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一、成果簡(jiǎn)介 目前，液態(tài)乳是我國(guó)乳制品市場(chǎng)的主要產(chǎn)品，奶粉次之，乳制品存在同質(zhì)化的問(wèn)題。其中，干酪僅僅占乳制品的0.2%，遠(yuǎn)遠(yuǎn)落后于乳品發(fā)達(dá)國(guó)家60%的市場(chǎng)比重。同時(shí)，我國(guó)市場(chǎng)的干酪品種主要為進(jìn)口天然干酪，因其價(jià)格偏高以及濃烈的發(fā)酵型風(fēng)味難以被消費(fèi)者所接受。因此，研究適合國(guó)人的干酪產(chǎn)品，勢(shì)必會(huì)推動(dòng)干酪產(chǎn) 業(yè)在中國(guó)的發(fā)展。相比天然干酪，再制干酪具有成本較低，風(fēng)味柔和等優(yōu)勢(shì)，是符合我國(guó)消費(fèi)者需求的

針對(duì)氯醇法生產(chǎn)環(huán)氧丙烷過(guò)程中產(chǎn)生大量的廢水、廢渣，環(huán)境污染嚴(yán)重。開(kāi)展了丙烯直接氧化制環(huán)氧丙烷研究，實(shí)現(xiàn)了催化劑由200ml到2L 、100L、2m 3 、10m 3 的工業(yè)化生產(chǎn)；不僅為千噸級(jí)中試裝置提供催化劑，而且還能滿足萬(wàn)噸級(jí)工業(yè)化生產(chǎn)的需要，1500噸/年環(huán)氧丙烷中試裝置初步開(kāi)工結(jié)果表明，雙氧水的轉(zhuǎn)化率在92%左右，環(huán)氧丙烷的選擇性可達(dá)到85%左右。 通過(guò)了天津市科技創(chuàng)新資金領(lǐng)導(dǎo)小組辦公室組織的“1500噸/年丙烯直接環(huán)氧化制環(huán)氧丙烷”的結(jié)題驗(yàn)收。正在進(jìn)行萬(wàn)噸級(jí)工業(yè)示范裝置的建設(shè)。

目前乙二醇（EG）主要生產(chǎn)路線是石油路線，即石油裂解得到乙烯，乙烯氧化制得環(huán)氧乙烷（EO），環(huán)氧乙烷水合制乙二醇。 我國(guó)是一個(gè)缺油貧氣，煤炭資源相對(duì)豐富的國(guó)家。目前國(guó)內(nèi)煤炭氣化技術(shù)已經(jīng)較成熟，煤氣化產(chǎn)生的合成氣可以經(jīng)草酸二甲酯加氫合成乙二醇，該工藝路線具有反應(yīng)條件溫和，設(shè)備壓力等級(jí)和材質(zhì)要求低，催化劑對(duì)環(huán)境污染小等優(yōu)點(diǎn)，具有較好的發(fā)展前景。在石油價(jià)格不斷上漲的形勢(shì)下，這一技術(shù)的開(kāi)發(fā)對(duì)我國(guó)的經(jīng)濟(jì)發(fā)展具有重要的戰(zhàn)略意義，其經(jīng)濟(jì)性也明顯優(yōu)于石油路線。 合成氣合成乙二醇新技術(shù)的工藝過(guò)程有三個(gè)反應(yīng)，分兩步進(jìn)行：首先一氧化碳與亞硝酸甲酯（MN）羰化偶聯(lián)合成草酸二甲酯（DMO），反應(yīng)生成的一氧化氮與氧氣和甲醇反應(yīng)生成亞硝酸甲酯，在反應(yīng)體系中循環(huán)；第一步反應(yīng)的產(chǎn)物草酸二甲酯再加氫制乙二醇（EG）。其中，亞硝酸甲酯羰化偶聯(lián)和草酸二甲酯加氫兩步反應(yīng)通過(guò)氣-固催化反應(yīng)完成。該技術(shù)反應(yīng)自封閉循環(huán)，生產(chǎn)過(guò)程消耗CO、H2（經(jīng)分離的合成氣），及氧氣，生成乙二醇產(chǎn)品和少量水，是原子經(jīng)濟(jì)性較高的綠色化工路線。 華東理工大學(xué)發(fā)揮化學(xué)工程專(zhuān)業(yè)優(yōu)勢(shì)，與上海浦景化工技術(shù)有限公司和安徽淮化集團(tuán)合作，完成了從催化劑到工業(yè)流程的工程開(kāi)發(fā)過(guò)程，年產(chǎn)1000噸/年的中試裝置一次開(kāi)車(chē)成功，各步反應(yīng)的轉(zhuǎn)化率和選擇性均大于設(shè)計(jì)值，產(chǎn)品乙二醇質(zhì)量指標(biāo)達(dá)到優(yōu)級(jí)品標(biāo)準(zhǔn)。目前在國(guó)內(nèi)處于領(lǐng)先地位。

