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東南大學(xué)化學(xué)化工學(xué)院青年教師陳旭漫博士在國際頂級(jí)期刊《Angewandte Chemie（德國應(yīng)用化學(xué)）》上發(fā)表題為“Efficient Near-Infrared Emissive Artificial Supramolecular Light-Harvesting System for Imaging in Golgi Apparatus”的學(xué)術(shù)論文。光捕獲過程作為將自然光進(jìn)行捕獲、能量轉(zhuǎn)化并利用的步驟，是植物光合作用中第一個(gè)也是十分重要的過程。構(gòu)筑人工光捕獲體系對(duì)于光能的利用具有重要意義，但目前構(gòu)筑具有高效人工光捕獲體系仍存在很大挑戰(zhàn)。東南大學(xué)研究團(tuán)隊(duì)利用“杯芳烴誘導(dǎo)聚集”策略，設(shè)計(jì)合成兩親磺化杯芳烴和陽離子型萘基吡啶衍生物作為熒光給體在水溶液中自組裝，并引入尼羅藍(lán)作為熒光受體分子，成功構(gòu)筑了近紅外發(fā)射的超分子人工光捕獲體系。

通過分子設(shè)計(jì)在高分子光電探測(cè)器中實(shí)現(xiàn)活性層的垂直相分離控制，有效降低負(fù)偏壓下的暗電流從而提高光探測(cè)器的探測(cè)度。具體上，課題組基于具有優(yōu)異光伏性能的苯并二噻吩（BDT）為主鏈構(gòu)建單元，通過在側(cè)鏈引入共軛的3,4-乙撐二氧噻吩（EDOT）作為給體單元，與以噻吩并吡咯二酮TPD為受體單元共聚，合成了高分子PBT(EDOT)? 與噻吩側(cè)鏈的高分子PBT（TH）相比，PBT(EDOT)器件負(fù)偏壓下的暗電流密度降低了2個(gè)數(shù)量級(jí)以上，而其光伏性能沒有顯著下降（圖1）。并且，探測(cè)器在±2.0V時(shí)具有非常高的整流比，暗電流的比值達(dá)到106-107，說明該探測(cè)器具有非常優(yōu)異的二極管特性。在-0.2 V時(shí)，PBT(EDOT)器件暗電流密度可以達(dá)到1.6 × 10-10 A cm-2。暗電流的降低，使PBT(EDOT)光探測(cè)器在光譜響應(yīng)區(qū)內(nèi)可以獲得1013 Jones以上的探測(cè)度。與之相對(duì)的是，基于PBT(TH)的探測(cè)器，其探測(cè)度始終在1.1 × 1012 Jones以下的水平（圖2a）。此外，由于暗電流的減小，PBT(EDOT)器件對(duì)于弱光的探測(cè)敏感性大大提高，可以探測(cè)到光強(qiáng)在1 pW cm-2以下的弱光（圖2b）。該項(xiàng)工作已申請(qǐng)PCT專利，課題組將進(jìn)一步開發(fā)高分子光探測(cè)器在傳感、光通訊等方面的實(shí)際應(yīng)用。

項(xiàng)目簡(jiǎn)介 本成果太陽能型獨(dú)立灌溉補(bǔ)光螺旋栽培立柱，由太陽能對(duì)微型水泵供電或圓筒形 LED 燈管供電，從而實(shí)現(xiàn)無電能消耗的螺旋栽培立柱獨(dú)立自動(dòng)灌溉與補(bǔ)光，整體結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單可 靠，便于拆裝，屬國際首創(chuàng)項(xiàng)目。該成果處于中試研究階段，并申請(qǐng)了專利，專利號(hào)： 201410000816.4。 性能指標(biāo) （1）整機(jī)尺寸：≤1.6m╳1m╳1m（升降臺(tái)折疊）。 （2）承載量：150kg；92 （3）升降高度：1m~3m； （4）行走速度：5kg/h

研究了二維鐵磁材料VI 3

本發(fā)明公開了一種偏振無關(guān)空間光調(diào)制方法和裝置，該方法利 用偏振分束、偏振旋轉(zhuǎn)、偏振相關(guān)空間光調(diào)制器件、偏振合束實(shí)現(xiàn)偏 振無關(guān)空間光調(diào)制。裝置包括偏振分束鏡，反射鏡、半波片和反射式 偏振相關(guān)空間光調(diào)制器件，其中偏振分束鏡、偏振相關(guān)空間光調(diào)制器 件和反射鏡構(gòu)成直角三角形回路或者多邊形回路，半波片位于回路中。 裝置還可以進(jìn)行多種改進(jìn)。本發(fā)明可以適用于多種空間光束，如軌道 角動(dòng)量光束、多路廣播的軌道角動(dòng)量光束、任意空間相位調(diào)

