一種微機電系統的圓片級真空封裝方法,屬于微機電系統的封裝方法,解決現有封裝方法存在的問題,使得微型真空腔長時間保持真空,滿足十年以上使用壽命的要求。本發明包括:刻蝕步驟:在蓋板圓片上對應硅基片 MEMS 器件的位置刻蝕相應空間尺寸的凹坑,再環繞凹坑刻蝕環形凹槽;吸氣劑淀積步驟:在所述凹坑和凹槽內淀積吸氣劑薄膜;鍵合步驟:在真空環境下將蓋板圓片和硅基片緊密鍵合。本發明解決了現有封裝方法存在的真空保持時間短、密封質量低、可靠性差、成本高的問題,可以長時間保持微型腔體內的真空度,極大的推動圓片級 MEMS
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