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產(chǎn)品詳細介紹I CODE SLI卡(PHILIPS): 芯片類型:Philips I CODE SLI 存儲容量:1024 bit，64bit唯一ID序列號 工作頻率:13.56MHz 讀寫距離:2.5～10cm 讀寫時間:1～2ms 工作溫度:-20℃～55℃ 擦寫壽命:>100,000次 數(shù)據(jù)保存:>10年 封裝工藝:PVC層壓 尺寸:ISO標準卡/異型卡/圓幣卡 執(zhí)行標準:ISO15693 典型應用:企業(yè)一卡通、圖書館、學校管理、公交儲值卡、停車場、小區(qū)管理等 ==正華智能卡產(chǎn)品== 另有:EM4100/4102,TK4100,T5567,Mifare S50、S70,          Ultralight,FM11RF08,Ti2048......智能卡供應.

成果描述：1．本外觀設計產(chǎn)品的名稱：T恤。2．本外觀設計產(chǎn)品的用途：本外觀設計產(chǎn)品用于供人穿在身體上,用來保護身體,具有裝飾作用。3．本外觀設計產(chǎn)品的設計要點：該T恤的形狀、圖案、色彩及其結合。4．最能表明本外觀設計設計要點的圖片或照片：主視圖。5．請求保護的外觀設計包含色彩。市場前景分析：1．本外觀設計產(chǎn)品的名稱：T恤。2．本外觀設計產(chǎn)品的用途：本外觀設計產(chǎn)品用于供人穿在身體上,用來保護身體,具有裝飾作用。3．本外觀設計產(chǎn)品的設計要點：該T恤的形狀、圖案、色彩及其結合。4．最能表明本外觀設計設計要點的圖片或照片：主視圖。5．請求保護的外觀設計包含色彩。與同類成果相比的優(yōu)勢分析：國內領先

特征特性：優(yōu)夢T106為粉果型口感番茄品種，早熟，高溫下長勢好，連續(xù)坐果能力強，果實完全成熟后不易裂果；單果重80g左右，可溶性固形物含量8%左右，果肩綠色，果膠黃綠色，肉脆、酸甜、有香味；抗番茄黃化曲葉病毒病、灰葉斑、鐮刀菌冠狀根腐病、煙草花葉病毒、根結線蟲等。 生產(chǎn)試種：2023，2024年在遼寧盤錦、山東壽光、山西大同、浙江湖州進行了生產(chǎn)試種，表現(xiàn)良好。 優(yōu)夢T106

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產(chǎn)品詳細介紹PCA-SP500T加速度傳感器技術參數(shù)：1）最大可測加速度：±10g 【±5V】2）供電方式：DC24V 4mA 3）中點偏置:8-12V4）靈敏度：500mV/g (1g=9.81 ms) 5）頻率響應：0.2～9000Hz 7）線性：<1% 9）溫度范圍：-40～+120℃11）重量：33gm 12）安裝螺紋尺寸：M5 mm 14）殼體材質：不銹鋼單位：長沙平川公司聯(lián)系方式：15387560104郵箱：[email protected] 網(wǎng)址：www.pchuangroup.com

產(chǎn)品詳細介紹PCA-SP100T加速度傳感器技術參數(shù)：1）最大可測加速度：±50g 2）供電方式：DC18-30V （典型值：DC24V 4mA）3）偏執(zhí)電壓：8-12V 4）靈敏度：100mV/g (5%,10%) 5）頻率響應：0.3～15000Hz 8）抗沖擊：4000g9）溫度范圍：-40～+120℃10）重量：20gm11）安裝螺紋尺寸：M5 mm15）殼體材質：不銹鋼單位：長沙平川公司聯(lián)系方式：15387560104郵箱：[email protected] 網(wǎng)址：www.pchuangroup.com

產(chǎn)品詳細介紹

產(chǎn)品詳細介紹特點與優(yōu)勢● 從自來水直接生產(chǎn)純水和超純水的一體化系統(tǒng)；● 全自動微電腦控制，觸摸式按鍵，一鍵式操作；● 純水、超純水雙路在線監(jiān)測水質；水溫在線檢測；● 清洗、循環(huán)誤操作保護；● 漏水、低壓保護；● 遠程取水水槍（選配）；● 紫外燈工作指示、失效報警；● 純水管路、接頭均獲NSF 認證；● 采用美國陶氏DOW 原裝進口RO 膜片，確保RO 膜的長壽命與高品質水質的結合；● 電導率儀電阻池常數(shù)：0.01cm-1，溫度靈敏度±0.1℃，帶溫度自動補嘗功能；● 采用低壓 DC24V 為主電源供電，符合安全規(guī)范，ABS 塑料機箱，水電分離結構，滿足潮濕環(huán)境使用，不會對人身造成傷害，超低輻射。采用先進的電磁兼容設計，具有抗干擾能力強，噪音小等特點；● 獨有的超大容量四柱一體超純化柱組模塊，全身柱體采用食品級PP 材質，熱熔設備一次注塑成型，無任何粘接劑，無任何雜質析出。內裝原裝進口美國羅門哈斯電子級UP6150 型、半導體級UP6040型核級拋光樹脂，出水水質最高可達到18.25MΩ·cm。E1 系列純水/ 超純水機（自來水為水源）經(jīng)典永恒暢銷15 年 

已有樣品/n3D NAND 是革新性的半導體存儲技術，通過增加存儲疊層而非縮小器件二維尺寸實現(xiàn)存儲密度增長，從而拓寬了存儲技術的發(fā)展空間，但其結構的高度復雜性給工藝制造帶來全新的挑戰(zhàn)。經(jīng)過不懈努力，工藝團隊攻克了高深寬比刻蝕、高選擇比刻蝕、疊層薄膜沉積、存儲層形成、金屬柵形成以及雙曝光金屬線等關鍵技術難點，為實現(xiàn)多層堆疊結構的3D NAND 陣列打下堅實基礎。