓力：0~50kN。   圖3 壓接型IGBT多芯片并聯(lián)均流實(shí)驗(yàn) 3.高壓大功率IGBT器件可靠性實(shí)驗(yàn)系統(tǒng) 隨著高壓大功率 IGBT 器件容量的進(jìn)一步提升，對(duì)其可靠性考核裝備在測(cè)量精度、測(cè)試效率等方面提出了挑戰(zhàn)。針對(duì)柔性直流輸電用高壓大功率 IGBT 器件的測(cè)試需求，自主研制了 90 kW /3 000 A 功率循環(huán)測(cè)試裝備和100V/200°C高溫柵偏測(cè)試裝備（如圖4所示）。功率循環(huán)測(cè)試裝備可針對(duì)柔性直流輸電中壓接型和焊接式兩種不同封裝形式的IGBT開(kāi)展功率循環(huán)測(cè)試，最多可實(shí)現(xiàn)12個(gè)IGBT器件的同時(shí)測(cè)試。電流等級(jí)、波形參數(shù)、壓力均獨(dú)立可調(diào)，功率循環(huán)周期為秒級(jí)，極限測(cè)試能力可達(dá) 300 ms，最高壓力達(dá)220 kN，虛擬結(jié)溫測(cè)量精度達(dá)±1°C，導(dǎo)通壓降測(cè)量精度達(dá)±2mV。高溫柵偏測(cè)試裝備可實(shí)現(xiàn)漏電流和閾值電壓的實(shí)時(shí)在線(xiàn)監(jiān)測(cè)，最多可實(shí)現(xiàn)32個(gè)IGBT器件的同時(shí)測(cè)試。 4. 壓接器件內(nèi)部并聯(lián)多芯片電流及結(jié)溫測(cè)量方法及實(shí)現(xiàn) 高壓大功率壓接型IGBT器件內(nèi)部芯片瞬態(tài)電流及結(jié)溫測(cè)量是器件多物理量均衡調(diào)控及狀態(tài)監(jiān)測(cè)的基本手段，針對(duì)器件內(nèi)部密閉封裝以及密集分布鄰近支路引起的干擾問(wèn)題，提出了PCB羅氏線(xiàn)圈互電感的等效計(jì)算方法，實(shí)現(xiàn)了任意形狀PCB羅氏線(xiàn)圈繞線(xiàn)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，設(shè)計(jì)了針對(duì)器件電流測(cè)量的方形PCB羅氏線(xiàn)圈（如圖5所示），實(shí)現(xiàn)臨近芯片電流造成的測(cè)量誤差小于1%；針對(duì)器件內(nèi)部多芯片并聯(lián)芯片結(jié)溫測(cè)量，提出了壓接型IGBT器件結(jié)溫分布測(cè)量的時(shí)序溫敏電參數(shù)法，通過(guò)各芯片柵極的時(shí)序單獨(dú)控制（如圖6所示），在各周期分別進(jìn)行單顆IGBT芯片結(jié)溫的測(cè)量，進(jìn)而等效獲得一個(gè)周期內(nèi)各IGBT芯片的結(jié)溫分布。在此基礎(chǔ)上，完成了集成于高壓大功率器件內(nèi)部的多芯片并聯(lián)電流測(cè)試PCB羅氏線(xiàn)圈以及時(shí)序溫敏電參數(shù)測(cè)量驅(qū)動(dòng)板的設(shè)計(jì)（如圖7所示）。 5. 自主研制高壓大功率電力電子器件 面向電力系統(tǒng)用高壓大功率電力電子器件自主研制的需求，開(kāi)展了芯片建模與篩選、芯片并聯(lián)電流均衡調(diào)控、封裝絕緣特性及電場(chǎng)建模以及器件多物理場(chǎng)調(diào)控等方面工作，相關(guān)成果支撐了國(guó)家電網(wǎng)公司全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院有限公司3.3kV/1500A、3.3kV/3000A以及4.5kV/3000A硅基IGBT器件的自主研制，并通過(guò)柔直換流閥用器件的應(yīng)用驗(yàn)證實(shí)驗(yàn)，同時(shí)也支撐了世界首個(gè)18kV 壓接型SiC IGBT器件的自主研制。

本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體發(fā)光與顯示器件的制備方法，具體地說(shuō)，是涉及一種基于紫外光激發(fā)的白光發(fā)射器件及其制備方法，屬光電集成技術(shù)領(lǐng)域。該制備方法包括如下步驟：清洗硅片、在清洗后的硅片上制備多孔硅、在多孔硅上沉積氮化鋁薄膜、用紫外光照射氮化鋁薄膜，得到在可見(jiàn)光區(qū)發(fā)光的白光發(fā)射器件。 技術(shù)推廣意向：半導(dǎo)體發(fā)光與顯示領(lǐng)域技術(shù)創(chuàng)新：本發(fā)明具有如下的有益效果：器件結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，無(wú)污染，制備成本低；不需要熒光粉，發(fā)光效率高；發(fā)光性能穩(wěn)定，光譜波長(zhǎng)范圍寬。

