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超高功率電弧爐冶煉工藝優化
目前國內由于電費、廢鋼昂貴，電爐一般需要添加鐵水才能保證其經濟性，添加鐵水量受到鐵水供應的影響，較難保證鐵水兌入比例的穩定性。采用全廢鋼冶煉時，各個鋼廠都有固定的供氧、供電、造渣制度，冶煉節奏穩定。但添加鐵水，尤其是鐵水兌入比例不穩定，導致冶煉工藝不容易掌握，電爐爐長對工藝的理解不夠，全憑經驗操作，冶煉指標受到極大影響。主要體現在：冶煉周期長、電耗高，石灰、氧氣、天然氣等輔料消耗高。以某廠 110t 超高功率電爐為例：在工藝優化前，電爐兌入鐵水比例在 40%
江蘇大學
2021-04-14
新型大功率能源裝置－超級電容
研究內容及用途： 超級電容器是一種大功率密度 （> 1 kW/kg ）的新型 能 量 存儲 裝 置 。 電 化 學 超 級 電 容 器 (Electrochemical Supercapacitor or Ultracapacitor) 通常由兩個電極組成，中間充有電解質，并由可允許離子導 電的隔膜分開。電極與電解質界面存在雙電層電容，當電極采用大表面， 多孔材料時，其電容值可達幾百法拉第每克 (> 10
南昌大學
2021-04-14
多頻遠程超聲功率驅動源
超聲電機、超聲清洗和超聲加工等領域，超聲功率驅動源是關鍵部件之一。本實驗室長期從事超聲電子研究，先后研制出多種超聲功率驅動電路，如多路輸入合成超聲驅動電源，頻率在20kHz-200kHz之間可產生任意波形，不需要變壓器耦合，適合科學研究；遠程頻率自動跟蹤超聲電機驅動控制器，可通過互聯網遠程控制和監測超聲電機輸出特性等。
上海交通大學
2021-04-13
50KW大功率并網逆變器
最大輸出功率: 55kW；額定交流輸出功率: 50kW；額定電網電壓: 三相三線，270/315Vac（±10%）；最大輸出交流電流: 118A；電網頻率范圍: 47-52Hz；電網電流諧波畸變率: <3%。
揚州大學
2021-04-14
供應激光功率計、能量計（全）
產品詳細介紹 激光系列產品 >> 激光能量計/功率計 >> Vector S310激光功率計表頭特點大尺寸液晶屏功率/能量測量模式統計模式高級EMI/RFI保護模式自動斷路器RS-232接口IEEE 488接口模擬輸出可選衰減修正液晶背景燈可選科學符號顯示支持LabView 產品名稱： Astral S系列激光功率計產品類別： 激光系列產品 → 激光能量計/功率計產品編號： 21113533716產品信息： 產品名稱： VECTOR 系列焦熱電激光功率計探頭產品類別： 激光系列產品 → 激光能量計/功率計產品編號： 2111324616產品信息： 產品名稱： Astral系列大孔徑激光功率計探頭產品類別： 激光系列產品 → 激光能量計/功率計產品編號： 21113211116產品信息： 產品名稱： Ultra系列超級激光功率計探頭產品類別： 激光系列產品 → 激光能量計/功率計產品編號： 2111316116產品信息： 產品名稱： Astral系列激光功率計光電二極管探頭產品類別： 激光系列產品 → 激光能量計/功率計產品編號： 21113141916產品信息： 產品名稱： Astral S系列光電二極管激光功率計產品類別： 激光系列產品 → 激光能量計/功率計產品編號： 21110394916產品信息： 產品名稱： VECTOR H410激光能量計/功率計表頭產品類別： 激光系列產品 → 激光能量計/功率計產品編號： 21110264716產品信息： 產品名稱： Vector S310激光功率計表頭產品類別： 激光系列產品 → 激光能量計/功率計產品編號： 21110143516產品信息：
