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隨著世界養(yǎng)豬業(yè)的發(fā)展，規(guī)?；曫B(yǎng)技術(shù)的應(yīng)用和飼養(yǎng)高度密 集，以及突發(fā)腹瀉因素存在，使得豬腹瀉病日趨流行，危害日漸嚴(yán)重。豬傳染 性胃腸炎與流行性腹瀉在養(yǎng)豬場引起豬腹瀉病的報(bào)道屢見不鮮，特別是規(guī)模化 豬場在受到藍(lán)耳病、圓環(huán)病等感染之后免疫功能下降時，豬腹瀉類病伺機(jī)暴發(fā)， 導(dǎo)致較嚴(yán)重的經(jīng)濟(jì)損失。本成果是利用自主分離鑒定豬傳染性胃腸炎與流行性 腹瀉病毒，通過基因工程的方法，在乳酸菌中進(jìn)行表達(dá)，通過優(yōu)化培養(yǎng)工藝， 提高乳酸菌的培養(yǎng)密度，混合研制的多價口服疫苗，用于該類疾病的免疫預(yù)防。 該產(chǎn)品的開發(fā)為該病的防控起到重要作用，具有重要的應(yīng)用價值和經(jīng)濟(jì)效益。 

一種溶酶體定位熒光探針硒代嗎啉?氟硼二吡咯及其制備方法和應(yīng)用。本發(fā)明提供一種熒光分子Se?BODIPY，該熒光分子Se?BODIPY包含氟硼二吡咯熒光團(tuán)和硒代嗎啉溶酶體定位基。本發(fā)明還提供了該熒光分子Se?BODIPY的制備方法和應(yīng)用。該熒光分子可以作為溶酶體定位熒光探針。本發(fā)明的溶酶體定位熒光探針是由8?氯甲基?1,3,5,7?四甲基?氟硼二吡咯和硒代嗎啉反應(yīng)制得的熒光分子，通過過氧化氫誘導(dǎo)的硒代嗎啉氧化反應(yīng)，由光誘導(dǎo)電子轉(zhuǎn)移機(jī)制靈敏調(diào)控探針分子的熒光發(fā)射性能，其靈敏度高、選擇性強(qiáng)、生物相容性好，能快速進(jìn)入溶酶體，可作為性能優(yōu)異的溶酶體定位熒光探針，在熒光成像、生物熒光分析、熒光標(biāo)記、內(nèi)源性或外源性過氧化氫檢測及凋亡細(xì)胞黏度檢測方面具有重要應(yīng)用。

