能為產業解決的關鍵問題和實施后可取得的效果 團隊針對未來五年內GaN高速增長的耐壓600V及以上級別應用領域——光伏逆變器、不間斷電源、電動及混合動力機車充電器等，著力研發低功耗的可集成的GaN-on-Si功率二極管和常閉型功率晶體管，開發增強型GaN電力電子器件閾值電壓調制技術，可靠性加固技術和器件級介質材料制備技術等發展GaN-on-Si功率半導體的核心技術。另外，在GaN-on-Si分立功率器件的基礎上開發出GaN-on-Si集成技術，開發出單片集成的GaN boost轉換器、基準電壓發生器及帶有溫度補償性能的比較器等功率核心模塊及其外圍控制、保護電路。目前已經掌握的可單片集成的GaN功率器件新結構、常閉型GaN功率器件核心制備技術、單片集成的GaN-on-Si功率模塊等技術可以應用到GaN-on-Si功率半導體器件及電路的產品開發，為中國企業在GaN功率半導體領域占據一席之地打下技術基礎。

主要功能和應用領域： 經濟的高速發展對電力能源的消耗日益增加，提高電能的利用效率成為推動經濟可持續發展的關鍵。從電能的產生（太陽能，風能，水能等），電站變電，再到高壓輸電，最后到終端用戶，電能必須經過一系列的AC/DC變換才能達到各終端用戶的多樣性要求，從低功率的日用電器到千瓦量級的汽車驅動，及更高功率的高鐵、變電站等見圖1，所有這些都離不開半導體功率電子器件對電能的有效管理。因此，發展高效電力電子器件，降低電能中各種變換環節和電器運行中的損耗，是當前電能利用的重中之重，是適應節能，綠色經濟發展的必然趨勢。