本項(xiàng)目主要開展納微結(jié)構(gòu)體系光子帶隙的設(shè)計(jì)、納微結(jié)構(gòu)體系的光學(xué)非線性效應(yīng)、光波傳播動(dòng)力學(xué)以及光控光操作應(yīng)用等方面的研究，發(fā)展在介觀尺度下調(diào)控光子傳輸行為的新效應(yīng)、新原理與新技術(shù)。已在Physical Review Letters、Optics Letters、Applied Physics Letters和Optics Express等國內(nèi)外重要學(xué)術(shù)刊物上發(fā)表論文30余篇。其中有關(guān)鐵鋯雙摻鈮酸鋰晶體的相關(guān)成果被《Science Archived》收錄，有關(guān)非傳統(tǒng)偏壓配置條件下各種非線性光子學(xué)晶格的制備

本實(shí)用新型公開了一種分布式光感卡盤安全扳手，包括從上至下依次固定相連的手柄、上扳手體和 下扳手體，所述手柄上設(shè)有至少一個(gè)光感傳感器，所述下扳手體底部設(shè)有方形軸，所述下扳手體內(nèi)部設(shè) 有電源、控制器和蜂鳴器，所述方形軸內(nèi)底部設(shè)有光感傳感器，所述手柄上和方形軸內(nèi)光感傳感器的信 號(hào)均接入控制器，通過控制器接收信號(hào)判斷卡盤安全扳手所處狀態(tài)，來控制蜂鳴器是否報(bào)警。本實(shí)用新 型原理簡(jiǎn)單，使用、維護(hù)方便，可有效的

光掩膜版(又稱光罩，掩膜版，英文 Photo-mask )是芯片制作中實(shí)現(xiàn)設(shè)計(jì)圖形轉(zhuǎn)移的載體，是決定其微細(xì)結(jié)構(gòu)和線寬精度的核心材料和工具。 目前中國半導(dǎo)體掩膜版的國產(chǎn)化率10%左右，90%需要進(jìn)口，高端掩膜版國產(chǎn)化率3%，miniLED和microLED產(chǎn)業(yè)升級(jí)也需要更多高端掩膜版。隨著中國市場(chǎng)需求的持續(xù)提升，掩膜版產(chǎn)能嚴(yán)重不足。并且中國半導(dǎo)體掩膜版的產(chǎn)業(yè)起步較晚，技術(shù)滯后，核心技術(shù)和裝備基本讓國外公司壟斷，特別是在設(shè)備、材料領(lǐng)域眾多技術(shù)處于“卡脖子”狀態(tài)，例如掩膜版制造的核心裝備光刻機(jī)、檢測(cè)機(jī)、測(cè)量機(jī)、修復(fù)機(jī)和貼膜機(jī)等都依賴進(jìn)口，嚴(yán)重制約中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。華中科技大學(xué)徐智謀教授團(tuán)隊(duì)致力于全套高端半導(dǎo)體光掩膜版的關(guān)鍵核心技術(shù)研發(fā)與量產(chǎn)，為“卡脖子”技術(shù)研究而努力。 具有建立180 nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)半導(dǎo)體掩膜版量產(chǎn)線相關(guān)核心技術(shù)；具備130 nm至28 nm半導(dǎo)體掩膜版研發(fā)、設(shè)計(jì)及驗(yàn)證能力。主要研究成果如下： 1） 工藝突破 團(tuán)隊(duì)掌握了掩膜版MEMS微納加工量產(chǎn)核心技術(shù)，如電子束光刻、激光光刻和納米壓印光刻等MEMS微納加工工藝的各類技術(shù)參數(shù)的搭配和優(yōu)化，以及大數(shù)據(jù)量軟件快速處理、補(bǔ)償?shù)取? 2） 裝備國產(chǎn)化 A. 超高精度二維測(cè)量裝備 尺寸測(cè)量是驗(yàn)證掩膜版技術(shù)指標(biāo)的核心，主要包括關(guān)鍵尺寸測(cè)量(CD)和長尺寸測(cè)量(TP)。團(tuán)隊(duì)已掌握掩膜版的關(guān)鍵測(cè)量技術(shù)，達(dá)到國內(nèi)先進(jìn)水平，具有整套設(shè)備的整機(jī)制造能力。 TP測(cè)量是掩膜版制作的核心指標(biāo)，直接影響到客戶的套合精度，該測(cè)量設(shè)備一直由國外極少數(shù)廠商壟斷，且價(jià)格昂貴，一般在1000萬美元以上，高端限制對(duì)中國出口。團(tuán)隊(duì)目前正在攻克該項(xiàng)技術(shù)，已取得階段性成果。 B. 缺陷修復(fù)裝備 掩膜版修補(bǔ)技術(shù)是提升良品率的關(guān)鍵手段，該技術(shù)一直為國外壟斷。團(tuán)隊(duì)已熟練掌握UV、DUV激光化學(xué)沉積技術(shù)及皮秒飛秒激光金屬處理技術(shù)，具備整機(jī)制造能力，可降低設(shè)備采購成本70%以上。 C. Pellicle自動(dòng)貼膜裝備 隨著產(chǎn)品精度的提升和應(yīng)用領(lǐng)域的高端化，掩膜版貼膜是個(gè)不可缺少的重要環(huán)節(jié)。在IC制造領(lǐng)域100%掩膜版需貼Pellicle，在IC封裝領(lǐng)域90%以上需貼膜，在LED領(lǐng)域80%以上需貼膜。該貼膜設(shè)備一直國外公司壟斷，國內(nèi)廠家沒有提供，國外采購全自動(dòng)貼膜設(shè)備需100萬美元左右。團(tuán)隊(duì)具備研發(fā)制造該設(shè)備的能力，貼膜精度±0.1mm,且有設(shè)備正式在產(chǎn)線運(yùn)營，制造成本可節(jié)約90%以上。 3） 廠房建設(shè)關(guān)鍵技術(shù) 團(tuán)隊(duì)對(duì)MEMS及其掩膜工廠工藝設(shè)備廠務(wù)設(shè)計(jì)有豐富經(jīng)驗(yàn)，掌握高等級(jí)防微震廠房結(jié)構(gòu)和設(shè)備平臺(tái)的設(shè)計(jì)施工，可達(dá)到VC-D級(jí)技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)，滿足納米級(jí)生產(chǎn)技術(shù)要求。 【技術(shù)優(yōu)勢(shì)】 （1）掌握了高性價(jià)比掩膜版量產(chǎn)的關(guān)鍵核心技術(shù)，包括部分裝備的國產(chǎn)化，解決“卡脖子”技術(shù)難題，量產(chǎn)線建設(shè)成本節(jié)約30%以上； （2）具備28 nm及以下技術(shù)節(jié)點(diǎn)掩膜版設(shè)計(jì)開發(fā)能力和驗(yàn)證平臺(tái)，驗(yàn)證周期可縮短3倍； （3）擁有一支20多年以上掩膜版量產(chǎn)、研發(fā)和銷售經(jīng)驗(yàn)的隊(duì)伍，成熟的企業(yè)管理經(jīng)驗(yàn)，保證企業(yè)穩(wěn)步成長，確保投資風(fēng)險(xiǎn)可控。 【合作方式】 股權(quán)投資合作共建或政府孵化+中試線。