長春博盛量子科技有限公司
2021-08-23
大功率CO2激光打標機
CO2激光打標機是融合先進的激光振鏡打標技術、進口射頻激勵封離型CO2激光器于一體，將激光束通過擴束、振鏡、聚焦，最后通過控制振鏡的偏轉實現標刻的高性能激光設備。
華特數字科技有限公司
2021-06-17
Si基GaN功率半導體及其集成技術
隨著便攜式電子設備的快速發展，將微型電子設備運用到可穿戴設備或者作為生物植入物的可行性越來越大。用柔性電子器件來替代傳統的硬質電子器件的重要性也愈加凸顯，如何解決柔性電子設備的儲能問題，是實現這些可能性的重要因素之一。 本成果設計并制備了一種新型柔性微型超級電容器，其具有制備工藝簡單，成本較低，適用于各種粉末狀電極材料等特點。
電子科技大學
2021-04-10
Si基GaN功率半導體及其集成技術
電子科技大學功率集成技術實驗室（Power Integrated Technology Lab.-PITEL）自2008年就已經開展Si基GaN(GaN-on-Si)功率器件的研究，是國內最早開展GaN-on-Si功率半導體技術研究的團隊。近年來在分立功率器件如功率整流器、增強型功率晶體管及其集成技術方面取得了突出的研究成果。2008年在被譽為“器件奧林匹克”的國際頂級會議IEDM上報道了GaN-on-Si開關模式Boost轉換器，國際上首次實現了GaN-on-Si單片集成增強型功率晶體管和功率整流器
電子科技大學
2021-04-10
大功率 LED 封裝及熱管理技術
成果的背景及主要用途： 對于大功率白光 LED(半導體發光二極管），由于其工作電流大和工作電壓高， 在其工作過程中會產生很多熱量，在現有的封裝技術下，不能提供足夠的散熱能 力來維持極限條件下的可靠運行，大功率 LED 連接成為瓶頸，而解決這一問題 的根本方法在于改善芯片級互連材料的散熱能力。 技術原理與工藝流程簡介： 采用納米銀焊膏的低溫燒結技術，利用其納米銀低熔點的性能，使燒結溫度 降低到 280℃，而燒結后銀連接具有高熔點（960℃）、高導電和高導熱性能，非 常適合高溫功率電子器件的長期可靠性運行。 以大功率 1W LED 芯片封裝為例，測試表明對于三種熱界面材料銀漿(silver epoxy)，錫銀銅焊膏(solder paste)，和鈉米銀焊膏（silver paste），由于鈉米銀焊 膏的高導熱性，在大電流下發光效率提高 7~10%，說明散熱效率提高，有效地 降低了結溫。目前課題組已完成 25W 的 LED 模塊封裝。 技術水平及專利與獲獎情況： 獲發明專利“以納米銀焊膏低溫燒結封裝連接大功率 LED 的方法”，發明專 利 ZL200610014157.5，授權日：2008.11.19。 應用前景分析及效益預測： 此項技術可以用于大功率 LED 芯片的封裝，具有廣闊的市場前景，進一步 可以推廣到大功率半導體激光器的封裝中。 應用領域：電子封裝 技術轉化條件： 本項目組在電子器件的熱管理方面也具有豐富的經驗，可進行電子封裝的熱 分析及熱管理設計。 合作方式及條件：根據具體情況面議 20 耐高溫、耐高濕電子封裝材料
天津大學
2021-04-11
高頻高功率密度GaN柵驅動電路
作為第三代半導體代表性器件.硅基GaN開關器件由于具有更小的FOM.能夠把開關頻率推到MHz應用范圍，突破了傳統電源功率密度和效率瓶頸(功率密度提高5-10倍).且具有成本優勢，滿足未來通信、計算電源、汽車電子等各方面需求,開展相關領域的研究對我國在下一代電力電子器件產業的全球競爭中實現彎道超車,具有重要意義。然而,器件物理特殊性需要定制化柵驅動電路和采用先進的環路控制策略，最大程度提高GaN開關應用的可靠性,發揮其高頻優勢。
電子科技大學
2021-04-10