一種二維層狀二硫化鉬薄膜的光探測(cè)器及制備方法
本發(fā)明公開(kāi)了一種二維層狀二硫化鉬薄膜的光探測(cè)器及制備工 藝,光探測(cè)器包括從上之下依次排列的電極結(jié)構(gòu)、多個(gè)層狀二硫化鉬 薄膜以及襯底;電極結(jié)構(gòu)為電極、主支、分支三部分,相鄰主支之間 和相鄰分支之間的間距為二硫化鉬薄膜的平均大小,起到并聯(lián)二硫化 鉬薄膜、增大光敏面積的作用。二硫化鉬薄膜的生長(zhǎng)采用化學(xué)氣相沉 積(CVD)的方法,硅片作為襯底,MoO3 粉末作為鉬源,硫粉作為硫源, 通過(guò)控制鉬源與襯底之間的間距、硫蒸氣進(jìn)入反應(yīng)的時(shí)間和反應(yīng)溫度, 制備得到大面積的層狀二硫化鉬薄膜。使用該方法制備層狀二硫化鉬
華中科技大學(xué)
2021-04-14