一種微機電系統的圓片級真空封裝工藝,屬于微機電系統的封裝方法,解決現有基于薄膜淀積真空封裝工藝所存在的淀積薄膜較薄、腔體小,容易損壞,以及封裝器件存在真空泄露、使用壽命降低的問題。本發明順序包括:淀積吸氣劑步驟;淀積薄犧牲層步驟;淀積緩沖腔犧牲層步驟;淀積厚犧牲層步驟;制作封裝蓋步驟;刻蝕釋放孔步驟;去除犧牲層步驟和密封步驟。本發明解決了現有封裝方法存在的真空保持時間短,密封質量低,封裝尺寸大,工藝與標準 IC 工藝不兼容,成本高的問題,從而保證最里面的腔體氣壓;同時成本少于基于圓片鍵合工藝的真空封
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