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摻鐵硒化鋅可飽和吸收鏡及其構成的鎖模光纖激光器
本實用新型公開了一種摻鐵硒化鋅可飽和吸收鏡及其構成的鎖模光纖激光器，該摻鐵硒化鋅可飽和吸收鏡包括基底、鍍在所述基底上的高反射膜以及鍍在所述高反射膜上的摻鐵硒化鋅薄膜，由于該摻鐵硒化鋅可飽和吸收鏡以摻鐵硒化鋅薄膜為可飽和吸收體，同時摻鐵硒化鋅薄膜本身具有較高的損傷閾值，能夠用于高功率激光器的研制，彌補了本領域缺少高損傷閾值可飽和吸收鏡或可飽和吸收體的空缺；基于上述摻鐵硒化鋅可飽和吸收鏡構成的鎖模光纖激光器，利用雙包層增益光纖獲得激光，并通過摻鐵硒化鋅可飽和吸收鏡對激光進行調制實現鎖模，獲得超短脈沖激光。
四川大學
2017-12-28
一種基于超聲波振動式結晶器的不銹鋼生產方法
（專利號：ZL 201410284167.5） 簡介：本發明公開了一種基于超聲波振動式結晶器的不銹鋼生產方法，屬于鋼鐵冶金技術領域。本發明的步驟為：步驟一、高爐煉鐵；步驟二、轉爐冶煉并進行精煉；步驟三、超聲波連鑄，經過步驟二精煉之后的鋼水在連鑄過程中采用水平連鑄結晶器，在水平連鑄結晶器上產生超聲波振動。本發明中無需依靠結晶器的機械振動，而僅僅依靠超聲波振動力使初生坯殼與結晶器內壁自動“脫模”，從而消除或減少不銹鋼鑄坯表面缺陷的產生；結晶器
安徽工業大學
2021-01-12
基于酞菁納米線具有紅外響應的有機憶阻器及陽離子調節特性
憶阻器，全稱記憶電阻器(Memristor)。惠普公司的研究人員首次做出納米憶阻器件，掀起憶阻研究熱潮。納米憶阻器件的出現，有望實現非易失性隨機存儲器。并且，基于憶阻的隨機存儲器的集成度、功耗、讀寫速度都要比傳統的隨機存儲器優越。此外，憶阻是硬件實現人工神經網絡突觸的最好方式。由于憶阻的非線性性質，可以產生混沌電路，從而在保密通信中也有很多應用。目前，有機憶阻器普遍具有穩定性差、工作機理模糊不清、紅外響應差的不足。所以，研究人員希望能夠開發出具有高穩定性且紅外響應好的有機憶阻器。
南方科技大學
2021-04-13
基于運算放大器的阻性傳感器陣列讀出電路及其讀出方法
本發明公開了一種基于運算放大器的阻性傳感器陣列讀出電路，所述阻性傳感器陣列為共用行線和列線的阻性傳感器陣列；該讀出電路包括：標準電阻行，其包括一行N個標準電阻，增設于所述阻性傳感器陣列中，從而得到一個新的共用行線和列線的（M+1）×N電阻陣列；（M+1）個運算放大器，與電阻陣列的（M+1）條行線一一對應，每個運算放大器的反相輸入端、輸出端連接于一點后與其所對應行線連接；控制器，其具有至少(M+1)個IO端口以及至少N個ADC采樣端口，其中的(M+1)個IO端口與所述（M+1）個運算放大器的同相輸入端
東南大學
2021-04-14
基于人工表面等離激元的微波渦旋波發生器及其實現方法
本發明公開一種基于人工表面等離激元的微波渦旋波發生器。該結構工作在微波頻段，由雙層人工表面等離激元波導實現對于電磁波的傳輸，上層波導和下層波導之間的連接通過一個金屬過孔實現。該微波渦旋波發生器的輻射部分主要由一系列放置在人工表面等離激元波導旁邊的圓形貼片實現，同時這些圓形貼片作為諧振器也提供了產生不同的渦旋波所需的相位。這種微波渦旋波發生器可以在不同頻率處實現具有不同軌道角動量模式的渦旋波，而不需要在結構上做出任何改變。
東南大學
2021-04-14
紅外二氧化碳傳感器C20E（教育行業專用）
產品詳細介紹 紅外二氧化碳傳感器C20E（教育行業專用） C20E二氧化碳傳感器專為教育應用而設計。在0-40℃溫度范圍內有補償。 C20E通過四線連接就可以工作了：+5V、0V、串行輸入、串行輸出。 產品主要參數： 1) 檢測范圍：5% 2) 溫度范圍：0-40℃ 3) 供電電壓：5V 4) 零點誤差：20ppm 5) 預熱時間：120S
深圳市新世聯科技有限公司
2021-08-23
海利普變頻器HLP-A海利普OP-AB01面板OP-AB02
產品詳細介紹
海利普變頻器HLP-A海利普OP-AB01面板OP-AB02