產(chǎn)品詳細(xì)介紹CNC-100型仿型制樣機(jī)（啞鈴制樣機(jī)，拉伸樣條制樣）關(guān)鍵詞：仿型，制樣機(jī)，拉伸，彎曲CNC-100型仿形制樣機(jī)是一種先進(jìn)的微機(jī)控制的自動(dòng)銑割機(jī)械。儀器可快速制樣，按用戶要求的樣品尺寸快速切割實(shí)驗(yàn)室用測(cè)試試樣，使用者可在計(jì)算機(jī)界面實(shí)時(shí)觀察到切割過(guò)程。儀器內(nèi)置相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)樣品加工程序和軟件，可用于各種實(shí)驗(yàn)室根據(jù)執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)的拉伸，壓縮，彎曲及沖擊測(cè)試樣條的自動(dòng)加工設(shè)備。特別適應(yīng)于管材生產(chǎn)企業(yè)以及產(chǎn)品質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)所、建筑科學(xué)院等對(duì)塑料的功能，性能測(cè)試時(shí)的標(biāo)準(zhǔn)樣條的制取的專(zhuān)用和首選設(shè)備。一、符合標(biāo)準(zhǔn)：1、滿足GB-T 8804.2-2003 熱塑性塑料管材 拉伸性能測(cè)定2、符合 ISO 6259-3: 1997《 熱塑性塑料管材能測(cè)定第 3部分: 聚烯烴管材)3、滿足GB/T1043.1-2008塑料簡(jiǎn)支梁沖擊性能的測(cè)定 4、符合(PVC-HI)管材(ISO 6259-2:1997,IDT) 等國(guó)內(nèi)標(biāo)準(zhǔn)和國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)二、主要用途：1、適合用于制備聚乙烯（PE）的熱熔和電熔焊接試件試樣的制備2、 熱塑性塑料管材 拉伸性能測(cè)定3、硬聚氯乙烯(PVC-U)、氯化聚氯乙烯(PVC-C)和高抗沖聚氯乙烯(PVC-HI)管材的切割制樣4、塑料，有機(jī)玻璃，玻璃鋼，符合材料及各種非金屬的沖擊缺口樣條，拉伸實(shí)驗(yàn)啞鈴樣條，壓縮彎曲等標(biāo)準(zhǔn)樣條。5、非金屬（聚乙烯）管道焊接考試專(zhuān)用《C型拉伸制樣機(jī)》三、產(chǎn)品性能特點(diǎn)1、制樣精度高，速度快，超寬兼容性，切面光滑2、整機(jī)設(shè)計(jì)合理，結(jié)構(gòu)緊湊，采用全鑄鉛結(jié)構(gòu)，且床身經(jīng)過(guò)時(shí)效處理，消除殘余內(nèi)應(yīng)力，剛性強(qiáng)、精度高。3、使用AMT高精預(yù)緊直線導(dǎo)軌，使運(yùn)行更平穩(wěn)，高速無(wú)噪音。4、螺桿采用滾石雙螺母預(yù)緊滾珠絲桿，確保整機(jī)運(yùn)行精度。四、主要技術(shù)指標(biāo)1、操作方式：一鍵多裝，自動(dòng)制樣2、X/Y/Z運(yùn)動(dòng)定位精度：0.01/0.01/0.01mm3、X/Y/Z重復(fù)定位精度：0.008/0.08/0.01mm4、X/Y/Z有效行程：300×300×130mm5、工作臺(tái)尺寸：400×400mm6、工作臺(tái)最大承重：120Kg7、主軸轉(zhuǎn)速：0-24000rpm8、卡頭規(guī)格：ER169、快速移動(dòng)速度：10m/min10、最高進(jìn)給速度4m/min11、空間：4-50mm11、切面效果：光滑12、工作電壓：220V/50Hz制作好樣品

