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超高遷移率層狀Bi2O2Se半導(dǎo)體的電子結(jié)構(gòu)及表面特性。首先使用改良的布里奇曼方法得到高質(zhì)量的層狀Bi2O2Se半導(dǎo)體單晶塊材，其低溫2 K下霍爾遷移率可高達(dá)~2.8*105 cm2/Vs（可與最好的石墨烯和量子阱中二維電子氣遷移率相比），并觀測(cè)到顯著的舒布尼科夫-德哈斯量子振蕩。隨后，在超高真空條件下，研究組對(duì)所得Bi2O2Se單晶塊材進(jìn)行原位解理，并利用同步輻射光源角分辨光電子能譜（ARPES）獲得了非電中性層狀Bi2O2Se半導(dǎo)體完整的電子能帶結(jié)構(gòu)信息，測(cè)得了電子有效質(zhì)量（~0.14 m0）、費(fèi)米速度（~1.69*106 m/s，約光速的1/180）及禁帶寬度（~0.8 eV）等關(guān)鍵物理參量。?

該研究發(fā)現(xiàn)一種新的過(guò)氧自由基自氧化機(jī)制，闡明甲基硅氧烷大氣轉(zhuǎn)化會(huì)生成甲醛，增加其釋放的環(huán)境風(fēng)險(xiǎn)。該研究不僅拓展了對(duì)大氣過(guò)氧自由基化學(xué)的理解，還為甲基硅氧烷環(huán)境行為模擬和風(fēng)險(xiǎn)評(píng)估提供了重要的基礎(chǔ)數(shù)據(jù)。

本發(fā)明公開(kāi)了一種基于金屬基平面納尖簇電極的電調(diào)透光率薄膜，其包括：由金屬平面納尖簇線密集排布構(gòu)成的一層圖案化陽(yáng)極和一層平面金屬納膜陰極/陽(yáng)極，它們被分別制作在透光的納米厚度的基膜/光學(xué)介質(zhì)層的兩個(gè)外表面上；在加電態(tài)下，圖案化陽(yáng)極中的金屬平面納尖與金屬納膜陰極/陽(yáng)極間形成局域彎曲的銳化電場(chǎng)陣，陰極/陽(yáng)極上可自由移動(dòng)的電子被陰陽(yáng)電極間所激勵(lì)的陣列化納電場(chǎng)驅(qū)控，向各納電場(chǎng)中電場(chǎng)強(qiáng)度最強(qiáng)部位聚集。本發(fā)明基于金屬基平面納尖簇電

本發(fā)明公開(kāi)了一種基于金屬平面微納線尖簇電極的電調(diào)透光率薄膜，其包括：由金屬平面微納線尖有序密集排布構(gòu)成的一層圖案化陰極和一層平面陽(yáng)極，它們被分別制作在一層納米厚度的透光基膜/電絕緣膜的上下表面；在加電態(tài)下，陰極上可自由移動(dòng)的電子被陰陽(yáng)電極間所激勵(lì)的電場(chǎng)驅(qū)控，向金屬平面微納線尖簇其各納線尖頂聚集，納線尖金屬電連接線上的自由電子分布密度因部分甚至絕大多數(shù)電子被納線尖頂抽走而減少甚至急劇降低。本發(fā)明基于金屬平面微納線尖

本發(fā)明公開(kāi)了一種時(shí)間分辨率自適應(yīng)調(diào)整的流場(chǎng)狀態(tài)測(cè)量方法，該方法包括如下步驟：首先，根據(jù)第 k+1 時(shí)刻圖像與第 k 時(shí)刻圖像之間的時(shí)間間隔Δt_k，采集第 k+1 時(shí)刻圖像，并對(duì)第 k 時(shí)刻和第k+1 時(shí)刻的圖像進(jìn)行降噪處理；然后，據(jù) k 時(shí)刻圖像和第 k+1 時(shí)刻的圖像，采用粒子圖像測(cè)速方法，計(jì)算第 k+1 時(shí)刻的流場(chǎng)狀態(tài) X(k+1)，包括：位移場(chǎng) x(k+1)、速度場(chǎng) x′(k+1)、加速度場(chǎng) a(k+1)，并輸出顯示；最后，更新第 k+2 時(shí)刻與第

一種高單模成品率的分布反饋激光器，包括激光諧振腔、布拉 格光柵；布拉格光柵為啁啾光柵或者等效的啁啾光柵，并位于諧振腔 內(nèi)，其等效折射率沿諧振腔腔長(zhǎng)方向是變化的；該激光器的模式增益 沿諧振腔腔長(zhǎng)方向變化；該激光器輸出單縱模。本發(fā)明由于采用啁啾 光柵或者等效的啁啾光柵，同時(shí)使激光器的模式增益沿腔長(zhǎng)方向變化， 并通過(guò)在激光器兩端面分別鍍高反膜和增透膜配合，能夠提高激光器 在布拉格阻帶指定的一邊，即藍(lán)邊或者紅邊光激射的概率，

