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（專利號：ZL 201410168888.X） 簡介：本發明公開了一種基于耦合電感的兩相交錯并聯變換器的拓撲結構，屬于電力電子技術領域，它包括直流輸入源，兩個功率開關管，兩個帶有兩個繞組的耦合電感，三個單向整流二極管，一個輸出二極管，一個箝位電容，兩個中間儲能電容，一個輸出濾波電容。本發明具有較高的升壓能力，能夠實現更高升壓比的輸出，功率開關管和二極管的峰值電壓應力也有所降低，同時利用耦合電感的漏感實現功率開關管的零電流開通和二極管的關斷，這樣整個變換電路的轉換效率得到了提高，并采用兩相交錯并聯的控制方式降低輸入電流紋波。

開發了一款300W的可以與光伏板背板接線盒完全集成的光伏能量優化器，達到的效果：效率98%，可以追蹤光伏最大功率，可以適用于多種負載（逆變器、孤島負載、儲能負載等）。技術特點及創新點（1）功率密度大，可以和現有光伏電池板完全集成（2）快速追蹤光伏最大功率，無凈差（3）自動判別不同負載，針對負載情況快速切換運行狀態應用領域： 新能源   

在這種獨特的vdW p?g?n結中，互補帶隙的MoTe2和SnS2、石墨烯夾層、結內形成的垂直內置電場的組合為增強的寬帶光吸收、高效的激子分離和載流子轉移提供了無可比擬的優勢。研究發現，石墨烯夾層在增強探測率和拓寬光譜范圍方面起到關鍵作用(圖2e)。優化的器件(包含5?7層石墨烯夾層)在紫外?可見?近紅外光譜中顯示出超過2600 A/W的光響應度(圖2b)、快的光響應速度(圖2c)、高達1013 Jones的比探測率 (圖2d)。特別是在1550 nm短波紅外激發下，其比探測率也高達1.06×1011 Jones，可媲美商業的短波紅外探測器(譬如非??制冷的Ge-on-Si光電探測器)。 這些研究結果為寬帶的超高性能光電探測器提供了切實可行的思路，且本研究成果在目前寬光譜光電探測器件方面以及未來的柔性的光電子與智能傳感器件方面具有極大的應用潛力。

310mm×250mm×280mm，偏振片一對，不同部位用不同的層數，顯示不同的彩色。

一、產品簡介        光纖通信作為一門新興技術，它具有容量大、中繼距離長、保密性好、不受電磁干擾和節省銅材等優點。近年來發展速度快，已被廣泛應用到軍事通信、民用通信等各種領域，是世界新技術革命的重要標志和未來信息社會中各種信息的主要傳送工具。在光纖的使用過程中，光纖線路的耦合對于其中光功率的傳輸至關重要。其中存在著兩種主要的系統問題：1、如何從多種類型的發光光源將光功率耦合進一根特定的光纖；2、如何將光功率從一個光纖發射出來后經過特定的裝置耦合進另外一根光纖。光無源器件是光纖通信設備的重要組成部分。它是一種光學元器件，也是其它光纖應用領域不可缺少的元器件。該實驗儀重點介紹了常用的光無源器件的相關參數及測試方法。為此公司研制出本實驗系統，讓學生了解和認識光纖耦合的相關參數和特性、光無源器件的相關參數及測試方法等，通過實驗平臺的搭建，可以讓學生更深刻的了解，也能鍛煉學生校準光路等方面的動手能力，是學校金工實習（工程實習）與工程檢測的不二之選。 二、實驗內容 650nm激光器與光纖耦合實驗 1550nm光纖激光器與光纖耦合實驗 相同模式光纖之間耦合實驗 不同模式光纖之間耦合實驗 光源與顯微物鏡及準直器耦合特性對比實驗 光纖轉換器測試實驗 光纖變換器測試實驗 光纖耦合器測試實驗 光纖隔離器特性測試實驗 波分復用器和解復用器測試實驗 可調光纖衰減器測試實驗 光纖機械光開關特性測試實驗 光纖偏振控制器特性測試實驗 光纖偏振分束器（PBS）性能能參數測試實驗 不同種類光纖、光纜及光器件認知和操作實驗 熔接機原理及使用實訓操作實驗 剝纖、清潔、切纖及光纖接續實訓操作實驗 手動模式下，光纖熔接實訓實驗 自定義模式下，光纖熔接實訓實驗 光纖端面處理基本操作實驗 光纖耦合技術基本操作實驗 光纖耦合技術基本操作實驗 光功率耗損法對光纖熔接質量測試 三、實驗配置參數 1、光源：波長1310±20nm，1550±20nm；輸出功率：1-2.5mw，連續可調；輸出端口：FC/PC；穩定性＜0.5db（5h）；光源類型：LD光源； 2、光功率計：波長范圍800-1700nm；輸入接口：FC 校準波長：1550nm,1310nm； 3、偏振控制器：插入損耗＜0.05dB；消光比＞40dB；回波損耗＞65dB； 4、光纖機械光開關：插入損耗：1310/1550  P1→P2 0.56/0.54 dB ，P1→P3 0.53/0.47 dB ;回波損耗＞50dB ；開關速度：≦8ms ； 5、高隔離度光纖隔離器：最大插入損耗：0.35dB ；回波損耗：≧50dB ；隔離度：≧30dB ； 6、光纖耦合器：分光比：50% : 50% ；最大插入損耗1310/1550: 3.3dB ; 7、光纖波分復用器：隔離度：1310nm ：31.8% ；1550nm ：34%；插入損耗：1310nm ：0.30%；1550nm ：0.34% ； 8、光纖可調衰減器：0-30db可調； 9、軟件：配套儀器使用，數據采集處理； 10、光纖熔接機：適用光纖：SM (單模), MM (多模), DS (色散位移)光纖, NZDS (非零色散位移，即G.655光纖)，BIF/UBIF（G.657）； 光纖切割長度：8-16mm, 被覆光纖直徑250µm，16mm，被覆光纖直徑250µm-1000µm；平均接續損耗：0.02dB(SM)、0.01dB(MM)、0.04dB(DS)、0.04dB(NZDS)；顯示：高性能5.6英寸彩色LCD顯示屏，提供清晰的數字圖像顯示；電極壽命：2500次；鋰電池容量：典型熔接250次，充電時間3小時，可在充電時使用；電源：交流適配器輸入電壓100-240V  50／60Hz，輸出電壓：DC13.5V /5A，直流輸入電壓11.1v ( 內置鋰電池8800mAh )； 四、實驗目的  1、了解光纖連接器及其原理、種類，實驗操作進行連接器參數測量； 2、掌握光纖頭平端面的處理技術。 3、掌握光纖之間的耦合、調試技術，了解光纖橫向和縱向偏差對光纖耦合損耗的影響。 4、掌握光纖熔接的基本技術。 5、熟悉光纖型號及結構，掌握其裝配方法、使用環境及保護措施等；