本發(fā)明公開(kāi)了一種用于多晶硅鑄錠爐的隔熱塊，設(shè)置在多晶硅鑄錠爐的坩堝底部外周，用于坩堝加熱或冷卻多晶硅過(guò)程中的隔熱保溫，該隔熱塊為中空方形筒體結(jié)構(gòu)，筒體筒壁為中空夾層結(jié)構(gòu)，其中內(nèi)壁用于包覆設(shè)置在坩堝底部的熱交換塊外周壁面，且該內(nèi)壁與所述熱交換塊外周壁面具有間隙，所述外壁用于與設(shè)置在坩堝外圍的豎直隔熱板固定接觸，所述坩堝中心線、熱交換塊中心線以及隔熱塊中心線重合，且所述隔熱塊頂部低于熱交換塊頂部。本發(fā)明還公開(kāi)了具有

鎂合金是作為一種輕質(zhì)金屬結(jié)構(gòu)材料，具有密度低、比強(qiáng)度和比剛度高、阻尼性能好、電磁屏蔽效果好、鑄造性能優(yōu)良和加工性能好的優(yōu)點(diǎn)，獲得了廣泛的應(yīng)用前景。在鎂合金產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用過(guò)程中，稀土往往作為制備過(guò)程中的優(yōu)化劑來(lái)改善合金的熔體純凈度、晶粒細(xì)化度及產(chǎn)品外觀質(zhì)量，同時(shí)可大幅度提升合金的強(qiáng)度與延伸率。但是目前普遍使用的稀土鎂合金強(qiáng)度低導(dǎo)熱性能差，限制了其大規(guī)模應(yīng)用。因此，開(kāi)發(fā)具有高導(dǎo)熱性、高強(qiáng)度的鎂合金對(duì)于擴(kuò)大鎂合金在 5G 通信、3C 器件及汽車(chē)產(chǎn)品等需要高散熱領(lǐng)域的應(yīng)用，具有極其重要的意義。 高導(dǎo)熱高強(qiáng)度鎂合金是在一定配比的 Mg-Zn-Zr 系列合金中添加 Nd 稀土金屬，Nd 的添加可以改善合金的熔體純凈度、晶粒細(xì)化度及產(chǎn)品外觀質(zhì)量，并有效析出基體中的 Zn和 Zr 原子，有效提升合金的導(dǎo)熱性能和力學(xué)強(qiáng)度。鎂合金的導(dǎo)熱性能可以通過(guò)導(dǎo)熱率來(lái)體現(xiàn)，力學(xué)性能可以通過(guò)抗拉強(qiáng)度，屈服強(qiáng)度體現(xiàn)。高的導(dǎo)熱性能可以保證合金在散熱器件領(lǐng)域的熱導(dǎo)性能指標(biāo)，使器件可以具有較快的熱量傳輸能力，使設(shè)備內(nèi)部熱量及時(shí)排出;高的力學(xué)強(qiáng)度可以保證合金作為結(jié)構(gòu)件的力學(xué)性能指標(biāo)，使其作為結(jié)構(gòu)件更為可靠。相較于傳統(tǒng)鎂合金，團(tuán)隊(duì)通過(guò)添加 Nd 稀土元素可以有效提升鎂合金的導(dǎo)熱性能和力學(xué)強(qiáng)度，Nd 一般分布于晶界，可以弱化鎂合金的織構(gòu)，提升鎂合金各晶粒之間的協(xié)調(diào)能力:而且 Nd 在鎂合金成型過(guò)程中可以與 Zn 原子結(jié)合形成熱穩(wěn)定的第二相，促進(jìn)動(dòng)態(tài)再結(jié)晶提升鎂合金的強(qiáng)度:此外，Nd 元素的添加會(huì)與基體中的 Zn 元素結(jié)合，減弱基體中的晶格畸變，提升鎂合金的熱導(dǎo)率。

首次使用炔烴作為卡賓前體完成了一例不對(duì)稱(chēng)Si-H鍵插入反應(yīng)，高效構(gòu)筑了一類(lèi)新型手性有機(jī)硅化合物。該反應(yīng)使用手性羧酸雙銠催化劑，首先促進(jìn)羰基-烯-炔底物發(fā)生分子內(nèi)環(huán)化現(xiàn)場(chǎng)生成雙芳基金屬卡賓，該金屬卡賓中間體進(jìn)而對(duì)硅烷的Si-H鍵發(fā)生高對(duì)映選擇性的插入反應(yīng)，給出相應(yīng)的手性有機(jī)硅化合物。該反應(yīng)的條件溫和，底物適用范圍廣，大部分產(chǎn)物的ee值都能達(dá)到90%以上。