本發(fā)明公開(kāi)了一種用于高可靠性WLCSP器件焊接的無(wú)鉛釬料，屬于金屬材料類(lèi)及冶金領(lǐng)域釬焊材料。該種無(wú)鉛釬料中的納米Al顆粒的含量為0.01~1%，納米CeO2的含量為0.01~1%，Ag的含量為0.5~4.5%，Cu的含量為0.2~1.5%，余量為Sn。使用市售的Sn錠、Sn-Cu合金、Sn-Ag合金，按設(shè)計(jì)所需成分配比，預(yù)先熔化，然后加入納米顆粒，采用高能超聲攪拌的制造工藝冶煉無(wú)鉛釬料，為防止元素的燒損在惰性氣體保護(hù)氣氛中冶煉、澆鑄成棒材，然后通過(guò)擠壓、拉拔即得到所需要的釬料絲材，也可將新釬料制備成焊膏使用。本無(wú)鉛釬料對(duì)應(yīng)無(wú)鉛焊點(diǎn)的抗疲勞特性和抗跌落特性得到顯著提高。 

本發(fā)明公開(kāi)了一種基于納米壓電纖維的柔性能量捕獲器件及其 制備方法。所述器件自下而上依次包括：柔性基材、電極層、壓電纖 維層、保護(hù)層；所述柔性基材為柔性絕緣塑料薄膜；所述壓電纖維層 為 PVDF 纖維。通過(guò)采用柔性基材，采用照相制版工藝制備梳狀電極， 并選擇合適的靜電紡絲參數(shù)沉積 PVDF 壓電纖維，無(wú)需再對(duì)壓電纖維 進(jìn)行極化，使纖維整齊排列、減小纖維缺陷，能夠簡(jiǎn)化納米壓電纖維 能量捕獲器件制備工藝，提高能量轉(zhuǎn)換效率，尤其是對(duì)彎曲運(yùn)動(dòng)機(jī)械 能的捕獲效果。 

本發(fā)明公開(kāi)了一種基于SOI封裝的六軸微慣性器件，包括單片集成的六軸微慣性器件、玻璃襯底、金屬電極、金屬引線(xiàn)、SOI蓋帽和SOI密封墻；六軸微慣性器件通過(guò)陽(yáng)極鍵合工藝鍵合在玻璃襯底上；金屬電極為一個(gè)以上，均勻設(shè)置在玻璃襯底一側(cè)，金屬電極通過(guò)金屬引線(xiàn)與六軸微慣性器件相接，SOI蓋帽設(shè)在玻璃襯底正上方，SOI密封腔設(shè)在SOI蓋帽和SOI密封墻之間，形成空腔結(jié)構(gòu)；每個(gè)金屬電極正上方的SOI蓋帽上設(shè)有梯形電極孔，梯形電極孔正下方的SOI密封墻上設(shè)有垂直貫通；梯形電極孔、垂直貫通與金屬電極一一對(duì)應(yīng)。本發(fā)明具有全解耦、質(zhì)量小、結(jié)構(gòu)精巧、成本低和便于批量生產(chǎn)等優(yōu)點(diǎn)，在單個(gè)器件內(nèi)同時(shí)實(shí)現(xiàn)了對(duì)三軸的加速度和角速度的檢測(cè)，應(yīng)用范圍廣，有著良好的市場(chǎng)前景。

本發(fā)明屬于電子元器件的封裝設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域，并公開(kāi)了一種用 于片式元器件編帶封裝的雙路同步熱壓裝置，包括水平工作臺(tái)、熱壓 機(jī)構(gòu)、驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)和調(diào)距機(jī)構(gòu)等，其中熱壓機(jī)構(gòu)被設(shè)計(jì)為雙路結(jié)構(gòu)，并 用于實(shí)現(xiàn)料帶的封合，保證壓力的一致性，進(jìn)而完成料帶的良好熱封； 驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)用于驅(qū)動(dòng)熱壓機(jī)構(gòu)實(shí)現(xiàn)垂直方向的上下運(yùn)動(dòng)；調(diào)距機(jī)構(gòu)用于 調(diào)節(jié)工作臺(tái)兩側(cè)的間距以及兩側(cè)壓頭的間距，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)適應(yīng)不同寬度 的料帶的熱封。通過(guò)本發(fā)明，能實(shí)現(xiàn)單側(cè)壓頭的溫度均勻分布，兩側(cè) 壓頭溫度和壓力的一致性以及不同寬度的料帶的良好熱封，同時(shí)具備 結(jié)構(gòu)緊湊，便