通過超高真空分子束外延技術(shù)，在SrTiO3襯底上成功制備出宏觀尺度的單原胞層（厚度小于1納米）高溫超導(dǎo)體FeSe與FeTe0.5Se0.5單晶薄膜，其超導(dǎo)轉(zhuǎn)變溫度大約在60 K左右，并通過原位掃描隧道顯微鏡和隧道譜技術(shù)對其中的超導(dǎo)配對機(jī)制進(jìn)行了深入研究。?? 原位掃描隧道顯微鏡觀測表明沉積的Fe原子處于薄膜上層的Te/Se原子間隙處。由于沉積密度極低，F(xiàn)e原子以孤立吸附原子形式存在，且吸附位附近無近鄰Fe原子團(tuán)簇。系統(tǒng)的原位超高真空（~10-10 mbar）掃描隧道譜實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)，對特定的吸附原子/單層FeSe（FeTe0.5Se0.5）耦合強(qiáng)度[數(shù)量占比約13% (15%)]，F(xiàn)e吸附原子上可觀測到尖銳的零能電導(dǎo)峰（圖1）。該電導(dǎo)峰緊密分布在吸附原子附近，衰減長度~3 A，且遠(yuǎn)離吸附原子時不劈裂。變溫實(shí)驗(yàn)表明，零能電導(dǎo)峰在遠(yuǎn)低于超導(dǎo)轉(zhuǎn)變溫度時即消失，可初步排除Kondo效應(yīng)、常規(guī)雜質(zhì)散射態(tài)等解釋（圖2A和圖2B）。進(jìn)一步的控制實(shí)驗(yàn)和分析顯示，零能電導(dǎo)峰半高寬嚴(yán)格由溫度和儀器展寬限制、在近鄰雙Fe原子情形不劈裂、服從馬約拉納標(biāo)度方程，這些結(jié)果均與馬約拉納零能模的唯象學(xué)特征吻合（圖2C-圖2G）。對沉積于單層FeSe薄膜與FeTe0.5Se0.5薄膜上的Fe吸附原子，結(jié)果基本相同。相比于單層FeSe，統(tǒng)計(jì)結(jié)果表明單層FeTe0.5Se0.5上Fe吸附原子中觀測到零能束縛態(tài)的幾率更高且信號更強(qiáng)。波士頓學(xué)院汪自強(qiáng)教授和合作者曾在理論上提出，無外加磁場時，強(qiáng)自旋-軌道耦合s波超導(dǎo)體間隙磁雜質(zhì)可產(chǎn)生量子反常磁通渦旋。理論上如果單層FeSe和FeTe0.5Se0.5由于空間反演對稱破缺而具有較強(qiáng)的Rashba自旋-軌道耦合, Fe原子的磁矩局域破壞時間反演對稱，可以使量子反常渦旋“承載”馬約拉納零能模。對單層FeSe和FeTe0.5Se0.5有些理論也預(yù)測存在拓?fù)浞瞧接瓜唷Ｔ诙S拓?fù)涑瑢?dǎo)體中，馬約拉納零能模也會產(chǎn)生于Fe原子誘導(dǎo)的量子反常渦旋中的束縛態(tài)。因此，實(shí)驗(yàn)中觀測到的零能電導(dǎo)峰可歸因于Fe吸附原子引起的局域量子反常渦旋。更深入、具體的理解還有待于進(jìn)一步的實(shí)驗(yàn)和理論探索。這一工作將探索馬約拉納零能模的超導(dǎo)材料從三維拓展到二維、從低溫超導(dǎo)拓展到超過40 K超導(dǎo)轉(zhuǎn)變溫度的高溫超導(dǎo)體系，同時無需外加磁場，觀測到的零能束縛態(tài)原則上可操縱、“存活”溫度明顯提升。這些優(yōu)勢為未來實(shí)現(xiàn)可應(yīng)用的拓?fù)淞孔颖忍靥峁┝丝赡艿姆桨浮?

本發(fā)明公開了一種具有共振隧穿結(jié)構(gòu)電子阻擋層的發(fā)光二極管，包括：由下而上依次設(shè)置的襯底、ｎ型氮化物層、多量子阱層、電子阻擋層、ｐ型氮化物層、ｐ型氮化物歐姆接觸層，所述ｎ型氮化物層上設(shè)置的ｎ型電極和所述ｐ型氮化物層上設(shè)置的ｐ型電極；其中電子阻擋層由由下而上依次設(shè)置的ｐ型摻雜氮化物勢壘層，非摻雜氮化物勢阱層、利用共振隧穿效應(yīng)增大空穴透過率的非摻雜勢壘層聯(lián)合

本發(fā)明公開了一種具有雙摻雜多量子阱結(jié)構(gòu)的紫外發(fā)光二極管，包括：由下至上依次設(shè)置的襯底，AlN中間層、非摻雜AlGaN緩沖層、n型AlGaN層、雙摻雜的AlxGa1?xN/AlyGa1?yN多量子阱有源區(qū)、AlzGa1?zN電子阻擋層，其中z>y>x，p型AlGaN層和透明導(dǎo)電層，在n型AlGaN層和透明導(dǎo)電層上分別設(shè)置的n型歐姆電極和p型

本發(fā)明公開了一種激光打印機(jī)高質(zhì)量文字輸出的二位半色調(diào)方法，以用戶輸入的待打印文件作為輸 出源文件，與調(diào)幅閾值矩陣做第一次對比，生成只有兩種曝光狀態(tài)的半色調(diào)文件。第二次對比前先取特 征邊緣點(diǎn)，然后待打印文件相應(yīng)位置的灰度值與灰度等級的中值做第二次對比，生成四種曝光狀態(tài)的半 色調(diào)文件。最后根據(jù)半色調(diào)文件控制半曝光激光打印機(jī)進(jìn)行輸出。本發(fā)明有效地改善在輸出時文字邊緣 的顯示效果，二位半色調(diào)方法調(diào)整效果顯著。 

獲廣元市第七屆教育科研優(yōu)秀成果《廣元市地震災(zāi)區(qū)教師信息技術(shù)能力現(xiàn)狀調(diào)查與分析》二等獎。