所得的手性烯丙基硅產(chǎn)物能夠進(jìn)一步轉(zhuǎn)化，例如發(fā)生烯丙基乙?；磻?yīng)，對(duì)映選擇性能夠得到很好的保持，因此在有機(jī)合成中具有一定的應(yīng)用潛力。動(dòng)力學(xué)實(shí)驗(yàn)表明，反應(yīng)對(duì)雙銠催化劑、硅烷展現(xiàn)出一級(jí)動(dòng)力學(xué)效應(yīng)，對(duì)底物則表現(xiàn)出零級(jí)動(dòng)力學(xué)特征，說(shuō)明銠卡賓對(duì)Si-H鍵的插入步驟是反應(yīng)的決速步，這與動(dòng)力學(xué)同位素實(shí)驗(yàn)的結(jié)果（KIE=1.5）相一致。本研究表明炔烴作為卡賓前體同樣可以發(fā)生高對(duì)映選擇性的Si-H鍵插入反應(yīng)，結(jié)合炔烴化學(xué)在從簡(jiǎn)單原料構(gòu)筑復(fù)雜產(chǎn)物上的優(yōu)勢(shì)，為結(jié)構(gòu)多樣性有機(jī)硅化合物的合成提供了新的方向。

傳統(tǒng)的CCD、CMOS硅基成像器件都不能響應(yīng)紫外波段的光信號(hào)，這是因?yàn)樽贤獠ǘ蔚墓獠ㄔ诙嗑Ч柚写┩干疃群苄。?lt;2nm）。但是近年來(lái)隨著紫外探測(cè)技術(shù)的日趨發(fā)展，人們?cè)絹?lái)越需要對(duì)紫外波段進(jìn)行更深的探測(cè)分析與認(rèn)識(shí)。紫外探測(cè)技術(shù)是繼激光探測(cè)技術(shù)和紅外探測(cè)技術(shù)之后發(fā)展起來(lái)的又一軍民兩用光電探測(cè)技術(shù)。幾十年來(lái)，紫外探測(cè)技術(shù)已經(jīng)逐漸應(yīng)用于光譜分析、軍事、空間天文、環(huán)境監(jiān)測(cè)、工業(yè)生產(chǎn)、醫(yī)用生物學(xué)等諸多領(lǐng)域，對(duì)現(xiàn)代科研、國(guó)防和人民生活都產(chǎn)生了深遠(yuǎn)的影響。特別是在先進(jìn)光譜儀器方面，國(guó)內(nèi)急迫需要響應(yīng)波段拓展到紫外的硅基成像器件。硅基成像器件如CCD、CMOS是應(yīng)用最廣泛的光電探測(cè)器件。當(dāng)前最先進(jìn)的光譜儀器大都采用了CCD或CMOS作為探測(cè)器件，這是因?yàn)镃CD、CMOS具有靈敏度強(qiáng)、噪聲低、成像質(zhì)量好等優(yōu)點(diǎn)。但由于紫外波段的光波在多晶硅中穿透深度很小（<2nm），CCD、CMOS等在紫外波段響應(yīng)都很弱。成像器件的這種紫外弱響應(yīng)限制了其在先進(jìn)光譜儀器及其他領(lǐng)域紫外波段探測(cè)的使用。 在技術(shù)發(fā)達(dá)國(guó)家,寬光譜響應(yīng)范圍、高分辨率、高靈敏度探測(cè)器CCD已經(jīng)廣泛應(yīng)用于高檔光譜儀器中。上世紀(jì)中葉美國(guó)Varian公司開(kāi)發(fā)的Varian700 ICP-AES所使用的寬光譜CCD檢測(cè)器分辨率達(dá)0.01nm,光波長(zhǎng)在600nm和300nm時(shí)QE分別達(dá)到了84%和50%；美國(guó)熱電公司開(kāi)發(fā)的CAP600 系列ICP所用探測(cè)器光譜響應(yīng)范圍更是達(dá)到165～1000nm，在200nm時(shí)的分辨率達(dá)到0.005nm.法國(guó)Johinyvon的全譜直讀ICP，其所用的CCD探測(cè)器像素分辨率達(dá)0.0035nm,紫外響應(yīng)拓展到120nm的遠(yuǎn)紫外波段。德國(guó)斯派克分析儀器公司的全譜直讀電感耦合等離子體發(fā)射光譜儀一維色散和22個(gè)CCD檢測(cè)器設(shè)計(jì)，其光譜響應(yīng)范圍為120－800nm。