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產品詳細介紹 DNA分子雜交技術，分子雜交爐、核酸分子雜交 一、用途特點：     此儀器是我廠與北京大學生物系、復旦大學遺傳所等科研單位參照國外最新產品聯合研制推出的國內首創產品。TC-4YY型多功能核酸分子雜交儀，本儀器的各項技術指標均達到國外同類產品水平。可替代進口雜交儀，本儀器采用獨特的滾動式反應架裝置，配套特制密封雜交管在水平軸上旋轉，使雜交管內壁上的雜交反應膜各處能均勻地雜交液反復地接觸，充分反應。可進行生物大分子DNA、RNA及蛋白質雜交反應。不僅比塑料袋或其它容器在水浴中進行分子雜交反應效果好，并且還能減少雜交液體積，提高雜交效率，而且也避免了加放射性同位素后封口或塑料袋破漏而造成同位素污染的危險。因此，本儀器廣泛應用于生物大分子的雜交反應或其它長時間振搖的化學、生化及免疫學反應，是開展分子生物學技術不可缺少的儀器。     本儀器采用先進的單片計算機進行控制，人機界面采用點陣式液晶顯示器（LCD），直觀顯示系統的運行狀況。溫度控制采用數字PID技術，輸出采用PWM方式，控制精度高，穩定性好，并設有超溫保護裝置。儀器采用獨特滾動式反應裝置，每次可夾6根特制玻璃封管在水平軸旋轉，旋轉速度為每分鐘0～16轉/可調。TC-4YY型分子雜交儀除具有TC-3YY型所有功能外，雜交箱內可放入直徑42mm長300mm雜交瓶。 托盤擺動速度每分鐘5～50次/可調。 二、技術指標： 1.電源電壓：AC220V±10％  50Hz  350W 2.使用環境：0℃～＋40℃，相對濕度：≤90%RH 3.溫控范圍：環境溫度＋5℃～100℃可調 4.溫度波動值：±1℃ 5.溫度顯示精度：0.1℃ 6.溫度均勻性：±0.03℃ 7.瓶架轉速：0～16轉/分可調 8.雜交管規格：Φ42×150mm或Φ42×200mm或Φ42×250mm或Φ42×300mm6只（任選） 9.搖臺擺動頻率：5～50次/分可調 10.工作室尺寸：330mm×270mm×310mm 儀器報價以公司網站為主 相關鏈接：http://www.tocan.cn/category.php?id=17    公司地址：上海市翔殷路165號B區211室 郵編：200433  聯系電話：021-51863860、13621641125         QQ：572980613 上海領成生物科技有限公司提供專業的產品、專業的售前、售中、售后服務，將使您的工作能夠收到事半功倍的效果。歡迎新老顧客來電咨詢，領成將為您提供最優質的服務！

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北京大學物理學院寬禁帶半導體研究中心沈波和楊學林課題組與俞大鵬、劉開輝課題組合作，成功實現了Si(100)襯底上單晶GaN薄膜的外延生長，相關工作于2019年7月23日在Advanced Functional Materials上在線刊登 [doi.org/10.1002/adfm.201905056]。 GaN基寬禁帶半導體具有帶隙大、擊穿電場高、飽和電子漂移速度大等優異，能夠滿足現代電子技術對高溫、高頻、高功率等性能的要求，對國家的高技術發展和國防建設具有重要意義。由于缺乏天然的GaN單晶襯底，GaN基半導體材料和器件主要在異質襯底上外延生長。因具有大尺寸、低成本及易于集成等優點，Si襯底上外延GaN成為近年來學術界和產業界高度關注的熱點領域。 目前用于GaN外延生長的Si襯底主要是Si(111)襯底，其表面原子結構為三重排列，可為六方結構的GaN外延提供六重對稱表面。然而，Si(100)襯底是Si集成電路技術的主流襯底，獲得Si(100)襯底上GaN外延薄膜對于實現GaN器件和Si器件的集成至關重要。但Si(100)表面原子為四重對稱，外延生長時無法有效匹配；同時Si(100)表面存在二聚重構體，導致GaN面內同時存在兩種不同取向的晶疇。迄今國際上還未能實現標準Si(100)襯底上單晶GaN薄膜的外延生長。圖 Si(100)襯底上單晶GaN薄膜的外延生長 沈波和楊學林課題組創造性地使用單晶石墨烯作為緩沖層，在Si(100)襯底上實現了單晶GaN薄膜的外延生長，并系統研究了石墨烯上GaN外延的成核機理和外延機制。該突破不僅為GaN器件與Si器件的集成奠定了科學基礎，而且對當前國際上關注的非晶襯底上氮化物半導體外延生長和GaN基柔性器件研制具有重要的指導價值。