HLPA00D423B,HLPA0D7523B,HLPA01D543C,HLPA02D243CHLPA03D743B,HLPA05D543B,HLPA07D543B,HLPA001143B,HLPA001543B,HLPA18D543B,HLPA002243B
HLP-A高性能通用型:HOLIP變頻器
?功率范圍：0.4KW~22KW（單、三相220V）；
0.75KW~450KW(三相380V)；
型號功率 型號功率HLPA00D423B220V/0.4KWHLPA001143B380V/11KWHLPA0D7523B220V/0.75KWHLPA001543B380V/15KWHLPA01D523B220V/1.5KWHLPA18D543B380V/18.5KWHLPA02D223B220V/2.2KWHLPA002243B380V/22KWHLPA03D723B220V/3.7KWHLPA003043B380V/30KW HLPA003743B380V/37KWHLPA0D7543B380V/0.75KWHLPA004543B380V/45KWHLPA01D543B380V/1.5KWHLPA005543B380V/55KWHLPA02D243B380V/2.2KWHLPA007543B380V/75KWHLPA03D743B380V/3.7KWHLPA009043B380V/90KWHLPA05D543B380V/5.5KWHLPA011043B380V/110KWHLPA07D543B380V/7.5KWHLPA013243B380V/132KWHLP
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東莞市榮達機電設備有限公司
2021-08-23
BC型裸片硅二極管溫度計低溫溫度傳感器
DT640系列硅二極管溫度傳感器選用了專門適用于低溫溫度測量的硅二極管。相比普通硅二極管，具有重復性好、離散性小、精度更高溫度范圍更寬、低溫下電壓相對高而易于測量等特點。所有此款溫度計都較好地遵循一個電壓-溫度（V-T）曲線，因而具有更好的可互換性。很多應用中都不需要單獨的標定。
DT640-BC型裸片溫度計，相比市場上的其它溫度計，具有尺寸更小、熱容更小、響應時間更短的特點。在尺寸、熱容以及響應時間有特殊要求的應用中具有獨特的優勢。
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特點：
※ 激勵電流小，因而具有很小的自熱效應；
※ 符合標準曲線，具有良好的互換性；
※ 多種封裝，不易損壞、耐溫度沖擊、易于安裝；
※ 在寬溫度范圍1.4K-500K內，可提供較好的測量精度；
※ 遵循DT-640標準溫度響應曲線；
※ 多種可選封裝方式。
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參數：
※ 溫度范圍：3K~500K；
※ 標準曲線：DT640
※ 推薦激勵電流：10µA±0.1%；
※ 可重復性：[email protected]，16mK@77K，75mK@273K。
※ 反向電壓高達：75V；
※ 損壞前電流高達：長時間200mA 或瞬間1A；
※ 推薦激勵下的功率耗散：20µ[email protected]; 10µW@77K; 6µW@300K；
※ BC封裝響應時間：[email protected], 100ms@77K, 200ms@305K；
※ 輻射影響：只推薦在低輻射場合下使用；
※ 磁場影響：不推薦在磁場環境下使用。
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北京錦正茂科技有限公司
2022-02-26
10K閉循環低溫恒溫器低溫真空實驗低溫制冷儀器設備
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北京錦正茂科技有限公司
2022-02-09
1435C/D/E/F/H/L信號發生器9KHz~400GHz
上海啟莫科技有限公司
2022-03-17