德國(guó)耶拿JENA 連續(xù)光源原子吸收光譜儀contrAA采用高分辨率的中階梯光柵和紫外高靈敏度的一維CCD探測(cè)器，分辨率達(dá)0.002nm,光譜響應(yīng)范圍為189—900 nm?？偠灾l(fā)達(dá)國(guó)家在寬光譜響應(yīng)和高分辨率高靈敏度探測(cè)器件的研制領(lǐng)域已取得相當(dāng)?shù)某删?。主要技術(shù)指標(biāo)和創(chuàng)新點(diǎn)（1）  我們?cè)趪?guó)內(nèi)首次提出紫外增強(qiáng)的硅基成像器件，并在不改變傳統(tǒng)硅基成像探測(cè)器件的結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上，利用鍍膜的方法增強(qiáng)成像探測(cè)器件CCD、CMOS的紫外響應(yīng)，使其光譜響應(yīng)范圍拓寬到190—1100nm，實(shí)現(xiàn)對(duì)190nm以上紫外光的探測(cè)。（2）  提高成像探測(cè)器的紫外波段靈敏度，達(dá)到0.1V/lex.s。（3）  增強(qiáng)成像探測(cè)器件的紫外響應(yīng)的同時(shí)，盡量不削弱探測(cè)器件對(duì)可見(jiàn)波段的響應(yīng)。（4）  選用適合的無(wú)機(jī)材料，克服有機(jī)材料使用壽命短的缺陷。 紫外探測(cè)技術(shù)已經(jīng)逐漸應(yīng)用于光譜分析、軍事、空間天文、環(huán)境監(jiān)測(cè)、工業(yè)生產(chǎn)、醫(yī)用生物學(xué)等諸多領(lǐng)域，對(duì)現(xiàn)代科研、國(guó)防和人民生活都產(chǎn)生了深遠(yuǎn)的影響。特別是在先進(jìn)光譜儀器方面，國(guó)內(nèi)急迫需要響應(yīng)波段拓展到紫外的硅基成像器件，該設(shè)計(jì)與傳統(tǒng)CCD、CMOS結(jié)合，能滿足寬光譜光譜儀器所需的紫外響應(yīng)探測(cè)器的需要。能提高光譜儀器光譜響應(yīng)范圍，在科學(xué)實(shí)驗(yàn)和物質(zhì)分析和檢測(cè)中具有很廣的市場(chǎng)前景。 該設(shè)計(jì)樣品能取代傳統(tǒng)CCD、CMOS，應(yīng)用于大型寬光譜光譜儀器上，作為光譜儀的探測(cè)器件。將傳統(tǒng)光譜儀器的光譜檢測(cè)范圍拓寬到190—1100nm. 實(shí)現(xiàn)紫外探測(cè)和紫外分析。具有較強(qiáng)的市場(chǎng)推廣應(yīng)用價(jià)值。

北京大學(xué)物理學(xué)院“極端光學(xué)創(chuàng)新研究團(tuán)隊(duì)”王劍威研究員和龔旗煌院士領(lǐng)導(dǎo)的課題組，與英國(guó)、丹麥、奧地利和澳大利亞的學(xué)者合作，實(shí)現(xiàn)了硅基集成光量子芯片上的多體量子糾纏和芯片-芯片間的量子隱形傳態(tài)功能，為芯片上光量子信息處理和計(jì)算模擬的應(yīng)用，奠定了堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。相關(guān)研究成果于近日發(fā)表在國(guó)際頂級(jí)物理期刊Nature Physics(https://www.nature.com/articles/s41567-019-0727-x)。 集成光量子芯片技術(shù)，結(jié)合了量子物理、量子信息和集成光子學(xué)等前沿學(xué)科，通過(guò)半導(dǎo)體微納加工制造高性能且大規(guī)模集成的光量子器件，實(shí)現(xiàn)對(duì)光量子信息的高效處理、計(jì)算和傳輸?shù)裙δ?。其中，利用硅基平面光波?dǎo)集成技術(shù)的光量子芯片具有諸多獨(dú)特優(yōu)勢(shì)，包括集成度高、穩(wěn)定性好、編程操控性?xún)?yōu)越和可單片集成核心光量子器件等，因此被認(rèn)為是一種實(shí)現(xiàn)光量子信息應(yīng)用的重要手段之一。 