本發明提供了一種石墨烯快速剝離的方法;該方法包括 S1 利用化學氣相沉積法在鎳片上生長石墨烯;其中生長溫度為 750℃~1000℃,生長時間為 10~30 分鐘,生長時通入氣體為甲烷 10~80sccm和氫氣 5~10sccm 并保持生長氣壓為常壓;S2 將所述附著有石墨烯的鎳片浸泡在氯化鐵溶液中,經過電化學腐蝕后獲得剝離后的石墨烯。本發明可以在幾十秒到幾十分鐘內把石墨烯無破損地從基底鎳片上剝離下來。這為石墨烯的基礎研究和應用提供一種快速的新途徑。本發明操作簡單,可以快速的把石墨烯轉移到任何基片上;
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