本發(fā)明公開了一種混合集成電控液晶光開關(guān)陣列，包括：被混合集成的電控液晶聚光微透鏡陣列和電控液晶散光微透鏡陣列，每單元液晶聚光微透鏡與每單元液晶散光微透鏡的光軸重合；在加電態(tài)下，聚光微透鏡在不同均方幅度的電驅(qū)控信號(hào)作用下實(shí)施光束的可調(diào)焦聚光操作，散光微透鏡在不同均方幅度的電驅(qū)控信號(hào)作用下實(shí)施光束的可控發(fā)散程度散光操作；在斷電態(tài)下，液晶聚光微透鏡與散光微透鏡被轉(zhuǎn)換為僅延遲光波相位的液晶相移板；液晶聚光微透鏡與散光微透

 本項(xiàng)目針對(duì)光伏發(fā)電分散式接入電網(wǎng)的模式，設(shè)計(jì)了對(duì)電網(wǎng)友好可控的帶儲(chǔ)能裝置的多端口變換器光儲(chǔ)一體能源系統(tǒng)。應(yīng)用環(huán)境有公共建筑、工業(yè)廠房和居民家庭等有公共電網(wǎng)的地方，或者無公共電網(wǎng)但有電力需求的地方如偏遠(yuǎn)山區(qū)、海島等，該光儲(chǔ)能源系統(tǒng)能夠經(jīng)過自我調(diào)節(jié)和控制與大電網(wǎng)互為支撐，向重要負(fù)載不間斷供電等功能。 本項(xiàng)目成功開發(fā)50Kw光儲(chǔ)一體能源系統(tǒng)，系統(tǒng)含有光伏端口、電池端口和交流端口，光伏組件通過Boost變換器接入直流母線；蓄電池通過雙向DC/DC變換器也接在直流母線上；變換器的交流端口可以接電網(wǎng)，也能為三相負(fù)載供電，逆變器采用三相四線制結(jié)構(gòu)，直流母線分裂電容的電壓均衡由均壓橋臂（S11，S12）平衡。本系統(tǒng)有三大特征：采用雙路光伏MPPT輸入，使安裝在不同方向的光伏陣列最大限度獲取太陽能；能量采用直流母線匯聚形式，降低了系統(tǒng)損耗和效率；負(fù)載接口分為重要負(fù)載和可控負(fù)載接口，確保系統(tǒng)維持對(duì)重要負(fù)載的供電，實(shí)現(xiàn)能量的平衡自治。 項(xiàng)目具有重大的科研價(jià)值，項(xiàng)目成功實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品轉(zhuǎn)化，將應(yīng)用于海南某小區(qū)幾個(gè)單元的供電系統(tǒng)，實(shí)現(xiàn)能量自給自足、余電上網(wǎng)模式，開啟綠色環(huán)保、低碳節(jié)能的新用電方式。