A. 硅基量子隱形傳態(tài)和多光子量子糾纏芯片的示意圖，左上角為集成量子光源的電子顯微鏡圖；B. 量子隱形傳態(tài)的量子線路圖；C. 量子糾纏互換的量子線路圖；D. GHZ糾纏制備的量子線路圖 北京大學(xué)研究團(tuán)隊(duì)與布里斯托爾大學(xué)、丹麥科技大學(xué)、奧地利科學(xué)院、赫瑞-瓦特大學(xué)和西澳大利亞大學(xué)科研人員密切合作，在硅基光量子芯片技術(shù)和應(yīng)用方面取得了突破性進(jìn)展。研究團(tuán)隊(duì)發(fā)展了一種基于微環(huán)諧振腔的高性能集成量子光源，通過(guò)硅波導(dǎo)的強(qiáng)四波混頻非線性效應(yīng)，實(shí)現(xiàn)了光子全同性?xún)?yōu)于90%、無(wú)需濾波后處理的50%觸發(fā)效率的單光子對(duì)源，達(dá)到了對(duì)4組微腔量子光源陣列的相干操控，片上雙光子量子糾纏源的保真度達(dá)到了92%。團(tuán)隊(duì)實(shí)現(xiàn)了關(guān)鍵的可編程片上雙比特量子糾纏門(mén)，可以按照功能需要切換貝爾投影測(cè)量和量子比特焊接操作，通過(guò)量子態(tài)層析實(shí)驗(yàn)確認(rèn)了高保真的雙比特糾纏操作。 研究團(tuán)隊(duì)在單一硅芯片上實(shí)現(xiàn)了高性能量子糾纏光源、可編程雙比特量子糾纏門(mén)，以及可編程單量子比特測(cè)量的全功能集成，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)了三種核心量子功能模塊——芯片上四光子真糾纏、量子糾纏互換、芯片-芯片間的高保真量子隱形傳態(tài)。通過(guò)對(duì)兩對(duì)糾纏光子對(duì)進(jìn)行量子比特焊接操作，團(tuán)隊(duì)實(shí)現(xiàn)并判定了四比特Greenberger-Horne-Zeilinger (GHZ) 真量子糾纏的存在；通過(guò)對(duì)兩對(duì)糾纏光子中各一個(gè)光子進(jìn)行貝爾投影操作，實(shí)現(xiàn)了量子糾纏互換功能，使來(lái)自不同光子源的光子間產(chǎn)生了量子糾纏；利用兩個(gè)芯片間的量子態(tài)傳輸和量子糾纏分布技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了兩個(gè)芯片間任意單量子比特的量子隱形傳態(tài)，達(dá)到了近90%的隱形傳態(tài)保真度。 團(tuán)隊(duì)研制的硅基多光子量子芯片尺寸僅占幾平方毫米，比傳統(tǒng)實(shí)現(xiàn)方法小了約5-6個(gè)數(shù)量級(jí)，不僅達(dá)到了器件的微型化，同時(shí)具備了單片全功能集成、器件編程可控、系統(tǒng)性能優(yōu)越等特點(diǎn)，其中量子隱形傳態(tài)保真度優(yōu)于已報(bào)道的其它物理實(shí)現(xiàn)方法。多體量子糾纏體系的片上制備與量子調(diào)控技術(shù)，為片上量子物理基礎(chǔ)研究和片上光量子信息處理傳輸、量子計(jì)算模擬的應(yīng)用提供了重要基礎(chǔ)。

本發(fā)明的首要目的是提供一種含硅含硼水性聚氨酯，本發(fā)明的另外一個(gè)目的是提供一種上述含硅含硼水性聚氨酯的制備方法，包括以下步驟：a、稱(chēng)取大分子二元醇與TDI混合，在N2保護(hù)下升溫至70～90°C，反應(yīng)1～3h，然后先加入DMPA反應(yīng)1～2h，再加入BDO反應(yīng)1～3h，降溫至60～70°C，接著滴加氨基封端的硅氧烷反應(yīng)0.5～1.5h，降溫至30～50°C，得硅氧烷封端的聚氨酯；b、將硅氧烷封端的聚氨酯置于1500～2000rpm的轉(zhuǎn)速條件下,先加入TEA進(jìn)行乳化、中和20～30min，再加入硼酸繼續(xù)乳化