本發明提供的一種面向物聯網的砷化鎵基具有熱電轉換功能的MESFET器件,主要包括MESFET和熱電偶。MESFET選擇半絕緣的GaAs作為襯底,通過GaAs工藝和MEMS表面微機械加工實現具有能量轉換功能的MESFET。在源漏柵的金層四周制作一層二氧化硅,化學機械拋光后,制作熱電偶的金屬Au型熱電臂和砷化鎵型熱電臂,蒸金連接兩種熱電偶臂,將源漏柵的熱電偶電極進行金屬連線,留下兩個熱電偶電極作為塞貝克電壓的輸出極。該砷化鎵基具有熱電轉換功能的MESFET器件根據塞貝克效應,可以將器件工作產生的熱能轉換為電能,實現能量收集的同時緩解了散熱問題。通過檢測輸出塞貝克電壓的大小來實現對熱耗散功率大小的檢測。
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