本發明涉及提出一種無機鈣鈦礦光晶體管結構的紫外探測器。基底(1)為玻璃基底，在基底(1)上制備CsPbX3薄膜(2)作為有源層，在CsPbX3薄膜(2)表面制備同物質的CsPbX3量子點(5)摻雜的PMMA有機層(4)作為柵絕緣層，以此為紫外光感應窗口；薄膜晶體管的源極(3.1)、漏Au電極(3.2)分別位于CsPbX3薄膜(2)上的兩邊，FTO柵極(6)位于CsPbX3薄膜(2)的上的中間，在薄膜晶體管的源極(3.1)、漏Au電極(3.2)和FTO柵極(6)調制下，獲得光生載流子分離、轉換的電信號讀取、放大的集成功能，以實現高響應度的紫外信號探測。光晶體管探測器可采用如圖1所示的頂柵結構，也可以采用如圖2所示的底柵結構。以上兩種結構可制備在玻璃基板上，也可以制備在柔性基板上形成底柵或頂柵結構的柔性光晶體管紫外探測器。

通過分子設計在高分子光電探測器中實現活性層的垂直相分離控制，有效降低負偏壓下的暗電流從而提高光探測器的探測度。具體上，課題組基于具有優異光伏性能的苯并二噻吩（BDT）為主鏈構建單元，通過在側鏈引入共軛的3,4-乙撐二氧噻吩（EDOT）作為給體單元，與以噻吩并吡咯二酮TPD為受體單元共聚，合成了高分子PBT(EDOT)? 與噻吩側鏈的高分子PBT（TH）相比，PBT(EDOT)器件負偏壓下的暗電流密度降低了2個數量級以上，而其光伏性能沒有顯著下降（圖1）。并且，探測器在±2.0V時具有非常高的整流比，暗電流的比值達到106-107，說明該探測器具有非常優異的二極管特性。在-0.2 V時，PBT(EDOT)器件暗電流密度可以達到1.6 × 10-10 A cm-2。暗電流的降低，使PBT(EDOT)光探測器在光譜響應區內可以獲得1013 Jones以上的探測度。與之相對的是，基于PBT(TH)的探測器，其探測度始終在1.1 × 1012 Jones以下的水平（圖2a）。此外，由于暗電流的減小，PBT(EDOT)器件對于弱光的探測敏感性大大提高，可以探測到光強在1 pW cm-2以下的弱光（圖2b）。該項工作已申請PCT專利，課題組將進一步開發高分子光探測器在傳感、光通訊等方面的實際應用。

120mm×80mm×110mm，紅、綠、藍三色光源亮度可調，學生可分組探究光的三原色合成。