本發(fā)明公開(kāi)了一種通過(guò)施加低電平脈沖實(shí)現(xiàn)微納尺寸 GST 相變 材料非晶化率連續(xù)變化的控制方法，包括控制非晶化率連續(xù)單調(diào)增大 和連續(xù)單調(diào)減小的操作，通過(guò)利用兩個(gè)或兩個(gè)以上的連續(xù)脈沖的幅值、 寬度和間隔等三個(gè)參量綜合自適應(yīng)變化精確控制焦耳熱產(chǎn)生，繼而實(shí) 現(xiàn) GST 相變材料晶化率的連續(xù)變化，具體包括步驟：對(duì)相變存儲(chǔ)單元 施加具有一定參量的兩個(gè)或兩個(gè)以上的連續(xù)脈沖；在連續(xù)脈沖的作用 下，相變材料獲得一定的熱量，使部分相變材

一種基于多源遙感數(shù)據(jù)的城市不透水層信息提取方法，包括根據(jù)夜間燈光亮度影像，計(jì)算歸一化燈 光亮度并基于閾值分割方法對(duì)城市地表進(jìn)行區(qū)域類型分割;利用燈光亮度、陸地表面溫度與歸一化土壤 調(diào)節(jié)植被指數(shù)，構(gòu)建增強(qiáng)型歸一化不透水層指數(shù);通過(guò)建立每一種類型分割區(qū)域的增強(qiáng)型歸一化不透水 層指數(shù) MNDISI 與不透水層率之間的線性定量關(guān)系，進(jìn)行不透水層的提取工作。本發(fā)明較好地結(jié)合了多 源遙感數(shù)據(jù)的優(yōu)勢(shì)，有效抑制了光譜混淆對(duì)于不透水層率估算結(jié)果的不利影響，為城市土地利用和環(huán)境 變化監(jiān)測(cè)提供了一種新的途徑。

霍爾效應(yīng)測(cè)試儀—高低溫磁場(chǎng)型本儀器系統(tǒng)由：電磁鐵、電磁鐵電源、高精度恒流源高精度電壓表、高斯計(jì)、霍爾效應(yīng)樣品支架、標(biāo)準(zhǔn)樣品、高低溫杜瓦，控溫儀，系統(tǒng)軟件。為本儀器系統(tǒng)專門(mén)研制的JH10 效應(yīng)儀將恒流源，六位半微伏表及霍爾測(cè)量復(fù)雜的切換繼電器——開(kāi)關(guān)組裝成一體，大大減化了實(shí)驗(yàn)的連線與操作。 您也可以在淘寶網(wǎng)首頁(yè)搜索“錦正茂科技”，就能看到我們的企業(yè)店鋪，聯(lián)系更加方便快速！ 產(chǎn)品概述： 本儀器系統(tǒng)由：電磁鐵、電磁鐵電源、高精度恒流源高精度電壓表、高斯計(jì)、霍爾效應(yīng)樣品支架、標(biāo)準(zhǔn)樣品、高低溫杜瓦，控溫儀，系統(tǒng)軟件。為本儀器系統(tǒng)專門(mén)研制的JH10 效應(yīng)儀將恒流源，六位半微伏表及霍爾測(cè)量復(fù)雜的切換繼電器——開(kāi)關(guān)組裝成一體，大大減化了實(shí)驗(yàn)的連線與操作。JH10 可單獨(dú)做恒流源、微伏表使用。用于測(cè)量半導(dǎo)體材料的載流子濃度、遷移率、電阻率、霍爾系數(shù)等重要參數(shù)，而這些參數(shù)是了解半導(dǎo)體材料電學(xué)特性必須預(yù)先掌控的，因此霍爾效應(yīng)測(cè)試系統(tǒng)是理解和研究半導(dǎo)體器件和半導(dǎo)體材料電學(xué)特性必*的工具。 實(shí)驗(yàn)結(jié)果由軟件自動(dòng)計(jì)算得到，可同時(shí)得到體載流子濃度(Bulk Carrier oncentration)、表面載流子濃度(Sheet Carrier Concentration)、遷移率(Mobility)、電阻率(Resistivity)、霍爾系數(shù)(Hall Coefficient)、磁致電阻(Magnetoresistance)等。 您也可以在淘寶網(wǎng)首頁(yè)搜索“錦正茂科技”，就能看到我們的企業(yè)店鋪，聯(lián)系更加方便快速！ 可測(cè)試材料: Ø 半導(dǎo)體材料：SiGe, SiC, InAs, InGaAs, InP, AlGaAs, HgCdTe 和鐵氧體材料等； 低阻抗材料：石墨烯、金屬、透明氧化物、弱磁性半導(dǎo)體材料、TMR 材料等； 高阻抗材料：半絕緣的 GaAs, GaN, CdTe 等。 您也可以在淘寶網(wǎng)首頁(yè)搜索“錦正茂科技”，就能看到我們的企業(yè)店鋪，聯(lián)系更加方便快速！