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《自然·通訊》報道西安電子科技大學郝躍院士團隊研制出國際最高功率優(yōu)值13.2 GW/cm2氧化鎵
二
極管并首次在氧化鎵中實現(xiàn)空穴超注入效應
近期，西安電子科技大學郝躍院士團隊張進成教授、周弘教授等在超寬禁帶半導體氧化鎵功率器件研究方面取得重要進展，研制出一種新型的空穴超注入p-NiO/n-Ga2O3半導體異質(zhì)結(jié)二極管。
西安電子科技大學
2022-08-30
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