主流硅基芯片CMOS（互補金屬氧化物半導體）技術正面臨短溝道效應等物理規律和制造成本的限制，需要開發基于新材料和新原理的晶體管技術來延續摩爾定律。高遷移率二維半導體因其超薄的平面結構和獨特的電子學性質，有望成為“后摩爾時代”高性能電子器件和數字集成電路的理想溝道材料，進一步縮小晶體管的尺寸和提高其性能。為滿足集成電路加工工藝和器件成品率對溝道材料的苛刻要求，二維半導體單晶薄膜的大面積制備尤為關鍵與重要。然而，現有二維半導體材料體系（過渡金屬硫族化合物、黑磷等）薄膜制備仍未滿足現實要求，因此亟需實現晶圓級二維半導體單晶薄膜制備技術的突破。 該研究瞄準二維半導體材料的晶圓級單晶制備，率先實現了同時具有高電子遷移率、合適帶隙、環境穩定的二維半導體（硒氧化鉍，Bi2O2Se)單晶晶圓的外延生長。他們基于自主設計搭建的雙溫區化學氣相沉積系統，在商用的鈣鈦礦單晶基底【SrTiO3，LaAlO3，或(La, Sr)(Al,Ta)O3】上，利用Bi2O2Se與鈣鈦礦完美的晶格匹配性及較強的界面相互作用，促使Bi2O2Se晶核同一取向外延并融合生成晶圓級單晶薄膜。Bi2O2Se單晶薄膜在晶圓尺寸上表現出優異的材料和電學均勻性，可被用于批量構筑高性能場效應晶體管。基于晶圓級二維Bi2O2Se單晶薄膜的標準頂柵型場效應晶體管展現了高的室溫表觀遷移率（>150 cm2/V s）、大的電流開關比（>105）和較高的開態電流（45μA/μm）。相關成果發表在Nano Letters (Wafer-Scale Growth of Single-Crystal 2D Semiconductor on Perovskite Oxides for High-Performance Transistors. Nano Lett. 2019, 19, 2148)。

1. 痛點問題 惡性腫瘤是威脅人類健康的主要疾病，已成為我國城鄉居民死亡的第一原因。根據世界衛生組織（WHO）統計，腫瘤治療采用手術、放療、化療三大手段進行綜合治療，對惡性腫瘤的治愈率（5年生存率）可達到45%，其中的40%（絕對值的18%）由放射治療貢獻。在最新統計數據中， 發達國家的治愈率已上升至55%，其中放射治療貢獻40%，對應絕對值的22%。隨著技術不斷發展，放射治療將在未來扮演更重要的作用。 我國放射治療裝備國產化率低，相關研究落后。早在1976年我國成功研制首臺國產醫用直線電子加速器，達到世界先進水平。但未能結合數字化和圖像診療等技術，我國廠商與國外先進水平迅速拉開差距，國產設備市占率從2000年初的50%迅速下降至不足10%。目前這種放療設備嚴重依賴進口的情況，造成一定的經濟負擔，也不利于國內放射治療物理師和相關工程技術人員的培養，客觀上限制了放射治療技術在我國的推廣與應用。因此從我國公共衛生事業的發展與戰略角度，亟需解決放療設備國產化問題。 醫用直線加速器利用高能X射線或電子線對腫瘤進行照射。束流模塊是醫用直線加速器中產生高能X射線或電子線的部分，是其中的關鍵核心部件，類似于汽車的發動機。衡量醫用加速器性能的重要指標“劑量率”主要由束流模塊決定，目前國際主流加速器的劑量率在1200MU/min左右。 束流模塊是目前制約國產醫用直線加速器性能提升的“卡脖子”技術，劑量率、穩定性和可靠性是其關鍵，也是國產設備和進口產品存在水平差距的主要因素。突破高性能束流模塊的關鍵技術，對于振興國產醫用加速器產業發展、實現高端醫療器械“自主可控”的國家戰略具有重要意義。 2. 解決方案 本項目通過對緊湊的優化屏蔽系統、高精度的機械對中系統、集成冷卻和高精度溫控系統、功率源及加速管匹配等核心技術的攻關，S波段高性能束流模塊實現劑量率1400MU/min，為國際同類產品的先進水平。可靠性方面，已開展可靠性測試，無故障時間大于1800小時，高壓無故障時間大于200小時，該指標可實現束流模塊在醫院較高負荷使用環境下一年內無故障。 合作需求 尋求醫用加速器相關企業開展業務合作。

XM-655B淺、深感覺傳導束模型 ? XM-655B淺、深感覺傳導束模型展示深淺感覺傳導束的起止行程和位置，脊髓丘腦前束和脊髓丘腦側束分別以綠色和紫色表示，三叉丘系以草綠色和深藍色表示，深感覺以淺藍色表示，神經核用彩色球表示，傳導束用鐵絲表示。 尺寸：放大，50×23×73cm 材質：鐵絲+塑料

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